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发射区经纬仪系统

飞行器测控技术 1992年第3期11卷 78-83页

作者： Bradl.,M 高德平

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低发射区浓度器件—新的半导体技术

微纳电子技术 1975年第2期 10-18页

作者：露木忠晴何玉山

一、前言结型晶体管已问世20多年了。晶体管的重要特性之一电流放大系数,不仅要求有好的基极设计,而且要求发射极的设计必须把杂质浓度做得比基区高得多。由于这种原因,目前二重扩散型晶体管,都把发射区杂质浓度提高到固溶度附近,故由... 详细信息

一、前言结型晶体管已问世20多年了。晶体管的重要特性之一电流放大系数,不仅要求有好的基极设计,而且要求发射极的设计必须把杂质浓度做得比基区高得多。由于这种原因,目前二重扩散型晶体管,都把发射区杂质浓度提高到固溶度附近,故由此而产生了发射区的晶格完整性、控制性等方面的种种问题。本结构把发射极和基极结附近的发射区浓度降到过去晶体管的1/1000以下,在电极接触处设计了N;—N结,取名为低发射

关键词：发射区晶体管栅极基区半导体三极管发射极基极电流器件

某地空导弹发射角、发射区计算与显示数学模型

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航空兵器 1982年第3期 1-6页

作者：经齐生

一、引言本文是在某型空空导弹改作地空导弹进行方案论证时,给地面指挥仪设计提供导弹发射角、发射区计算与显示而编写的数学模型。 1、雷达测量坐标系(β、ε、D)

关键词：发射区分量目标速度目标位置坐标系坐标转换数学模型试验模型

宽带隙材料作发射区的异质结光晶体管（HPT）的研究

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广西工学院学报 1995年第1期6卷 70-75页

作者：殷景志张伟刚吉林工业大学理科部广西工学院计算中心

本文在研究一种特珠结构的光晶体管──异质结光晶体管（ＨＰＴ）的工作原理基础上，分析用宽带隙材料作发射区，可减少注入损耗，提高增益的特性。

关键词：异质结光晶体管增益发射区半导体

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用氧化镉(CdO)为发射区的InGaAsP/InP双异质结晶体管

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固体电子学研究与进展 1985年第3期 199-204页

作者：苏里曼北京电子管厂

本文提出和研制了一个新型的InGaAsP/InP双极型晶体管.在单片集成电路中它能与1.55μmInGaAsP/InP双异质结激光器共容而组成一个晶体管-激光器器件.该晶体管的主要特点是采用氧化镉（CdO）薄层作为器件发射区,由InP组成收集区而形成NpN... 详细信息

本文提出和研制了一个新型的InGaAsP/InP双极型晶体管.在单片集成电路中它能与1.55μmInGaAsP/InP双异质结激光器共容而组成一个晶体管-激光器器件.该晶体管的主要特点是采用氧化镉（CdO）薄层作为器件发射区,由InP组成收集区而形成NpN双异质结晶体管.测量结果表明晶体管能双向工作,测得的正向共发射极电流增益为40(VCE=5V,Ic=1mA),反向增益为8(VCE=1.5V,Ic=100μA).文中还给出了hfe—Ic特性和晶体管CdO-InGaAsP发射结的伏安特性.

关键词：异质结晶体管 CdO InGaAsP/InP 双异质结激光器发射区发射结基区电流增益单片集成电路伏安特性

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掺磷乳胶源用于功率晶体管发射区扩散的尝试

半导体技术 1981年第6期 27-31页

作者：庄惠华

近几年来,乳胶扩散逐步为人们所重视。由于它具有一系列优点而日益广泛地被应用于半导体器件生产工艺中。本文着重叙述在功率晶体管的发射区扩散中使用掺磷乳胶源的实验方法和所得到的结果,并与液态源扩散的结果作了比较,以便为进一步... 详细信息

近几年来,乳胶扩散逐步为人们所重视。由于它具有一系列优点而日益广泛地被应用于半导体器件生产工艺中。本文着重叙述在功率晶体管的发射区扩散中使用掺磷乳胶源的实验方法和所得到的结果,并与液态源扩散的结果作了比较,以便为进一步开展这方面的研究工作打下基础。

关键词：液态源晶体管半导体三极管发射区胶体乳胶掺磷

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前结背接触晶硅太阳电池发射区研究

电子元件与材料 2015年第10期34卷 43-47页

作者：周涛陆晓东吴元庆刘兴辉吴春瑜渤海大学新能源学院辽宁锦州121000 辽宁大学物理学院辽宁沈阳110036

利用Silvaco-TCAD仿真软件全面系统地分析了发射区表面浓度(cE)、结深(xj)及发射区覆盖比率(EF)对P型前结背接触晶硅太阳电池输出特性的影响。结果表明:基于常规低成本P型晶硅衬底(利用直拉法生长,电阻率为1.5?·cm,少子寿命为10μs)的... 详细信息

利用Silvaco-TCAD仿真软件全面系统地分析了发射区表面浓度(cE)、结深(xj)及发射区覆盖比率(EF)对P型前结背接触晶硅太阳电池输出特性的影响。结果表明:基于常规低成本P型晶硅衬底(利用直拉法生长,电阻率为1.5?·cm,少子寿命为10μs)的前结背接触太阳电池,其上表面发射区表面浓度及结深对太阳电池的输出特性产生显著影响。上表面发射区表面浓度和结深越大,短波入射光外量子效率越小。当上表面发射区表面浓度为1×1019 cm–3,结深为0.2μm时,电池效率高达20.72%。侧面和下表面发射区表面浓度及结深对太阳电池输出特性的影响较小。但侧面和下表面发射区覆盖比率对太阳电池的输出特性产生显著影响。侧面和下表面发射区覆盖比率越大,太阳电池外量子效率和转换效率越高。

关键词：前结背接触太阳电池发射区表面浓度结深量子效率转换效率

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硅平面器件制造中锈生缺陷与发射区陷落效应

半导体技术 1983年第2期 14-17页

作者：尹洪辉孟福坤许立宪华南工学院

通过大量解剖双极型晶体管和集成电路芯片,研究硅平面器件制造过程中诱生缺陷与“发射区陷落效应”之间的关系。认为“发射区陷落效应”不仅与发射区杂质扩散的表面浓度,扩散时间及基区结深有关,而且与器件制造工艺过程中诱生缺陷,特别... 详细信息

通过大量解剖双极型晶体管和集成电路芯片,研究硅平面器件制造过程中诱生缺陷与“发射区陷落效应”之间的关系。认为“发射区陷落效应”不仅与发射区杂质扩散的表面浓度,扩散时间及基区结深有关,而且与器件制造工艺过程中诱生缺陷,特别是与氧化杆状层错及微缺陷有关。文章探讨了诱生缺陷对这种效应影响的物理机构。提出了消除这种效应的方法。

关键词：发射区双极型晶体管基区器件制造

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非晶发射区晶体管稳定增益的研究

半导体技术 1988年第5期 7-8页

作者：苏里曼

采用浅砷离子注入形成极薄的发射区(200～300（?）),然后在发射区的上方淀积一层掺磷的非晶硅,本结构可以有效地提高晶体管共发射极增益的稳定性.晶体管的性能良好,其中h;=50～60,交流参数为f;=1.2GHz,噪声系数N;=1.5dB（f=600MHz,V;=6V... 详细信息

采用浅砷离子注入形成极薄的发射区(200～300（?）),然后在发射区的上方淀积一层掺磷的非晶硅,本结构可以有效地提高晶体管共发射极增益的稳定性.晶体管的性能良好,其中h;=50～60,交流参数为f;=1.2GHz,噪声系数N;=1.5dB（f=600MHz,V;=6V,I;=2mA）.

关键词：发射区 HBT 晶体管半导体三极管非晶