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单晶硅太阳电池发射区结构设计与工艺优化

材料导报 2016年第6期30卷 28-32页

作者：周涛刘聪陆晓东吴元庆夏婷婷渤海大学新能源学院锦州121000 中利腾晖光伏科技有限公司常熟215542

首先利用TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了不同发射区表面浓度和结深对P型单晶硅太阳电池短路电流、开路电压、填充因子及转换效率的影响。然后以获得最优的发射区结构参数为目标，对热扩散工艺和离子注入工艺进行了仿真研究。... 详细信息

首先利用TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了不同发射区表面浓度和结深对P型单晶硅太阳电池短路电流、开路电压、填充因子及转换效率的影响。然后以获得最优的发射区结构参数为目标，对热扩散工艺和离子注入工艺进行了仿真研究。仿真结果表明，发射区表面浓度和结深的变化对单晶硅太阳电池输出特性产生显著影响。当发射区表面浓度为5×10^20cm^-3，结深为0．1μm时，太阳电池转换效率最高，可达20．39％。若采用热扩散工艺制备发射区，扩散温度范围为825～850℃，扩散时间范围为10～20min；若采用离子注入工艺制备发射区，当注入剂量为1×10^17cm^-2，注入能量为5keV时，退火温度范围为850～875℃，退火时间范围为5～15min。

关键词：单晶硅太阳电池发射区表面浓度结深扩散离子注入转换效率

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T型发射区单晶硅太阳电池的输出特性研究

高技术通讯 2016年第3期26卷 315-321页

作者：周涛陆晓东吴元庆李媛渤海大学新能源学院锦州121000

利用TCAD半导体器件仿真软件对具有T型发射区结构的单晶硅太阳电池进行了仿真研究。全面系统地分析了在不同衬底少子寿命情况下,不同T型发射区深度对太阳电池外量子效率、短路电流密度、开路电压、填充因子及转换效率的影响。仿真结果... 详细信息

利用TCAD半导体器件仿真软件对具有T型发射区结构的单晶硅太阳电池进行了仿真研究。全面系统地分析了在不同衬底少子寿命情况下,不同T型发射区深度对太阳电池外量子效率、短路电流密度、开路电压、填充因子及转换效率的影响。仿真结果表明：采用T型发射区结构可在一定程度上提高常规均匀发射区太阳电池的电学性能;T型发射区结构对700～1200nm长波段入射光的外量子效率具有明显的改善作用;当衬底少子寿命一定时,太阳电池短路电流密度、填充因子均随T型发射区深度的增大而增大,而开路电压随T型发射区深度的增大而减小;当T型发射区深度大于80μm时,对于低衬底少子寿命的单晶硅太阳电池,T型发射区结构对其转换效率的改善效果最为显著。

关键词：单晶硅太阳电池发射区深度少子寿命转换效率量子效率

发射区禁带变窄及其对NPN型双极晶体管性能影响的刍议

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半导体技术 1990年第4期6卷 21-25页

作者：吴克林马鞍山市晶体管厂

本文评述了发射区禁带变窄及其对NPN型双极晶体管性能的影响。再一次阐明了考虑禁带过渡区宽度的“有效禁带差”的重要意义,并指出发射区禁带变窄距发射结一定距离才开始,但“有效禁带差”如何计算尚有待进一步研究。

关键词： NPN型双极晶体管发射区窄禁带

发射区复合对AlGaAs/GaAs HBT特性的影响

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微电子学与计算机 1993年第10期10卷 44-46,48页

作者：周文益许军刘佑宝黄敞骊山微电子学研究所陕西临潼710600

采用将发射区体内复合及表面复合归一化为载流子寿命变化的方法,用一维模拟程序,能简便地研究发射区复合对AlGaAs/GaAl HBT(异质结双极晶体管)特性的影响。计算结果表明,发射区载流子寿命的变化几乎不影响注入到基区的电子电流,但却成... 详细信息

采用将发射区体内复合及表面复合归一化为载流子寿命变化的方法,用一维模拟程序,能简便地研究发射区复合对AlGaAs/GaAl HBT(异质结双极晶体管)特性的影响。计算结果表明,发射区载流子寿命的变化几乎不影响注入到基区的电子电流,但却成反比例地影响基区空穴电流.由于降低寿命增大了空穴复合电流,从而降低了HBT的电流增益.

关键词：双极性晶体管发射区特性 HBT

“神十四”船箭组合体转运至发射区，近日择机发射

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“神十四”船箭组合体转运至发射区，近日择机发射

不同表面复合速率情况下IBC太阳电池发射区半宽度研究

新华每日电讯

作者：李国利杨晓敏

新华社酒泉5月29日电（记者李国利）据中国载人航天工程办公室消息，5月29日，神舟十四号载人飞船与长征二号F遥十四运载火箭组合体已转运至发射区。目前，发射场设施设备状态良好，后续将按计划开展发射前的各项功能检查、联合测试等... 详细信息

新华社酒泉5月29日电（记者李国利）据中国载人航天工程办公室消息，5月29日，神舟十四号载人飞船与长征二号F遥十四运载火箭组合体已转运至发射区。目前，发射场设施设备状态良好，后续将按计划开展发射前的各项功能检查、联合测试等工作。新华社海南文昌5月29日电（记者......

关键词：发射区组合体运载火箭

来源： cnki报纸评论

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cnki报纸

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硅酸盐通报 2016年第6期35卷 1688-1692,1698页

作者：周涛陆晓东吴元庆李媛渤海大学新能源学院锦州121000

利用TCAD半导体器件仿真软件对N型插指背接触（Interdigitated Back Contact,IBC）单晶硅太阳电池发射区半宽度进行研究,全面系统地分析了在不同背表面复合速率的情况下,发射区半宽度对IBC太阳电池短路电流密度（JSC）、开路电压（VOC... 详细信息

利用TCAD半导体器件仿真软件对N型插指背接触（Interdigitated Back Contact,IBC）单晶硅太阳电池发射区半宽度进行研究,全面系统地分析了在不同背表面复合速率的情况下,发射区半宽度对IBC太阳电池短路电流密度（JSC）、开路电压（VOC）、填充因子（FF）及转换效率（Eff）的影响。结果表明：随着背表面复合速率的增大,对于不同发射区半宽度的情况,IBC太阳电池JSC、VOC、FF及Eff均显著降低。当背表面复合速率一定时,发射区半宽度越大,JSC、VOC越高,而FF越低。随着发射区半宽度的增大,IBC太阳电池Eff呈现先增大后减小的变化特点。当背表面复合速率较小（50~500 cm/s）时,最优的发射区半宽度为800μm。当背表面复合速率较高（≥5000 cm/s）时,最优的发射区半宽度为1200μm。

关键词：背接触太阳电池发射区半宽度表面复合速度

多晶／单晶界面参数对发射区渡越时间影响的解析模型

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Journal of Semiconductors 1996年第1期17卷 41-50页

作者：马平西张利春赵宝瑛王阳元北京大学微电子研究所

在考虑了多晶／单晶之间界面氧化层的基础上，本文提出了一个新的多晶硅发射区双极晶体管发射区渡越时间的解析模型，用推导出的标志电荷存储机理的Ｓ因子详细分析了发射区渡越时间与多晶／单晶界面参数之间的关系，区分了支配ＲＣＡ器... 详细信息

在考虑了多晶／单晶之间界面氧化层的基础上，本文提出了一个新的多晶硅发射区双极晶体管发射区渡越时间的解析模型，用推导出的标志电荷存储机理的Ｓ因子详细分析了发射区渡越时间与多晶／单晶界面参数之间的关系，区分了支配ＲＣＡ器件和ＨＦ器件发射区渡越时间的不同电荷存储机理，得到了有关获得高性能多晶硅发射区双极晶体管的结论．

关键词：界面参数发射区渡越时间多晶硅单晶硅硅

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77K多晶硅发射区双极型晶体管

电子学报 1992年第8期20卷 23-28页

作者：郑茳王曙王燕吴金魏同立童勤义东南大学微电子中心南京210018

本文介绍了适于77K工作的多晶硅发射区双极型晶体管,给出了在不同工作电流条件下的电流增益的温度模型。结果表明在小电流条件下电流增益随温度下降而下降得更为剧烈,并且讨论了在不同注入情况下,浅能级杂质的陷阱作用对截止频率的影响。

关键词： 77K 硅双极晶体管发射区

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硅太阳电池发射区复合的分析

Journal of Semiconductors 1991年第9期12卷 566-569页

作者：丘思畴左磊丘睦钦华中理工大学固体电子学系武汉430074

本文全面考虑了太阳电池发射区的重掺杂效应,计算了高斯分布下,表面杂质浓度和表面复合速度对内部复合速度及发射区暗电流的影响.

关键词：硅太阳能电池发射区掺杂效应