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共掺碱金属对白光LEDs用SrBPO_5:Sm^(3+)荧光粉发光的增强作用（英文）

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无机材料学报 2016年第8期31卷 876-880页

作者：杨敬伟李旭焦典吴梦颖王一冰关丽郭庆林滕枫河北大学河北省光电信息材料重点实验室物理科学与技术学院保定071002

利用传统的高温固相法合成了一种橘红色Sr BPO_5:Sm^(3+)荧光粉。通过X射线衍射(XRD)确定荧光粉的组成,研究了样品的光致激发(PLE)和光致发射(PL)光谱,探究Sm^(3+)离子浓度对样品发光性能的影响及浓度猝灭机理,通过测试不同温度下的发... 详细信息

利用传统的高温固相法合成了一种橘红色Sr BPO_5:Sm^(3+)荧光粉。通过X射线衍射(XRD)确定荧光粉的组成,研究了样品的光致激发(PLE)和光致发射(PL)光谱,探究Sm^(3+)离子浓度对样品发光性能的影响及浓度猝灭机理,通过测试不同温度下的发射光谱分析了样品的热稳定性,研究反应温度和电荷补偿剂对发光性能的影响。最后讨论了Sr BPO_5:Sm^(3+),R+荧光粉的色坐标。结果表明:Sr BPO_5:Sm^(3+),Li^+是一种潜在的用于UV激发的白光LED的橘红色荧光粉。

关键词：发光 SrBPO5:Sm3+,Li+ 稀土光谱性质

声表面波对GaAs(110)量子阱发光特性的调制

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物理学报 2006年第8期55卷 4327-4331页

作者：杨光 P.V.Santos 华中科技大学光电子科学与工程学院

结合声表面波和光致发光谱在低温(15K)下对非故意掺杂的GaAs(110)量子阱结构的发光特性进行了研究.实验结果表明,由于声表面波的作用GaAs(110)量子阱的发光强度减弱,并且其对应的重空穴能级出现了分裂的现象,当施加的声波强度Prf达到20... 详细信息

结合声表面波和光致发光谱在低温(15K)下对非故意掺杂的GaAs(110)量子阱结构的发光特性进行了研究.实验结果表明,由于声表面波的作用GaAs(110)量子阱的发光强度减弱,并且其对应的重空穴能级出现了分裂的现象,当施加的声波强度Prf达到20dBm时,能级分裂ΔE达到了10meV.进一步讨论了声表面波对GaAs(110)量子阱圆偏振光自旋注入的影响.

关键词：发光 GaAs量子阱声表面波自旋极化

Gd_(1-x)Al_yO_z:Eu_x梯度组合芯片的组织结构和发光性能

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稀有金属材料与工程 2010年第7期39卷 1260-1264页

作者：罗岚熊志华周耐根周浪南昌大学江西南昌330031 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室上海200050 江西科技师范学院江西省光电子与通信重点实验室江西南昌330013

将组合材料芯片技术用于Gd1-xAlyOz:Eux荧光材料的研究。通过离子束溅射沉积和两步热处理技术制备Gd1-xAlyOz:Eux梯度组合材料芯片。通过X射线衍射和扫描电镜二次电子像分析发现:根据钆铝配比的不同在组合材料芯片上形成了相应的钆铝酸... 详细信息

将组合材料芯片技术用于Gd1-xAlyOz:Eux荧光材料的研究。通过离子束溅射沉积和两步热处理技术制备Gd1-xAlyOz:Eux梯度组合材料芯片。通过X射线衍射和扫描电镜二次电子像分析发现:根据钆铝配比的不同在组合材料芯片上形成了相应的钆铝酸盐晶相;Gd4Al2O9(GAM)和GdAlO3(GAP)作为Gd2O3-Al2O3中的稳定晶体相,其单相多晶薄膜较容易形成。紫外激发发光照相记录表明Gd1-xAlyOz:Eux可以发射明亮的红色荧光(Eu3+的5D0–7F2发射,主峰值615nm),且对于Eu3+掺杂,GAP是最好的钆铝酸盐基体相。材料芯片的照相筛选结果和发射光谱、吸收光谱的分析结果一致。

关键词：组合材料芯片技术钆铝酸盐发光离子束溅射

Ce、Pr共掺LSO多晶薄膜的溶胶–凝胶法制备及其发光性能

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无机材料学报 2016年第6期31卷 647-651页

作者：张晓欣谢建军范灵聪林德宝陈旭施鹰上海大学材料科学与工程学院上海200444 上海大学生命科学学院上海200444

采用溶胶–凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅(111)上制备了Ce^(3+)、Pr^(3+)共掺杂的硅酸镥(Lu_2SiO_5)薄膜,采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和荧光光谱(PL)对(Ce,Pr):Lu_2SiO_5薄膜的物相、表面形貌及发光性质进行了研究和表征。结果表明... 详细信息

采用溶胶–凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅(111)上制备了Ce^(3+)、Pr^(3+)共掺杂的硅酸镥(Lu_2SiO_5)薄膜,采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和荧光光谱(PL)对(Ce,Pr):Lu_2SiO_5薄膜的物相、表面形貌及发光性质进行了研究和表征。结果表明:薄膜样品在1000℃下形成了A-Lu_2SiO_5纯相;在1100℃下形成了B-Lu_2SiO_5纯相。经1100℃煅烧后,通过SEM可以观察到薄膜表面均匀、平整、无裂纹,晶粒大小为200~300 nm,旋涂10层的薄膜厚度约为320 nm。从PL谱中可以发现:在共掺杂体系里,Pr^(3+)在跃迁过程中,有一部分能量传递给Ce^(3+)离子,使Ce^(3+)产生特征能级跃迁,并且使Ce^(3+)发射强度比单掺杂Ce^(3+)时的发射强度更强。

关键词：溶胶–凝胶法 LSO薄膜发光旋涂法 Ce3+, Pr3+共掺杂

GdVO_4:Eu^(3+)纳米晶的熔盐法合成与发光性能（英文）

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稀有金属材料与工程 2014年第7期43卷 1588-1593页

作者：周志强郭丽贾佩云东北林业大学黑龙江哈尔滨150040

以等摩尔的硝酸钠和硝酸钾作为反应介质,氢氧化钠作为碱化剂,采用熔盐法制备了GdVO4:Eu3+纳米晶。利用X射线衍射(XRD)仪、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、透射电子显微镜(TEM)、荧光光谱(PL)和荧光寿命(Lifetime)等手段对产物的相态、结晶... 详细信息

以等摩尔的硝酸钠和硝酸钾作为反应介质,氢氧化钠作为碱化剂,采用熔盐法制备了GdVO4:Eu3+纳米晶。利用X射线衍射(XRD)仪、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、透射电子显微镜(TEM)、荧光光谱(PL)和荧光寿命(Lifetime)等手段对产物的相态、结晶度、结构、形貌和发光性能等进行了表征与研究。X射线衍射结果表明,产物在250°C时开始结晶,400°C时结晶完全,控制反应体系碱度和温度可获得纯四方相GdVO4:Eu3+晶体。透射电镜观察结果显示,产物为粒径20 nm左右的立方形颗粒,分散良好,形貌均一。依据XRD数据计算结果表明,GdVO4:Eu3+纳米晶的晶胞参数和晶胞体积相对于体相材料均有所减小,归因于纳米晶表面大量悬键的存在,并通过FT-IR得到验证。315 nm波长光的激发下,GdVO4:Eu3+纳米晶呈现Eu3+的特征发射光谱,表明了能量由VO43-向Eu3+的传递。发射强度和荧光寿命研究表明,Eu3+的最佳掺杂浓度为5%(摩尔分数)。

关键词：熔盐合成纳米晶发光 GdVO4

F/Cl比对PbFCl晶体生长和发光性能的影响

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无机材料学报 2014年第2期29卷 162-166页

作者：张国庆杨帆吴云涛孙丹丹商珊珊任国浩中国地质大学(武汉) 武汉430074 中国科学院上海硅酸盐研究所上海201800

PbFCl是一种具有双读出功能的闪烁晶体,性能优异但制备困难。本研究通过调整PbFCl原料组份,探索F/Cl摩尔比(F/Cl)对晶体生长、透光和发光性能的影响。实验结果表明,原料配方中适量富Cl有利于生长出透明晶体,但会加剧解理。组分偏析会使... 详细信息

PbFCl是一种具有双读出功能的闪烁晶体,性能优异但制备困难。本研究通过调整PbFCl原料组份,探索F/Cl摩尔比(F/Cl)对晶体生长、透光和发光性能的影响。实验结果表明,原料配方中适量富Cl有利于生长出透明晶体,但会加剧解理。组分偏析会使晶胞参数略有改变,而对物相没有影响。X射线激发光谱发光峰位不随F/Cl比改变而移动。透过光谱显示PbCl2组份增加,紫外吸收边会从300 nm蓝移至275 nm附近,F/Cl变化不引入新的吸收峰,EWT计算表明F/Cl=1:1.25时晶体的双读出性能最好。

关键词： PbFCl 组份偏析发光透光率

光激发下Li_6Gd(BO_3)_3:Ce晶体发光和衰减的温度依赖特性

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无机材料学报 2007年第1期22卷 25-29页

作者：陈俊锋李赟宋桂兰姚冬敏袁兰英齐雪君王绍华中国科学院上海硅酸盐研究所上海201800

研究了80-500K范围内,光激发下Li6Gd(BO3)3:Ce晶体发光和衰减的温度依赖特性．在346nm光激发下,热猝灭占优势,发光随温度升高而降低．在274nm光激发下,发光由Gd3+向Ce3+的能量传递和热猝灭共同决定,低于200K时,能量传递占支配地位,发光... 详细信息

研究了80-500K范围内,光激发下Li6Gd(BO3)3:Ce晶体发光和衰减的温度依赖特性．在346nm光激发下,热猝灭占优势,发光随温度升高而降低．在274nm光激发下,发光由Gd3+向Ce3+的能量传递和热猝灭共同决定,低于200K时,能量传递占支配地位,发光随温度升高而增强;高于200K时,热猝灭占优势,发光随温度升高而减弱．225K以下,辐射跃迁占优势,衰减随温度升高而略有增大;225K以上,无辐射跃迁占优势,衰减随温度升高而减小．利用经典的热猝灭公式和Arrhenius公式,获取的激活能分别为0．33和0．32eV．

关键词：发光衰减时间 Li6Gd(B03)3:Ce 温度依赖

基质组成对xSrO·yAl_2O_3:Eu^(2+),Dy^(3+)发光性能的影响

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稀有金属材料与工程 2007年第1期36卷 63-67页

作者：吕兴栋舒万艮方勤江西财经大学材料研究所江西南昌330013 中南大学湖南长沙410083

研究了基质组成对xSrO·yAl2O3?Eu2+,Dy3+体系长余辉发光性能的影响,并对其影响机理进行了探讨。XRD分析和长余辉发光性能表明:改变Al2O3/SrO比率可以获得长余辉发光性能较好的3种基质相:SrAl2O4?Eu2+,Dy3+和Sr4Al14O25?Eu2+,Dy3+及SrAl... 详细信息

研究了基质组成对xSrO·yAl2O3?Eu2+,Dy3+体系长余辉发光性能的影响,并对其影响机理进行了探讨。XRD分析和长余辉发光性能表明:改变Al2O3/SrO比率可以获得长余辉发光性能较好的3种基质相:SrAl2O4?Eu2+,Dy3+和Sr4Al14O25?Eu2+,Dy3+及SrAl4O7?Eu2+,Dy3+。激发与发射光谱性能分析和余辉衰减特性分析结果表明:随着基质中Sr/Al比例的减小,激发光谱向短波方向延伸,发射峰蓝移,初始余辉亮度越高,余辉持续时间越长。热释光谱分析表明:贫锶相晶格中的陷阱深度与密度较大,因而显示出较好的长余辉发光性能。

关键词：相组成铝酸锶发光余辉

凝胶-燃烧法合成(Y,Gd)Al_3(BO_3)_4:Tb^(3+)荧光材料的结构及其发光性能

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稀有金属材料与工程 2009年第9期38卷 1638-1641页

作者：李桂芳曹全喜黄云霞李志敏卫云鸽西安电子科技大学陕西西安710071

采用凝胶-燃烧法合成掺Tb3+和Gd3+的四硼酸铝钇(Y,Gd)Al3(BO3)4:Tb3+荧光粉。分别采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、发光光谱等测试手段分析不同温度下煅烧所得粉体的物相、形貌与发光性质。XRD和SEM结果表明:(Y,Gd)Al3(BO3)4:Tb3... 详细信息

采用凝胶-燃烧法合成掺Tb3+和Gd3+的四硼酸铝钇(Y,Gd)Al3(BO3)4:Tb3+荧光粉。分别采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、发光光谱等测试手段分析不同温度下煅烧所得粉体的物相、形貌与发光性质。XRD和SEM结果表明:(Y,Gd)Al3(BO3)4:Tb3+的最低合成温度为1000℃,在该反应过程中,首先形成中间相Al4B2O9、YBO3和Y3Al5O12,而最终形成单相的(Y,Gd)Al3(BO3)4:Tb3+。随煅烧温度的升高,样品结晶程度越来越好,并且颗粒尺寸随温度的升高而增大,在1100℃时合成的晶粒尺寸比较均匀,平均粒径在1μm左右。发光光谱的测试结果表明:在229nm激发下,(Y,Gd)Al3(BO3)4:Tb3+荧光粉最强发射峰位于542nm处,属于Tb3+的5D4→7F5的跃迁。在该体系中存在Gd3+→Tb3+的能量传递,使得该荧光粉的发光强度随着Gd3+掺杂浓度的增加而增大。

关键词：凝胶-燃烧法 (Y,Gd)Al3(BO3)4:Tb3+ 荧光粉发光