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文献类型

  • 2 篇 期刊文献

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日期分布

学科分类号

  • 2 篇 理学
    • 2 篇 物理学
  • 2 篇 工学
    • 2 篇 材料科学与工程（可...
    • 2 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 2 篇 发光瞬态过程
  • 1 篇 ⅲ-v族半导体
  • 1 篇 半导体
  • 1 篇 有序度
  • 1 篇 无序
  • 1 篇 衰退过程
  • 1 篇 激发强度
  • 1 篇 杂质
  • 1 篇 混晶半导体
  • 1 篇 ⅲ-ⅴ族
  • 1 篇 gainp合金

机构

  • 2 篇 厦门大学
  • 2 篇 中山大学

作者

  • 2 篇 郑健生
  • 1 篇 蔡志岗
  • 1 篇 吕毅军
  • 1 篇 高玉琳
  • 1 篇 黄旭光
  • 1 篇 桑海宇
  • 1 篇 俞容文
  • 1 篇 颜炳章
  • 1 篇 曾学然

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=发光瞬态过程"
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名义上无序的GaInP合金的发光瞬态过程研究
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引用
厦门大学学报（自然科学版） 2002年 第2期41卷 186-189页
作者： 吕毅军 高玉琳 郑健生 蔡志岗 桑海宇 曾学然 厦门大学物理学系 福建厦门361005 中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室 广东广州510275
报道了名义上无序GaxIn1 xP(x =0 .5 2 )合金的发光瞬态过程 ,对样品在 77K和 30 0K下不同激发强度的时间衰退过程和时间分辨光谱的分析表明 ,这块名义上无序的合金也存在很微弱的有序度 .在 77K的高激发强度下 ,衰退过程符合单指数衰... 详细信息
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混晶GaAs_(1-x)P_x∶N中N_X带的发光瞬态过程研究
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引用
厦门大学学报（自然科学版） 1997年 第2期36卷 216-220页
作者： 俞容文 黄旭光 郑健生 颜炳章 厦门大学物理学系 中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室
采用皮秒量级的超快速光谱技术，分析了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ材料发光瞬态过程．结果证实了材料随组份变化，从间接带到直接带（ｘｃ＝０．４５Ｋ，７７Ｋ）转变的带增强效应．
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