检索结果-南通市图书馆

纳米CuO/CNTs的制备及对高氯酸钾基烟火药发光强度的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

含能材料 2014年第1期22卷 80-83页

作者：霸书红闫明辉周龙程秀莲王桂萍万新国杜雪峰沈阳理工大学装备工程学院辽宁沈阳110159

为研究不同附加物对含高氯酸钾与铝粉烟火药的发光强度的影响,采用沸腾回流沉淀法制备了CuO/CNTs纳米复合粒子。用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)、同步热分析仪(DSC-TG)表征了它的结构和性能。测试了含不同附加物烟火药配方的... 详细信息

为研究不同附加物对含高氯酸钾与铝粉烟火药的发光强度的影响,采用沸腾回流沉淀法制备了CuO/CNTs纳米复合粒子。用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)、同步热分析仪(DSC-TG)表征了它的结构和性能。测试了含不同附加物烟火药配方的发光强度。结果表明,氧化铜能够在碳纳米管表面有效负载,粒径为61.1 nm,其中CuO粒径为8.8 nm,负载量为30%。含纳米复合粒子的CuO/CNTs-Al-KClO4配方的发光强度优于任何含单一附加物的配方,与机械混合的CNTs-CuO-Al-KClO4同配比配方相比,发光强度提高了11.2%,表明CuO/CNTs纳米复合粒子具有更强的正协同催化效应。

关键词：物理化学烟火药 CuO CNTs纳米复合粒子催化效应发光强度

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

发光强度——坎德拉的演进

中国计量 2018年第10期 24-26,28页

作者：甘海勇刘慧林延东中国计量科学研究院

一、光度计量学与国际基本单位坎德拉发光强度的基本单位坎德拉是国际单位制（SI）七个基本单位之一,用符号＂cd＂表示。光是人类、生物以至自然界赖以生存和发展的一种重要物质。人的眼睛等感觉器官从外界接收的全部信息中,有百分之七... 详细信息

一、光度计量学与国际基本单位坎德拉发光强度的基本单位坎德拉是国际单位制（SI）七个基本单位之一,用符号＂cd＂表示。光是人类、生物以至自然界赖以生存和发展的一种重要物质。人的眼睛等感觉器官从外界接收的全部信息中,有百分之七十以上来自光。随着科学的进步,人类对光的认识也经历了由现象到本质的发展过程,光学计量正是伴随这一认识过程而产生和发展的。发光强度的原始计量依赖于人眼的感觉。

关键词：发光强度坎德拉国际单位制演进基本单位感觉器官认识过程光学计量

DBR对不同波长AlGaInP LED芯片发光强度的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

太原理工大学学报 2015年第2期46卷 148-152页

作者：张强马淑芳李明山许并社王智勇太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室太原030024 北京工业大学激光工程研究院北京100022

利用MOCVD方法,在GaAs衬底上生长了不同DBR结构的红光和黄绿光AlGaInP四元外延片,并通过芯片工艺制成芯片。使用X-射线衍射仪(HRXRD)、光致发光仪(PL)、芯片光电测试仪等表征了外延片和芯片的性能,研究了红光和黄绿光AlGaInP四元外延片... 详细信息

利用MOCVD方法,在GaAs衬底上生长了不同DBR结构的红光和黄绿光AlGaInP四元外延片,并通过芯片工艺制成芯片。使用X-射线衍射仪(HRXRD)、光致发光仪(PL)、芯片光电测试仪等表征了外延片和芯片的性能,研究了红光和黄绿光AlGaInP四元外延片的发光强度与DBR结构的关系。结果表明,红光AlGaInP LED芯片的发光强度高于黄绿光,其主要原因是黄绿光有源区的内量子效率低和黄绿光DBR具有较小的反射率,从而导致较低的发光强度。本研究为今后LED全结构的芯片亮度研究打下良好基础。

关键词：金属有机物化学气相沉积铝镓铟磷发光二极管分布式布拉格反射镜发光强度反射率

机动车前照灯检测仪发光强度示值误差测量结果的不确定度评定

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

汽车科技 2020年第6期 23-26页

作者：贾继勇周凌寒廖春虎襄阳达安汽车检测中心有限公司襄阳441004

本文依据JJF 1059.1-2012《测量不确定评定与表示》,详细介绍了不确定度的定义,并运用GUM法作为评定不确定度的基础步骤;不确定度中A类与B类的评定方法,综合标准不确定度与扩展不确定度的评定;综合分析了机动车前照灯检测仪检定中,对比... 详细信息

本文依据JJF 1059.1-2012《测量不确定评定与表示》,详细介绍了不确定度的定义,并运用GUM法作为评定不确定度的基础步骤;不确定度中A类与B类的评定方法,综合标准不确定度与扩展不确定度的评定;综合分析了机动车前照灯检测仪检定中,对比分析各种左右发光强度测量的各种因素,对发光强度的测量结果进行不确定度的评定。

关键词：前照灯检测仪发光强度不确定度评定

GaP发光二极管中深能级对发光强度的影响研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

光学技术 2009年第6期35卷 832-834,839页

作者：崔连森潍坊学院信息与控制工程学院山东潍坊261061

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,研究了GaP发光二极管中Zn-O对深能级,并计算出了其能级的激活能。GaP红色发光二极管经过γ射线长时间辐照后,其Zn-O对的浓度和发光管发光强度发生了变化。结果表明,经γ射线辐照后,GaP红色发光二极管中的Zn-... 详细信息

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,研究了GaP发光二极管中Zn-O对深能级,并计算出了其能级的激活能。GaP红色发光二极管经过γ射线长时间辐照后,其Zn-O对的浓度和发光管发光强度发生了变化。结果表明,经γ射线辐照后,GaP红色发光二极管中的Zn-O对的浓度增大,发光强度增强。它为提高GaP红色发光二极管的发光效率提供了一种新的方法。

关键词：深能级 DLTS 发光强度

高发光强度NaYF4：Yb，Er的合成及性能研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

高发光强度NaYF4：Yb，Er的合成及性能研究

作者：宁燕慧大连理工大学

学位级别：硕士

稀土掺杂上转换发光纳米材料由于其独特的光学性质及优异的物理化学性质使其在很多领域具有重大的应用潜能,但上转换发光纳米材料的低发光效率一直是阻碍其在各领域实现实际应用的主要因素,提高稀土掺杂上转换发光纳米材料的发光效率一... 详细信息

稀土掺杂上转换发光纳米材料由于其独特的光学性质及优异的物理化学性质使其在很多领域具有重大的应用潜能,但上转换发光纳米材料的低发光效率一直是阻碍其在各领域实现实际应用的主要因素,提高稀土掺杂上转换发光纳米材料的发光效率一直是该领域研究者们的研究焦点。另外,随着上转换发光纳米材料在生物、医药及太阳能电池领域的应用研究,具有多功能的上转换发光纳米材料越来越受到关注。本论文的主要研究内容为采取简便有效的方法在合成过程中通过改变配体的选择提高NaYF4:Yb,Er上转换发光纳米材料的发光效率及通过选择不同溶剂组成的方法得到小粒径、亲水的NaYF4:Yb,Er纳米颗粒。水热-溶剂热合成法具有较低的合成温度,对配体应用的限制较弱,故本论文中主要采用水热-溶剂热法合成NaYF4:Yb,Er纳米晶体。在以油酸(OA)为配体时,通过少加或不加NaOH,降低反应液的pH值,NaYF4:Yb,Er的发光强度显著增强,以pH=8.3条件下合成的NaYF4:Yb,Er为参照(常规法合成),当pH值为7.4,6.9和5.9时,NaYF4:Yb,Er在544nm绿光处的发光强度分别增强了32,42和48倍。改变配体中的碳链长度,分别选择丁酸、己酸、癸酸、十四酸为新的配体与常规配体油酸水热-溶剂热法合成NaYF4:Yb,Er纳米晶体,随着单羧酸配体中碳链长度的增长,NaYF4:Yb,Er的发光强度逐渐减弱,与油酸相比,丁酸、己酸、癸酸和十四酸合成的NaYF4:Yb,Er544nm绿光处的发光强度分别增强了25,21,6.6和3倍。以不同碳链长度的配体合成的NaYF4:Yb,Tm发光强度具有相同的规律。以不同官能团个数的配体分别合成NaYF4:Yb,Er纳米晶体。改变配体中的羧酸个数,分别以己酸、己二酸、柠檬酸和乙二胺四乙酸(EDTA)为配体合成NaYF4:Yb,Er,产品的发光强度逐渐减弱,同样以丁胺、二乙烯三胺、三乙烯四胺和四乙烯五胺为配体合成的NaYF4:Yb,Er发光强度逐渐减弱。随着配体中官能团个数的增加,NaYF4:Yb,Er的发光强度逐渐降低。改变反应中的溶剂组成,合成不同粒径和发光强度的NaYF4:Yb,Er纳米晶体,当水与乙醇(乙二醇)的比例为1：3或更小时,能得到小粒径的NaYF4:Yb,Er(粒径小于50nm)。而通过选用水溶性的配体可以合成具有不同程度亲水性的NaYF4:Yb,Er纳米晶体。

关键词：上转换配体发光强度 NaYF4:Yb,Er

稀土掺杂NaYF4纳米晶上转换发光强度的调节

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

稀土掺杂NaYF4纳米晶上转换发光强度的调节

作者：李杰大连理工大学

学位级别：硕士

稀土掺杂上转换发光材料在很多领域有巨大的潜在应用价值,特别是在生物领域、生物医学、光催化、太阳能电池等领域。虽然六方相NaYF4:Yb/Er（Tm）是目前报道的上转换发光效率最高的上转换发光材料之一,但其应用依然受到发光效率低的限... 详细信息

稀土掺杂上转换发光材料在很多领域有巨大的潜在应用价值,特别是在生物领域、生物医学、光催化、太阳能电池等领域。虽然六方相NaYF4:Yb/Er（Tm）是目前报道的上转换发光效率最高的上转换发光材料之一,但其应用依然受到发光效率低的限制。本文的主要研究目的是探索提高NaYF4:Yb/Er（Tm）上转换发光效率的方法。由于Yb3+是上转换发光材料的敏化剂,可以吸收红外光传递给激活剂离子,所以本论文首先考察敏化剂Yb3+掺杂浓度改变对六方相NaYF4:Yb,Er上转换发光强度的影响。上转换发光光谱表明：随着Yb3+掺杂浓度的提高,发光效率逐渐降低。原因是Yb3+掺杂浓度的提高导致Yb3+离子与Er3+离子间的平均距离变短,Yb3+离子与Er3+离子间交叉弛豫的几率增加。在NaYF4:Yb,Er纳米晶体表面包覆SiO2保护层,并在SiO2壳层中掺敏化剂Yb3+离子,研究其包覆条件对上转换发光强度的影响。对于包覆SiO2的厚度,采用改变TEOS加入量和反应时间来调节。实验结果表明：改变TEOS用量不能使NaYF4:Yb,Er的发光强度增强,改变反应时间可提高发光强度。在SiO2壳层中掺Yb3+的方法,由于反应过程使NaYF4:Yb,Er部分生成氟氧化物,会降低亮度,所以可行性较差。考察了在NaYF4:Yb,Er纳米晶表面包覆NaYF4和NaYF4:Yb壳层,并考察投料比对发光强度的影响。实验结果表明：在NaYF4:Yb,Er表面包覆NaYF4和NaYF4:Yb壳层,均可以使发光强度增强。但包覆NaYF4:Yb的效果更好,这是因为NaYF4:Yb不仅降低了NaYF4:Yb,Er的表面缺陷,而且壳层中的Yb3+可吸收980nm的激发光,并将能量传递给NaYF4:Yb,Er核。而包覆NaYF4只能起到减少表面缺陷的作用。同时,首次合成了NaYF4:Yb,Tm（Er）/CdS纳米异质结,和NaYF4:Yb,Tm（Er）/CdSe纳米异质结。研究了CdS和CdSe量子点的引入对NaYF4:Yb,Tm上转换纳米晶体的发光强度的影响。实验结果表明：NaYF4:Yb,Tm/CdS（CdSe）与NaYF4:Yb,Tm相比,475nm处的发射峰几乎消失,而693和802nm处的发射峰强度有显著提高;而NaYF4:Yb,Er/CdS的各个发射峰的发光强度均比NaYF4:Yb,Er低。对于NaYF4:Yb,Tm/CdS（CdSe）在693nm和802nm处的发射峰强度有显著提高的原因,可能是NaYF4:Yb,Tm与CdS之间存在荧光共振能量转移造成的。而NaYF4:Yb,Er/CdS中,由于CdS与Er的能级不匹配,不能发生荧光共振能量转移,使得NaYF4:Yb,Er的发光强度降低。

关键词：上转换量子点纳米异质结发光强度

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

新型湿法氧化对多孔硅发光强度的影响

光电子．激光 2004年第8期15卷 951-954页

作者：蔡贝妮陈松岩曾明刚蔡加法厦门大学物理与机电工程学院厦门361005

在适当条件下氧化多孔硅是提高多孔硅发光强度的良好途径。首次采用含CH3CSNH2的HF酸水溶液作为氧化剂对初始多孔硅进行了湿法阳极氧化,大大改善了多孔硅的发光强度,并研究了氧化电流密度、氧化温度、氧化时间等一系列因素对氧化多孔硅... 详细信息

在适当条件下氧化多孔硅是提高多孔硅发光强度的良好途径。首次采用含CH3CSNH2的HF酸水溶液作为氧化剂对初始多孔硅进行了湿法阳极氧化,大大改善了多孔硅的发光强度,并研究了氧化电流密度、氧化温度、氧化时间等一系列因素对氧化多孔硅光致发光强度的影响。实验发现,在电流密度1mA/cm2,氧化液温度60℃,氧化时间为10min的条件下,可以获得最强光致发光;在此最优条件下得到的氧化样品较初始样品发光增强了18倍。

关键词：氧化多孔硅发光强度光致发光氧化电流密度 HF 增强阳极氧化水溶液条件发现

PbF_2:Gd晶体的发光强度与发光均匀性研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

无机材料学报 2001年第1期16卷 49-55页

作者：任国浩沈定中王绍华刘光煜倪海洪殷之文中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050

以Ｘ射线荧光光谱分析为手段，测试了用Ｂｒｉｄｇｍａｎ方法生长的ＰｂＦ２：Ｇｄ晶体中Ｇｄ离子沿生长方向的分布．发现该晶体在Ｘ射线激发下的发光强度与Ｇｄ在ＰｂＦ２晶体中的含量变化均从结晶开始端至结晶结束端逐渐降低，表明Ｐ... 详细信息

以Ｘ射线荧光光谱分析为手段，测试了用Ｂｒｉｄｇｍａｎ方法生长的ＰｂＦ２：Ｇｄ晶体中Ｇｄ离子沿生长方向的分布．发现该晶体在Ｘ射线激发下的发光强度与Ｇｄ在ＰｂＦ２晶体中的含量变化均从结晶开始端至结晶结束端逐渐降低，表明ＰｂＦ２：Ｇｄ晶体的发光是不均匀的，这种不均匀性源于Ｇｄ离子在ＰｂＦ２晶体中的分布不均匀性．通过在ＰｂＦ２：Ｇｄ晶体中掺入一定量的碱金属离子，可以比较有效地改善Ｇｄ离子在ＰｂＦ２晶体中的不均匀分布，使晶体的发光均匀性和透光率得到明显提高，其中以Ｎａ离子的均匀化效果为最好．推测Ｎａ离子的作用是消除了ＰｂＦ２：Ｇｄ晶体中因Ｇｄ离子的掺杂而造成的间隙Ｆ离子，从而使晶体中的缺陷浓度大大降低．

关键词： PBF2晶体发光强度发光均匀性钆离子氟化铅