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发光学报 1995年第3期16卷 199-204页

作者：陈立春王向军徐叙瑢姚健铨天津大学精密仪器系博士后流动站天津理工学院材料物理研究所

在发光层中插入无发光中心的ＺｎＳ薄膜，研究了新结构器件发光层中发光中心周围的广的分布与发光中心在薄膜中位置的关系，确定在ＳｉＯ２／ＺｎＳ：Ｔｂ界面附近区域的发光中心周围有较多的Ｆ，远离该界面区域的发光中心周围的Ｆ－离... 详细信息

在发光层中插入无发光中心的ＺｎＳ薄膜，研究了新结构器件发光层中发光中心周围的广的分布与发光中心在薄膜中位置的关系，确定在ＳｉＯ２／ＺｎＳ：Ｔｂ界面附近区域的发光中心周围有较多的Ｆ，远离该界面区域的发光中心周围的Ｆ－离子较少，前一区域的发光中心的发光亮度较低，后一区域的发光中心的发光亮度较高，并拟合出前一区域的厚度为１８ｎｍ．

关键词：发光区域薄膜电致发光硫化锌薄膜

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GaP:N液相外延材料发光区域的荧光测量

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光学学报 2000年第5期20卷 707-710页

作者：陈显锋丁祖昌董绵豫浙江大学物理系杭州310027

通过磨斜角 ,用光致发光法测量了 Ga P:N液相外延 (L PE)材料中 n区和 p区的发光强度。从被测点的荧光谱中可以看出 ,n区和 p区均为发光区域 ,但是在 p- n结两侧氮 (N)浓度大致相同的情况下 ,p区的发光强度明显高于 n区的发光强度 ,约... 详细信息

通过磨斜角 ,用光致发光法测量了 Ga P:N液相外延 (L PE)材料中 n区和 p区的发光强度。从被测点的荧光谱中可以看出 ,n区和 p区均为发光区域 ,但是在 p- n结两侧氮 (N)浓度大致相同的情况下 ,p区的发光强度明显高于 n区的发光强度 ,约为 n区发光强度的 3～ 5倍。此实验结果表明 ,在 p、n结附近杂质浓度较低情况下 ,Ga P:N绿色发光外延材料中的发光区域主要是在 p区。

关键词：液相外延材料掺氮磷化镓荧光测量发光区域

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Alq_3发光层厚度对有机电致发光器件性能的影响

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光谱学与光谱分析 2010年第10期30卷 2616-2619页

作者：连加荣廖巧生杨瑞博郑伟曾鹏举深圳大学光电子器件与系统教育部重点实验室广东深圳518060

文章以MoO3为空穴注入层,NPB为空穴传输层,改变发光/电子传输层Alq3的厚度,考察了器件电学和光学性能的变化。结果表明,随着Alq3层增加厚度,器件的电流逐步减小,由此获得Alq3薄膜的电场分布情况;器件发光光谱有少量红移,但长波端明显展... 详细信息

文章以MoO3为空穴注入层,NPB为空穴传输层,改变发光/电子传输层Alq3的厚度,考察了器件电学和光学性能的变化。结果表明,随着Alq3层增加厚度,器件的电流逐步减小,由此获得Alq3薄膜的电场分布情况;器件发光光谱有少量红移,但长波端明显展宽,短波端强度下降。该文拟合了器件电致发光谱,与实验曲线吻合较好。同时拟合结果也表明,干涉效应主要影响光谱在长波端的强度分布,发光区域分布决定光谱在短波端的强度分布。

关键词：有机发光二极管发光层厚度电致发光光谱干涉效应发光区域

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含空穴传输和电子注入基的发光化合物的制备

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有机化学 2003年第Z1期23卷 203-204页

作者：冯丽恒别红彦张彩红陈兆斌山西大学化学化工学院太原030006 山西大学化学化工学院太原030006 山西大学化学化工学院太原030006 山西大学化学化工学院太原030006

　　对电致发光材料及器件(ELDs)发光性能的优化,一个重要的途径是在材料的组合中,要既具有空穴传输功能团,又具有电子注入功能团,并使两者的传输效率应尽量达到一个恰当的平衡,提高载流子传输中空穴与电子的复合几率,降低驱动电压,提... 详细信息

　　对电致发光材料及器件(ELDs)发光性能的优化,一个重要的途径是在材料的组合中,要既具有空穴传输功能团,又具有电子注入功能团,并使两者的传输效率应尽量达到一个恰当的平衡,提高载流子传输中空穴与电子的复合几率,降低驱动电压,提高激子的发生几率,并对发光材料的发光区域进行控制[1].为此,在电致发光材料的分子设计及合成上,常需提供分子中含有空穴传输功能基团和分子中含有电子注入功能基团的有机分子,作为构筑电致发光器件的材料化合物,或将这两种功能团纳入到一个有机分子或高分子中.……