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d-波超导体的反铁磁序

新技术新工艺 2010年第1期 87-89页

作者：刘芬芬张勇张立春海军航空工程学院理化实验中心山东烟台264001

在二维空穴掺杂t-t′-J-U模型和重整化平均场理论的框架下,用Gutzwiller平均场近似方法研究了电子次近邻跃迁(t′)对空穴掺杂超导体的反铁磁序的影响。在掺杂浓度δ小于0.1的欠掺杂区存在反铁磁序,t′的引入使反铁磁序能在更大的掺杂浓... 详细信息

在二维空穴掺杂t-t′-J-U模型和重整化平均场理论的框架下,用Gutzwiller平均场近似方法研究了电子次近邻跃迁(t′)对空穴掺杂超导体的反铁磁序的影响。在掺杂浓度δ小于0.1的欠掺杂区存在反铁磁序,t′的引入使反铁磁序能在更大的掺杂浓度区存在,而且随着次近邻跃迁的增大,反铁磁序明显增强。

关键词： d-波超导体电子次近邻跃迁反铁磁序

铁基化合物SrFeAsF以及Co掺杂超导体SrFe_(0.875)Co_(0.125)AsF的电子结构和磁性

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物理学报 2010年第6期59卷 4245-4252页

作者：刘甦李斌王玮汪军刘楣东南大学物理系南京211198

采用基于密度泛函理论的全势线性缀加平面波方法,计算了SrFeAsF和Co掺杂超导体SrFe0.875Co0.125AsF的电子能带结构和磁性.结果表明,SrFeAsF的基态构型为条状反铁磁结构,而SrFe0.875Co0.125AsF的条状反铁磁构型与棋盘形能量相差非常小,... 详细信息

采用基于密度泛函理论的全势线性缀加平面波方法,计算了SrFeAsF和Co掺杂超导体SrFe0.875Co0.125AsF的电子能带结构和磁性.结果表明,SrFeAsF的基态构型为条状反铁磁结构,而SrFe0.875Co0.125AsF的条状反铁磁构型与棋盘形能量相差非常小,体系处于两种构型转变的临界值附近.由电子能带结构计算表明,Co掺杂引起FeAs杂化能带增宽,增强了d电子的平面巡游性,同时掺杂后费米能级处在范霍夫奇异峰上,有利于破坏条状反铁磁序和形成超导电性.这些结果说明Co掺杂超导体SrFe0.875Co0.125AsF表现出由反铁磁涨落引起的超导电性.

关键词：铁基超导体反铁磁序掺杂交换相互作用

第一性原理研究Sr(Fe_(1-x)Pt_(x))_(2)AS_(2)中的反铁磁抑制与共存

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汕头大学学报(自然科学版) 2023年第4期38卷 64-69,80页

作者：李力王红丽王伟芳樊丽丽王金环陈立宇郝璞玉贾东芳唐山师范学院数学与计算科学学院河北唐山063000

为了研究Sr(Fe_(1-x)Pt_(x))_(2)AS_(2)(x=0,0.125)的电子结构和磁学性质,借助第一性原理研究了0K时不同磁序中的体系能量和海森堡模型,计算表明共线反铁磁序是母体化合物的基态.对Fe磁矩和耦合常数的变化分析表明,Pt掺杂可以抑制SrFe_(... 详细信息

为了研究Sr(Fe_(1-x)Pt_(x))_(2)AS_(2)(x=0,0.125)的电子结构和磁学性质,借助第一性原理研究了0K时不同磁序中的体系能量和海森堡模型,计算表明共线反铁磁序是母体化合物的基态.对Fe磁矩和耦合常数的变化分析表明,Pt掺杂可以抑制SrFe_(2)AS_(2)中反铁磁序.Pt掺杂使布里渊区中心处(x=0)的空穴费米面嵌套演变成为电子费米面(x=0.125)的拓扑结构.态密度分析表明,Fe3d电子的巡游性增强.在x=0.125的超导化合物中,耦合常数分析表明共线反铁磁序仍然存在。

关键词：第一性原理铁基超导体反铁磁序海森堡模型

Mg掺杂对二维自旋系统Cu_(3)B_(2)O_(6)磁化率的研究

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苏州科技大学学报（自然科学版） 2022年第3期39卷 32-36页

作者：何顺苏州科技大学物理科学与技术学院江苏苏州215009 江苏省微纳热流技术与能源应用重点实验室江苏苏州215009

人工合成了((Cu_(1-x)Mg_(x))_(3)B_(2)O_(6)样品,并且用浮区法生长单晶。掺杂浓度x选择为0、0.01、0.02和0.04。为了研究系统Cu_(3)B_(2)O_(6)的基态,测试了0.5 T磁场下材料((Cu_(1-x)Mg_(x))_(3)B_(2)O_(6)的磁化率。实验结果表明:随... 详细信息

关键词： Cu_(3)B_(2)O_(6) 单晶磁化率反铁磁序 Mg掺杂

反钙钛矿结构化合物Ga_(1-x)N_(0.8)Mn_(3+x)(0

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中国材料进展 2015年第7期34卷 526-530页

作者：郭新格林建超童鹏孙玉平中国科学院合肥物质科学研究院固体物理所材料物理重点实验室安徽合肥230031 中国科学技术大学安徽合肥230026 中国科学院强磁场科学中心安徽合肥230031

“热胀冷缩”会导致材料晶界、空位等缺陷部位应力集中，进而引发热疲劳或者机械疲劳，致使材料的安全性能下降，使用寿命缩短。近年来，反钙钛矿结构锰氮化物由于具有类似立方钙钛矿结构锰氧化物的晶体结构，而具有负热膨胀效应（NTE... 详细信息

“热胀冷缩”会导致材料晶界、空位等缺陷部位应力集中，进而引发热疲劳或者机械疲劳，致使材料的安全性能下降，使用寿命缩短。近年来，反钙钛矿结构锰氮化物由于具有类似立方钙钛矿结构锰氧化物的晶体结构，而具有负热膨胀效应（NTE），同时具有良好的导热、导电等物理性能而获得了广泛关注。作者课题组利用传统的固相反应法制备出系列反钙钛矿结构化合物Ga1-xN0.8Mn3＋x（0〈x≤0．3），并对其热膨胀性能及电输运性质展开研究。研究结果发现，随着Mn原子对Ga原子替换量（x）的增加，Ga1-xN08Mn3＋。中磁体积效应（MVE）的温区被展宽且向低温区移动，呈现负热膨胀行为。其中，x=0．2和0．25样品的负热膨胀效应的温度范围分别是294—339K和255～309K，对应线膨胀系数分别为-51ppm／K和-42ppm／K。与之相对应，电阻率也在对应温区出现反常行为。作者课题组认为Mn替代Ga对（111）面内Г5g反铁磁序的扰动可能是导致MVE效应展宽为NTE效应的主要因素。

关键词：负热膨胀反钙钛矿结构反铁磁序

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LiFeAs超导体中磁性与声子软化

物理学报 2011年第7期60卷 686-691页

作者：李斌邢钟文刘楣东南大学物理系南京211189 南京大学材料科学与工程系南京210093

运用第一性原理密度泛函理论研究了铁基超导体LiFeAs的电子结构和声子谱.计算得到的LiFeAs基态具有涨落的条型反铁磁构型.通过比较LiFeAs在非磁态与条形反铁磁态下的声子态密度,发现,LiFeAs中各向异性自旋互作用的竞争产生了不稳定的自... 详细信息

运用第一性原理密度泛函理论研究了铁基超导体LiFeAs的电子结构和声子谱.计算得到的LiFeAs基态具有涨落的条型反铁磁构型.通过比较LiFeAs在非磁态与条形反铁磁态下的声子态密度,发现,LiFeAs中各向异性自旋互作用的竞争产生了不稳定的自旋密度波和部分晶格位置弛豫,导致Fe和As原子振动模式的软化,从而提高电声子耦合强度.因此,自旋-声子互作用对非常规超导电性有重要贡献.

关键词：铁基超导体反铁磁序超导电性电声子耦合

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ZnO基稀磁半导体材料研究进展

材料导报 2007年第12期21卷 106-109页

作者：周勋沈益斌段满益徐明令狐荣锋贵州大学电信学院贵阳550025 贵州师范大学理学院贵阳550001 四川师范大学物理与电子工程学院&固体物理研究所成都610068

随着铁磁性半导体(如Mn掺杂InAs和GaAs)的发现,稀磁半导体(DMS)近来吸引了众多研究者的目光。传统半导体不具有磁性,而稀磁半导体可以在不改变传统半导体其它性质的情况下引入磁性,具有良好的物理化学性能。从实验和理论计算两个方面总... 详细信息

随着铁磁性半导体(如Mn掺杂InAs和GaAs)的发现,稀磁半导体(DMS)近来吸引了众多研究者的目光。传统半导体不具有磁性,而稀磁半导体可以在不改变传统半导体其它性质的情况下引入磁性,具有良好的物理化学性能。从实验和理论计算两个方面总结了ZnO基DMS的国内外研究现状,讨论了各种生长方法、基底选择、生长温度对材料磁性的影响,总结了如何通过改变实验条件来增大饱和磁化强度及提高Curie温度。

关键词： ZnO 稀磁半导体铁磁序反铁磁序电子结构

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Slater绝缘体的磁性和能带计算研究

低温物理学报 2019年第1期41卷 62-68页

作者：缪子隆提磊宋紫菀李斌赵志刚施智祥南京邮电大学电子与光学工程学院南京邮电大学理学院江苏省新能源技术工程实验室南京农业大学工学院东南大学物理学院

Slater相变是一种由于反铁磁序形成而导致的金属—绝缘体相变.本文采用第一性原理密度泛函计算方法研究了两种Slater绝缘体材料NaOsO3和Cd2Os2O7的电子结构,进而研究了反铁磁序排列、自旋轨道耦合和电子关联对其电子结构以及相变性质的... 详细信息

Slater相变是一种由于反铁磁序形成而导致的金属—绝缘体相变.本文采用第一性原理密度泛函计算方法研究了两种Slater绝缘体材料NaOsO3和Cd2Os2O7的电子结构,进而研究了反铁磁序排列、自旋轨道耦合和电子关联对其电子结构以及相变性质的影响.研究结果表明,非磁相的NaOsO3具有金属性;而G型线性反铁磁结构是驱动NaOsO3发生Slater相变的磁基态.此外,研究结果表明,非磁相的焦绿石Cd2Os2O7的能带结构在费米能级处是连续的,表现为金属性;并且带有磁阻挫的Cd2Os2O7发生Slater相变的条件十分苛刻,只有在自旋轨道耦合和1.8 eV电子关联的共同作用下一种全进—全出非线性反铁磁结构才能使其发生Slater相变.说明全进—全出非线性反铁磁结构是使Cd2Os2O7发生Slater相变的磁基态,而自旋轨道耦合和1.8 eV的电子关联在消除磁阻挫上起到了关键作用.

关键词：能带结构反铁磁序第一性原理计算

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Gossamer超导体基态相图的研究

Gossamer超导体基态相图的研究

作者：刘芬芬青岛大学

学位级别：硕士

本文在t-J-U模型和Gutzwiller平均场理论的框架下,对铜氧化物高温超导材料基态相图以及电子的次近邻跃迁对相图的影响进行了较为系统的研究。第一章简单介绍了可以描述CuO平面内基本的低能物理过程的t-J-U模型,并介绍了目前国际上公认... 详细信息

本文在t-J-U模型和Gutzwiller平均场理论的框架下,对铜氧化物高温超导材料基态相图以及电子的次近邻跃迁对相图的影响进行了较为系统的研究。第一章简单介绍了可以描述CuO平面内基本的低能物理过程的t-J-U模型,并介绍了目前国际上公认的可以较好的处理电子之间强相互作用的Gutzwiller平均场近似。应用Gutzwiller平均场理论,第二章系统地讨论了铜氧化物高温超导材料基态时的相图:首先从t-J-U模型出发系统地研究了gossamer超导体中d波超导和反铁磁的相互作用。得到了基态情况下铜氧化物高温超导材料的相图。在标准参数t/J=3和大U极限下,欠掺杂区域内反铁磁序和d波超导序共存直到掺杂浓度0.1附近。随着掺杂浓度的增大,d波超导序参数从0开始增加,在最佳掺杂浓度0.15附近达到一个最大值。在小U的极限下,只有d波超导序存在,而反铁磁序消失。当U增大到一定临界值,反铁磁序出现并在欠掺杂区域和d波超导序共存。在半满的情况下,我们研究的系统在U较小时为gossamer超导,在大U情况为反铁磁绝缘体。第三章讨论了电子次近邻跃迁对基态相图的影响。结果发现,在目前的理论框架下t-t′-J-U模型的基态物理性质和与t-J-U模型的性质定性一样,但是随着电子次近邻跃迁的增大,超导序参数在欠掺杂区域受到抑制,在最佳掺杂和过掺杂区域得到加强,从而导致反铁磁序和d波超导序共存区域变大,d波超导序在很大的掺杂浓度范围内一直存在,这和相关数值模拟结果定性相符。

关键词： gossamer超导体 Gutzwiller平均场近似 d波超导序反铁磁序