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学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 1 篇 亚阈值
  • 1 篇 反窄沟效应
  • 1 篇 静态随机存储器
  • 1 篇 反短沟效应
  • 1 篇 尺寸设计

机构

  • 1 篇 中国科学院微电子...

作者

  • 1 篇 蔡江铮
  • 1 篇 袁甲
  • 1 篇 黑勇
  • 1 篇 陈黎明

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=反窄沟效应"
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应用反短/窄沟效应优化亚阈值SRAM单元
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哈尔滨工业大学学报 2017年 第4期49卷 61-65页
作者： 蔡江铮 袁甲 陈黎明 黑勇 中国科学院微电子研究所智能感知中心 北京100029
为缓解传统存储器单元尺寸设计方法在亚阈值区引入的面积和外围电路开销问题,采用晶体管的反短沟效应和反窄沟效应改进传统方法,不仅解决了亚阈值电压下单元面积和外围辅助电路开销过大的问题,还进一步提升了单元的噪声容限和读写速度.... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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