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反激电源两种设计方法的对比与分析

通信电源技术 2019年第7期36卷 28-30页

作者：林为邓胜钊佛山职业技术学院广东佛山528137 佛山市华堡电源设备有限公司广东佛山528000

针对一款采用反激电源拓扑的40 V/350 mA LED模组驱动电路,运用两种设计方法进行变压器和开关管设计,得到相应的设计参数。对两种设计方法和结果进行分析对比,指出一个比较实用的设计思路和流程。

关键词：反激电源设计方法反射电压占空比

宇航用反激电源通过控制变压器漏感提高抗辐射能力研究

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空间电子技术 2019年第4期16卷 50-55页

作者：王鲁孙学君张娟曹宵薛珒珒曹鹏辉西安微电子技术研究所

宇宙中辐射粒子的遂穿效应会造成反激电源中输出整流二极管反向击穿电压降低,若降低到低于反向尖峰电压,则会击穿二极管,导致电源损毁。因此,通过降低整流二极管反向尖峰电压,可提高宇航用电源的抗辐射能力。通过理论分析和Saber软件仿... 详细信息

宇宙中辐射粒子的遂穿效应会造成反激电源中输出整流二极管反向击穿电压降低,若降低到低于反向尖峰电压,则会击穿二极管,导致电源损毁。因此,通过降低整流二极管反向尖峰电压,可提高宇航用电源的抗辐射能力。通过理论分析和Saber软件仿真分析,验证了变压器漏感是整流二极管反向尖峰电压产生的主要因素之一。采用不同的变压器绕制方法来减小漏感,可使整流二极管的反向尖峰电压得到有效抑制,可靠性得到大幅提高,并成功应用于宇航反激电源的设计。

关键词：反激电源整流二极管漏感 Saber仿真反向尖峰电压高可靠性

考虑近场耦合的反激电源输入线近场耦合优化设计

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磁性元件与电源 2022年第12期 154-158,162页

作者：李健陈庆彬福州大学福州350108

本文实验考察了一台反激变换器在DCM模式下近场磁耦合现象,细致分析了变压器、主电路PCB走线与电源输入线间的近场磁耦合效应,用实际测量的方式测量得到耦合参数。在此基础上建立包含磁场耦合的传导干扰电路模型,并用Saber搭建样机的系... 详细信息

本文实验考察了一台反激变换器在DCM模式下近场磁耦合现象,细致分析了变压器、主电路PCB走线与电源输入线间的近场磁耦合效应,用实际测量的方式测量得到耦合参数。在此基础上建立包含磁场耦合的传导干扰电路模型,并用Saber搭建样机的系统级EMI仿真电路验证近场磁耦合效应的影响。比较电源输入线形状结构对近场磁耦合效应的影响并提出了一种减小近场耦合的电源输入线结构。

关键词：近场耦合反激变换器传导干扰反激电源磁场耦合电路模型电源输入磁耦合

基于CoolSET-F3的反激电源的分析和设计

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通信电源技术 2010年第1期27卷 7-10页

作者：王璐龚春英南京航空航天大学江苏南京210016

文章从电路结构、芯片功能等方面对新型电源控制芯片CoolSET与常用芯片UC3842和NCP1207进行了比较,CoolSET-F3系列芯片将PWM发生器、短路保护、前沿消隐等多种功能集成于芯片内部,电路结构更简单,功能更完备。文中采用CoolSET芯片设计... 详细信息

文章从电路结构、芯片功能等方面对新型电源控制芯片CoolSET与常用芯片UC3842和NCP1207进行了比较,CoolSET-F3系列芯片将PWM发生器、短路保护、前沿消隐等多种功能集成于芯片内部,电路结构更简单,功能更完备。文中采用CoolSET芯片设计并试验了市电输入、六路输出的反激电源。试验结果表明,采用CoolSET芯片提高了变换器的效率,适应于微型开关电源的研究。

关键词： CoolSET-F3 反激电源低待机损耗高集成度

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对反激电源吸收电路设计方法的讨论与思考

通信电源技术 2021年第11期38卷 29-31页

作者：林为胡昌吉冯泽君李姗郑亚佛山职业技术学院广东佛山528137

反激电路广泛用于专业开关电源以及电气系统的辅助电源,吸收电路则是反激电源的一种常见辅助电路。简述RCD吸收电路的两种分析方法,并分析和讨论了两者的区别及存在歧义的问题,最后阐述一种实践中常用的设计方法。

关键词：反激电源吸收电路设计讨论

基于L6562D单级PFC反激电源设计的理论分析

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通信电源技术 2017年第5期34卷 76-77页

作者：吴其志章闻天汪彪董建国赛尔富电子有限公司浙江宁波315103

文章简单介绍了PFC的一些基本原理,分析了经典PFC芯片L6562D的工作原理。通过公式推导阐述了单级PFC反激电源的一些内在关系,为单级PFC反激电源设计提供理论基础。

关键词：单级 PFC 反激电源

Power Integration LinkSwitch-TNZ 10W隔离反激电源参考设计DER-879

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世界电子元器件 2021年第7期 42-43页

Power Integration公司的LinkSwitch-TNZ系列组合了功率转换和无损耗AC零交叉信号,用于系统时钟和计时功能.采用高度集成的LinkSwitch-TNZ系列比分立器件实现更加灵活,节省元件数量40%或更多.每个器件集成了725V功率MOSFET,振荡器,用于... 详细信息

Power Integration公司的LinkSwitch-TNZ系列组合了功率转换和无损耗AC零交叉信号,用于系统时钟和计时功能.采用高度集成的LinkSwitch-TNZ系列比分立器件实现更加灵活,节省元件数量40%或更多.每个器件集成了725V功率MOSFET,振荡器,用于自偏压的高昂压电流源,频率抖动,快速(逐个周期)电流限制,滞后的热关断,输出和输入过压保护电路.LinkSwitch-TNZ集成电路待机时的功耗小于100mA,能满足世界各地无负载和待机调节要求.MOSFET限流模式可通过BYPASS引脚电容数值来选择.大电流限制提供最大限度连续输出电流而采用非常低成本和小面积表面贴装电感.器件具有全套保护特性.

关键词：反激电源 DER-879 Power Integration LinkSwitch-TNZ 10W 参考设计

基于NCP1200A的反激电源的分析和设计

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电源技术应用 2006年第5期9卷 21-24页

作者：宋延涛杨水涛赵慧杰浙江大学电气工程学院浙江杭州310027

NCP1200A是新型低功耗离线式电源控制芯片,将时钟发生器、短路保护、前沿消隐等多种功能集成于芯片内部,大大简化了电源设计。介绍并分析了芯片和它的两个重要特性——动态自供电和跳周期模式,并采用该芯片设计了高输入电压微功率反激... 详细信息

NCP1200A是新型低功耗离线式电源控制芯片,将时钟发生器、短路保护、前沿消隐等多种功能集成于芯片内部,大大简化了电源设计。介绍并分析了芯片和它的两个重要特性——动态自供电和跳周期模式,并采用该芯片设计了高输入电压微功率反激电源。

关键词： NCP1200A 反激电源跳周期模式

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基于GaN-HEMT器件反激电源的设计

电子世界 2020年第13期 124-125页

作者：冯立康黄山市七七七电子有限公司

氮化镓器件(Gallium nitride)具有开关速度高、通态内阻低、体内无寄生二极管等优点;反激电源由于拓扑结构简单、副边无储能电感,体积小、成本低等优点在小功率电路中应用非常广泛,将二者结合起来能够更进一步提高反激电源的转换效率。... 详细信息

氮化镓器件(Gallium nitride)具有开关速度高、通态内阻低、体内无寄生二极管等优点;反激电源由于拓扑结构简单、副边无储能电感,体积小、成本低等优点在小功率电路中应用非常广泛,将二者结合起来能够更进一步提高反激电源的转换效率。采用内部集成GaN功率开关管的反激电源控制芯片设计并制作一款功率为40W、输入85VAC-265VAC、输出3-20V可调、电流最大5A的反激电源。在不同输入电压和负载条件下对电源样机转换效率以及负载动态特性进行测试,并且与集成芯片官网提供的数据进行比对,实验结果证明了电源样机方案的正确性。

关键词：拓扑结构功率开关管转换效率开关速度反激电源功率电路负载条件集成芯片