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  • 1 篇 电子结构
  • 1 篇 β—fesi2薄膜
  • 1 篇 β-fesi2
  • 1 篇 薄膜
  • 1 篇 ba5si3薄膜
  • 1 篇 离子束溅射沉积
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  • 1 篇 结构

机构

  • 2 篇 燕山大学
  • 1 篇 中国科学院上海冶...
  • 1 篇 中国电子科技集团...
  • 1 篇 贵阳学院
  • 1 篇 贵州大学

作者

  • 1 篇 杨子义
  • 1 篇 李强
  • 1 篇 倪如山
  • 1 篇 刘明霞
  • 1 篇 林成鲁
  • 1 篇 王海燕
  • 1 篇 沈勤我
  • 1 篇 王连卫
  • 1 篇 徐虎

语言

  • 4 篇 中文
检索条件"主题词=反应沉积外延"
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反应沉积外延制备Ba_5Si_3及其电子结构研究
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贵阳学院学报（自然科学版） 2015年 第1期10卷 27-30页
作者： 杨子义 徐虎 贵阳学院电子与通信工程学院 贵州贵阳550005 贵州大学新型光电子材料与技术研究所 贵州贵阳550025
采用反应沉积外延法在723K的Si(111)衬底上共沉积了的Ba/Si混合膜,通过时间控制得到不同厚度的混合膜,然后真空退火处理。X射线衍射表明在真空中1073K退火12小时后出现了单一的Ba5Si3薄膜。采用第一性原理对Ba5Si3的能带结构进行了计算... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
β－FeSi_2薄膜的反应沉积外延膜的剖面结构分析
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电子显微学报 1996年 第6期15卷 488-488页
作者： 倪如山 王连卫 沈勤我 林成鲁 中国科学院上海冶金研究所
β－ＦｅＳｉ２薄膜的反应沉积外延膜的剖面结构分析倪如山王连卫沈勤我林成鲁（中国科学院上海冶金研究所，上海２０００５０）由于β－ＦｅＳｉ２具有Ｅｇ＝０．８５０．８７ｅＶ的直接带隙，并能在硅表面外延，被认为是一种潜在的光... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
Si(111)衬底上离子束溅射沉积法生长β-FeSi_2薄膜的研究
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引用
功能材料 2006年 第11期37卷 1762-1764页
作者： 李强 王海燕 中国电子科技集团公司第二十七研究所 河南郑州450005 燕山大学环境与化学工程学院 河北秦皇岛066004
采用离子束溅射Fe靶的方法在500～800℃的Si(111)衬底上制备出不同种类的铁硅化合物。当衬底温度为700℃时得到厚度为500nm的单相的β-FeSi_2薄膜,高分辨透射电镜证实该β-FeSi_2薄膜为局部外延,薄膜和Si衬底之间界面明显,没有中间层。
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
β-FeSi2薄膜的制备及Fe/Si多层膜的结构与互扩散研究
β-FeSi2薄膜的制备及Fe/Si多层膜的结构与互扩散研究
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引用
作者： 刘明霞 燕山大学
学位级别：硕士
本文采用 X 射线衍射分析(XRD)结合原子力显微分析(AFM)及高分辨电子显微分析方法(HRTEM),研究了 β-FeSi 薄膜的形成和生长以及 Fe/Si 多层膜的结构与互扩散。 采用离子束溅射 Fe 靶的方法在 973 K 的 Si(111)衬底上得到厚度为 500 nm... 详细信息
来源： 同方学位论文库 同方学位论文库 评论
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