检索结果-南通市图书馆

一种用于ADC模拟集成电路设计和分析的MOS晶体管模型

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计算机工程与科学 2006年第8期28卷 105-107页

作者：殷湛郭立杨吉庆中国科学技术大学电子科学与技术系安徽合肥230026

本文提出了一个适合模拟集成电路设计和分析的金属氧化物场效应晶体管模型。它以晶体管反型系数if为基础,表达式具有简洁的形式和良好的精度,并通过一个ADC电路中经常出现的简单共源极放大器的设计过程和仿真结果的对比分析,解释说明这... 详细信息

本文提出了一个适合模拟集成电路设计和分析的金属氧化物场效应晶体管模型。它以晶体管反型系数if为基础,表达式具有简洁的形式和良好的精度,并通过一个ADC电路中经常出现的简单共源极放大器的设计过程和仿真结果的对比分析,解释说明这个模型的具体应用。

关键词：金属氧化物场效应晶体管跨导反型系数模数转换器

面向超低电压射频低噪声设计的MOSFET表征方法

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面向超低电压射频低噪声设计的MOSFET表征方法

作者：刘人豪西南科技大学

学位级别：硕士

MOSFET高频噪声的建模是其在无线通信中应用的基础。面向低功耗、混合信号及高频应用的短沟道COMS技术,其最佳的高频特性已从低中反型区转移至弱反型区。器件的噪声特性相比于长沟道器件也发生了显著的变化,噪声模型的表征也更加复杂。... 详细信息

MOSFET高频噪声的建模是其在无线通信中应用的基础。面向低功耗、混合信号及高频应用的短沟道COMS技术,其最佳的高频特性已从低中反型区转移至弱反型区。器件的噪声特性相比于长沟道器件也发生了显著的变化,噪声模型的表征也更加复杂。目前,纳米MOSFET的噪声建模主要是基于器件的四噪声参数和散射参数测量,通过双端口噪声网络分析,提取器件的双端口等效噪声电流模型的原始数据,结合器件的小信号等效噪声电路分析,建立器件等效噪声电流源的数学物理模型。器件噪声数学物理建模的精度取决于对器件工艺特性的认识深度和测量系统的精度。精确的短沟道MOSFET噪声物理模型的数学表征非常复杂。为了使现有的短沟道MOSFET高频噪声数学物理模型可用于工程设计,本文研究了其简洁模型的表达形式,并进行了应用实验验证。本文工作包括以下三个方面:首先,明确了40纳米MOSFET的双端口等效噪声电流高频物理模型及其原始数据,确定了其小信号等效噪声电路的元件参数及其四噪声参数的原始数据,通过基于MATLAB的物理模型计算仿真与原始数据的对比,验证了本文所明确的高频噪声物理模型的有效性和准确性。其次,为了使复杂的纳米MOSFET高频噪声物理模型可用于工程设计,本文研究了其简洁模型的表达形式。通过器件的双端口相关噪声矩阵变换和分析,实现了复杂的噪声物理模型的简化。所提出的简洁模型不仅高精度地表征了器件的非准静态效应,并且可通过Verilog-A语言以四结点的形式,直接嵌入到ADS仿真设计工具,从而在保证精度的同时,大大降低了设计的复杂度。实验结果验证了所建简洁模型在强反型区和弱反型区均有较高的精度,比传统模型具有更高的准确性。最后,基于超低电压射频低噪声设计集中在MOSFET的弱、中反型区的工程实际,提出了基于反型系数(IC)的表征方式,并以具有偏置依赖性的元件参数举例,证明了该种表征方式在表征弱反型区时,具有更清晰更容易辨识MOSFET工作在超低电压时的特性。并且通过转换回V的表征方式,与原始数据进行对比,说明了该表征方法的可逆性与有效性。在工程设计中可以通过反型系数表征的MOSFET特性曲线选取最佳工作点,以此间接地选取物理偏置电压值,然后利用本文所建立的简洁模型进行仿真,这样可以使得设计更为准确和有效。

关键词：纳米MOSFET 简洁模型四噪声参数 Verilog-A语言反型系数

超深亚微米工艺下模拟IC仿真的MOSFET模型

同方学位论文库评论

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微纳电子技术 2006年第4期43卷 203-208页

作者：段成华柳美莲中国科学院研究生院系统集成中心中国科学院研究生院电子学研究所北京100049

对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,分析了在模拟集成电路低功耗设计中比较流行的模型(BSIM3和EKV模型),对它们进行了比较,分析其各自的优点和缺点。结果表明获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的... 详细信息

对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,分析了在模拟集成电路低功耗设计中比较流行的模型(BSIM3和EKV模型),对它们进行了比较,分析其各自的优点和缺点。结果表明获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的,而EKV模型在模拟集成电路的低功耗设计中具有一定的优势。

关键词：模拟IC MOSFET建模 BSIM3模型 EKV模型反型系数短沟道效应中间反型区

基于gm/ID的CMOS模拟集成电路设计方法及应用

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微型机与应用 2014年第21期33卷 25-28页

作者：石江华韩志刚徐鹏程同济大学电子与信息工程学院上海201804

介绍一种基于gm/ID参数特性的模拟电路优化设计方法,并以CMOS两级运算放大器的设计为例具体阐述该方法的基本设计步骤和与传统设计方法相比的优势。该方法以晶体管的跨导和漏电流的比值gm/ID与反型系数IC的特性曲线作为设计参量来对电... 详细信息

介绍一种基于gm/ID参数特性的模拟电路优化设计方法,并以CMOS两级运算放大器的设计为例具体阐述该方法的基本设计步骤和与传统设计方法相比的优势。该方法以晶体管的跨导和漏电流的比值gm/ID与反型系数IC的特性曲线作为设计参量来对电路进行设计。基于gm/ID的设计方法对晶体管工作在所有的工作区域均有效。实验仿真结果很好地验证了gm/ID设计方法的有效性。

关键词：运算放大器 gm/ID设计方法反型系数