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高矫顽力永磁体的微观结构

钢铁 1984年第5期19卷 37-42页

作者： Fidler,J. Skalicky,P. 维也纳技术大学应用技术物理学院维也纳技术大学应用技术物理学院

磁畴结构和微观结构的研究,对于永磁材料的矫顽力的理解至为重要。为研究以钴或铁的稀土金属间化合物为基础的新型高矫顽力永磁材料,采用了光学显微镜和透射电镜。在单相的磁体中,矫顽力既受反向畴的成核场和扩张场所支配,也受控于畴壁... 详细信息

磁畴结构和微观结构的研究,对于永磁材料的矫顽力的理解至为重要。为研究以钴或铁的稀土金属间化合物为基础的新型高矫顽力永磁材料,采用了光学显微镜和透射电镜。在单相的磁体中,矫顽力既受反向畴的成核场和扩张场所支配,也受控于畴壁在晶界的钉扎。在析出硬化型的复相磁体中,矫顽力则由畴壁在某种铁磁性第二相的连续的胞状析出结构内的钉扎所支配。

关键词：永磁体永磁材料硬磁材料磁性材料磁化矫顽力矫顽场磁畴结构反向畴硬磁性硬磁相微观结构

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垂直布洛赫线在畴段畴壁中的形成和消失

物理学报 1983年第2期 176-181页

作者：毛廷德李靖元樊世勇刘英烈中国科学院物理研究所

在不同的直流偏场下,对脉冲偏场作用后的磁泡膜中的磁畴观测结果表明:磁泡膨胀时的分枝生长往往伴随有大量垂直布洛赫线(以下称VBL)产生;它的正负与反向畴膨胀时所施加的直流偏场大小有确定关系;在幅度不太高的系列脉冲作用下畴端运动... 详细信息

在不同的直流偏场下,对脉冲偏场作用后的磁泡膜中的磁畴观测结果表明:磁泡膨胀时的分枝生长往往伴随有大量垂直布洛赫线(以下称VBL)产生;它的正负与反向畴膨胀时所施加的直流偏场大小有确定关系;在幅度不太高的系列脉冲作用下畴端运动可使畴壁中形成大量VBL;足够强的脉冲偏场可使VBL消失。

关键词：偏场磁畴反向畴 VBL 畴壁

用克尔磁光效应对(Sm、Gd、Er)Co5磁畴结构的研究

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电子与信息学报 1985年第2期 114-120页

作者：杨先称金如良中国科学院电子学研究所

本文介绍了利用克尔磁光效应观察(Sm Gd Er)Co,的磁畴结构,研究了两个内禀矫顽力相差较大的样品在分级磁化和退磁过程中磁畴结构的变化。结果表明,该材料的矫顽力主要受成核机制的控制。因此,为了提高磁体的性能,就应当抑制早期反磁化... 详细信息

本文介绍了利用克尔磁光效应观察(Sm Gd Er)Co,的磁畴结构,研究了两个内禀矫顽力相差较大的样品在分级磁化和退磁过程中磁畴结构的变化。结果表明,该材料的矫顽力主要受成核机制的控制。因此,为了提高磁体的性能,就应当抑制早期反磁化核的生成,为此,就要求保持成份精确、均匀,提高磁体的致密度,减少杂质、孔洞等缺陷,使磁畴取向尽可能一致。

关键词：磁畴结构克尔极性效应效应(化学) 反向畴 Er)Co5 退磁过程内禀矫顽力退磁场 Sm Gd

生长速率对低压MOCVD外延生长GaAs/Ge异质结的影响

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光子学报 2002年第12期31卷 1479-1482页

作者：汪韬李宝霞李晓婷赛小锋高鸿楷中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室西安710068

采用自制的液相金属氧化物化学汽相沉积 (LP MOCVD)设备 ,在Ge( 1 0 0 )向 ( 1 1 0 )面偏 9°外延生长出GaAs单晶外延层 ,对电池材料进行了X射线衍射测试分析 ,半峰宽为 5 2″ 讨论了外延生长参量对GaAs/Ge的影响 ,表明抑制反向畴不仅... 详细信息

采用自制的液相金属氧化物化学汽相沉积 (LP MOCVD)设备 ,在Ge( 1 0 0 )向 ( 1 1 0 )面偏 9°外延生长出GaAs单晶外延层 ,对电池材料进行了X射线衍射测试分析 ,半峰宽为 5 2″ 讨论了外延生长参量对GaAs/Ge的影响 ,表明抑制反向畴不仅与过渡层有关 ,而且与GaAs单晶外延生长参量有关

关键词：生长速率低压MOCVD 外延生长异质结液相金属氧化物化学汽相沉积 GaAs/Ge 反向畴砷化镓锗半导体太阳电池

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铁电铁弹晶体

无机材料学报 1974年第1期 14-26页

作者：秦炳

本文从热力学角度对铁性物质进行了讨论,着重从晶体对称性出发研究了铁电体、铁弹体、铁电铁弹体的行为,并对铁弹体和铁电铁弹体的可能应用作了介绍,最后以Gd2（MoO4）3晶体为例介绍了它的性能和在电光方面的应用可能——光快门、三原... 详细信息

本文从热力学角度对铁性物质进行了讨论,着重从晶体对称性出发研究了铁电体、铁弹体、铁电铁弹体的行为,并对铁弹体和铁电铁弹体的可能应用作了介绍,最后以Gd2（MoO4）3晶体为例介绍了它的性能和在电光方面的应用可能——光快门、三原色滤色器、平面显示元件和随机存取型光阀阵等。

关键词：铁电原型极化(电子学) 自发极化铁电材料电介质铁电体晶体铁电性物理量铁弹性反向畴电场强度压电常数滤色器应变张量自发应变

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高温自润滑复合材料(N90)的电镜研究

固体润滑 1985年第4期 210-217页

作者：谢学智瞿永兴段天慧洛阳轴承研究所

作者利用透射电子显微镜对由粉末冶金方法制成的新型镍基高温自润滑复合材料进行了微观形貌的观察和选区电子衍射分析。结果表明,其基体为单一的α相,析出的碳化物为Ni3C,基体中分布有反向畴界、孪晶、位错和堆垛层错等晶体缺陷,固体润... 详细信息

作者利用透射电子显微镜对由粉末冶金方法制成的新型镍基高温自润滑复合材料进行了微观形貌的观察和选区电子衍射分析。结果表明,其基体为单一的α相,析出的碳化物为Ni3C,基体中分布有反向畴界、孪晶、位错和堆垛层错等晶体缺陷,固体润滑剂石墨呈园片状,均匀分布,晶体结构为六方晶系,c/a=2.729。同时探讨了各相的形态和组织结构对材料的耐腐蚀、耐磨、自润滑及抗冲击性能的关系。

关键词：复合材料微观形貌固体润滑剂石墨黑色颜料高温自润滑晶体缺陷点阵缺陷层错能反向畴电子衍射分析电子衍射花样衍衬像轴承保持架

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钕铁硼永磁材料的研究及前景

功能材料 1988年第6期 372-378页

作者：吴良宏上海钢铁研究所

一、概述 1983年6月日本住友特殊金属公司宣布研制成以Fe为主要成份的新型永磁体-Nd-Fe-B,其最大磁能积的实验室水平达到290.5kJ/m;（36.5MGOe）,工业生产亦可达到199.0～278.6kJ/m;的水平。但当时没有透露核磁体的化学成份及工艺细节... 详细信息

一、概述 1983年6月日本住友特殊金属公司宣布研制成以Fe为主要成份的新型永磁体-Nd-Fe-B,其最大磁能积的实验室水平达到290.5kJ/m;（36.5MGOe）,工业生产亦可达到199.0～278.6kJ/m;的水平。但当时没有透露核磁体的化学成份及工艺细节。直到同年11月在美国召开的第29届3M会议上,日本住友的佐川真人才报导了这一新型磁体的若干细节,其成份为Nd;Fe;B;。从此,各国磁学界都着手于开发研究Nd-Fe-B这类新型永磁材料。一年之

关键词：永磁体 Nd 日本住友金属公司快淬烧结磁体矫顽力机制永磁材料硬磁材料磁性材料反向畴最大磁能积磁性能

热处理对(Nd,Pr)-Fe-B合金组织和矫顽力的影响

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材料研究学报 1988年第4期 84-85页

作者：刘家平林炳黄培云中南工业大学中南工业大学博士研究生中国科学院金属研究所

第三代稀土永磁材料—钕铁硼问世以后,大多数研究者对这种烧结合金采用简单的一级热处理工艺,即在～600℃退火1h 左右,目的是消除晶体缺陷,以减少反向畴的形核,提高矫顽力。我们全面地研究了用(Nd,Pr)混合稀土制备的这种合金的热处理。... 详细信息

第三代稀土永磁材料—钕铁硼问世以后,大多数研究者对这种烧结合金采用简单的一级热处理工艺,即在～600℃退火1h 左右,目的是消除晶体缺陷,以减少反向畴的形核,提高矫顽力。我们全面地研究了用(Nd,Pr)混合稀土制备的这种合金的热处理。结果表明,一级退火在600℃效果最好,是由于低于该温度缺陷不易消除;而高于该温度合

关键词：矫顽力反向畴形核矫顽场磁化 Nd,Pr Fe-B

钼对Nd-Fe-Co-B永磁材料磁性能的影响

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磁性材料及器件 1987年第2期 1-3页

作者：申绪方王永强刁治涛刘学芬西南应用磁学研究所

本文介绍在Nd-Fe-Co-B永磁材料中附加Mo元素后,能提高材料的矫顽力,其结果是H;=9100 Oe、H;=19400O e、H;=12000Oe。并且温度特性有一定改善。通过扫描电镜观察结果,发现有一个新的富Mo相存在。文章对这个结果进行了讨论。

关键词：永磁材料磁性材料 Nd-Fe-Co-B 退磁曲线 Fe 反向畴