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文献类型

  • 1 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 1 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程(可...
    • 1 篇 电子科学与技术(可...

主题

  • 1 篇 二氧化铪
  • 1 篇 等效电路模型
  • 1 篇 参数提取
  • 1 篇 双频c-v法
  • 1 篇 频率色散
  • 1 篇 高k栅介质

机构

  • 1 篇 美国应用材料公司
  • 1 篇 西安电子科技大学

作者

  • 1 篇 zhao aaron
  • 1 篇 tallavarjula sai
  • 1 篇 匡潜玮
  • 1 篇 刘红侠
  • 1 篇 栾苏珍

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=双频C-V法"
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排序:
新型HfO_2栅介质中的频散效应及参数提取方
收藏 引用
中国科学:信息科学 2010年 第6期40卷 892-898页
作者: 刘红侠 匡潜玮 栾苏珍 ZHAO Aaron TALLAvARJULA Sai 西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 美国应用材料公司
本文研究了原子层化学气相淀积ALcvD(atom layer chemical vapor deposition)方淀积的HfO2/SiO2/p-SiMOS电容的电特性.高频时,积累电容出现了频率色散现象.针对双频c-v法测量超薄HfO2/SiO2堆栈栅MOS电容中制备工艺和测量设备引入的寄... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论