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Low voltage n-type OFET based on double insulators

Optoelectronics Letters 2008年第5期4卷 324-327页

作者： ZHOU Jian-lin ZHANG Fu-jia School of Physics Science and Technology Lanzhou University Lanzhou 730000 China

A top contact n-type organic field-effect transistor with low operating voltage was fabricated by employing Ta2O5/PMMA as the double insulators and PTCDI-Cl2 as the semiconductor active layer. The Ta2O5 layer was prepared by using simple economical anodization technique and the PMMA layer was prepared by using the spin-coating method. Compared with the OFET with single Ta2O5 insulator, the device with double insulators shows obviously better electrical performance. It has a field effect electron mobility of 0.063 cm^2/Vs, an on/off ratio of 1.7 × 10^4 and a threshold voltage of 2.3 V.

关键词：场效应器件电压双绝缘体半导体

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