检索结果-南通市图书馆

Hg_(1-x)Cd_xTe 中杂质对及双空位深能级的研究

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航空学报 1998年第1期19卷 62-67页

作者：刘晓华介万奇刘俊诚西北工业大学凝固技术国家重点实验室

以Ａ．Ｋｏｂａｙａｓｈｉ等的半经验紧束缚模型和Ｈｊａｌｍａｒｓｏｎ－Ｖｏｇｈ－Ｗｏｌｆｏｒｄ－Ｄｏｗ深能级理论为基础，计算了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ中阳离子位替代式杂质（包括Ｎ，Ｏ，Ｃ）与最近邻替代式杂质形成ｓｐ３键杂质... 详细信息

以Ａ．Ｋｏｂａｙａｓｈｉ等的半经验紧束缚模型和Ｈｊａｌｍａｒｓｏｎ－Ｖｏｇｈ－Ｗｏｌｆｏｒｄ－Ｄｏｗ深能级理论为基础，计算了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ中阳离子位替代式杂质（包括Ｎ，Ｏ，Ｃ）与最近邻替代式杂质形成ｓｐ３键杂质对后阳离子位杂质Ａ１对称性深能级的变化以及最近邻理想双空位（Ｖｃ，Ｖａ）的深能级。计算结果表明：阳离子位杂质Ａ１能级的变化取决于与其配对杂质的电负性，杂质对ａ１能级组分依赖关系ｄＥ／ｄｘ小于阳离子位单杂质Ａ１能级的ｄＥ／ｄｘ，大于阴离子位单杂质Ｔ２能级的ｄＥ／ｄｘ，不同杂质对的ｄＥ／ｄｘ基本相同；理想双空位（Ｖｃ，Ｖａ）在能隙或近能隙区域产生一个ａ１态深能级，该能级的ｄＥ／ｄｘ很小，对于ＣｄＴｅ，位置在０．５ｅＶ，对于ｘ＜０．３７的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ，该能级成为导带共振态。

关键词：深能级杂质对双空位汞镉碲红外材料

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α+β双相黄铜脱锌的双空位机制初探

核技术 1991年第12期14卷 717-722页

作者：邱万川甘复兴姚录安武汉大学

测量了去合金后的掺砷双相黄铜H_(62)As中的正电子寿命,为黄铜优先腐蚀的双空位机制提供了较为直接的实验证据。讨论了掺砷黄铜抑制脱锌的机理。

关键词：黄铜脱锌双空位合金腐蚀

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快中子辐照硅中双空位的退火行为研究

硅酸盐通报 2010年第4期29卷 779-783页

作者：杨帅邓晓冉徐建萍陈贵锋闫文博天津理工大学理学院天津300191 天津职业技术师范大学理学院天津300222 河北工业大学材料科学与工程学院天津300130 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027

本文利用傅立叶变换红外光谱技术（FTIR）及正电子湮没谱技术（PAS）对快中子辐照硅中的双空位（V2）的退火行为作了详细研究.研究发现区熔硅中双空位在250 ℃热处理会通过相互连接形成链状而在红外光谱中消失,提高退火温度到350～450 ... 详细信息

本文利用傅立叶变换红外光谱技术（FTIR）及正电子湮没谱技术（PAS）对快中子辐照硅中的双空位（V2）的退火行为作了详细研究.研究发现区熔硅中双空位在250 ℃热处理会通过相互连接形成链状而在红外光谱中消失,提高退火温度到350～450 ℃,它们将进一步结合形成具有三维结构的四空位型缺陷;而在直拉硅中双空位主要通过捕获间隙氧或A中心（VO）形成V3O复合体而消失.

关键词：辐照缺陷硅双空位 FTIR

硅中双空位和杂质对Se^2电子结构的自洽场Xa研究

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浙江大学学报（自然科学版） 1990年第2期24卷 163-170页

作者：唐景昌卢功麒浙江大学物理系

本文利用自洽场Xa—MS方法研究了硅中双空位和替代式杂质对Se^2的电子结构。研究表明:双空位在硅的禁带中引入两个二重简并的E_U能级,由于Jahn-Teller效应,对称性从D_3d降为C_2h,两个E_U能级分裂,在禁带中产生一个深施主和两个深受主能... 详细信息

本文利用自洽场Xa—MS方法研究了硅中双空位和替代式杂质对Se^2的电子结构。研究表明:双空位在硅的禁带中引入两个二重简并的E_U能级,由于Jahn-Teller效应,对称性从D_3d降为C_2h,两个E_U能级分裂,在禁带中产生一个深施主和两个深受主能级。杂质对Se^2在禁带中引入A_(1Q)和A_(2U)两个深施主,它们的位置分别为(Ec—0.26)eV和(Ec—0.57)eV,其中前者已在实验中观察到。

关键词：硅电子结构双空位杂质对半导体

MgO的双空位Ⅰ.(MgO,Fe_2O_3)固溶体

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硅酸盐学报 1978年第3期15卷 141-148页

作者：郁国城冶金部洛阳耐火材料研究所

研究了MgO中双空位的生成、生成量,溶质对双空位生成量及对烧结的影响。 MgO中Mg^(2+)空位及O^(2-)空位相互间有种种排列方法。有些排列方法不能生成双空位。生成双空位的几率小于一.经计算,得知在1800℃生成双空位的浓度在10^(-5)以下... 详细信息

研究了MgO中双空位的生成、生成量,溶质对双空位生成量及对烧结的影响。 MgO中Mg^(2+)空位及O^(2-)空位相互间有种种排列方法。有些排列方法不能生成双空位。生成双空位的几率小于一.经计算,得知在1800℃生成双空位的浓度在10^(-5)以下。在MgO内加入Fe_2O_3后,经由二种机理,双空位浓度大增。 Fe_2O_3溶入MgO后,发生价差空位。价差空位可提高双空位生成的几率,但效果不大。以1.2～1.4％ Fe_2O_3溶于MgO而论,在1800℃价差空位浓度只有热平衡空位之8％。不能提高双空位生成几率甚多。发生最大作用者为Fe^(3+)先是Fe^(3+)与□_Mg^(2+)生成复合体(Fe^(3+)-3/2□_Mg^(2+))。这个复合体扩散甚易。当它与□o^(2-)接触时,放出□_Mg^(2+),□_Mg^(2+)o^(2-)生成双空位。剩下的Fe^(3+)扩散,与□_Mg^(2+)接触,又生成复合体。复合体再扩散,再与□o^(2-)接触,再放出□_Mg^(2+),再生成双空位。如此循环不已,可将大部分以至全部热平衡空位生成双空位。Fe^(3+)实际上是个触媒。在1820℃烧成的镁砂比重降低0.017～0.077。这一降低数相当具有浓度为 10^(-3)～10^(-2)的双空位,与1800℃热平衡空位完全生成双空位的浓度(10^(-2.5)近似。用含Fe_2O_31.5％、MgO93％,在1800℃烧成的镁砂制砖,在1600℃烧成,显气孔率为0～2％。?

关键词：双空位几率热平衡价差热力学平衡背价 MgO,Fe2O3 空位浓度复合体 Fe

立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅰ)——基本方程组

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