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时间监控双离子束溅射沉积制备荧光滤光片

激光与红外 2005年第12期35卷 968-970页

作者：卜轶坤朝克夫叶子青郑权钱龙生中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院研究生院北京100039

文章对中心波长为488nm、520nm、560nm和600nm的专用滤光片进行了研制,为保证通带高透过率的要求和对背景光的高效抑制,采用单基片进行膜系叠加的方法进行了组合带通滤光片的设计,并采用时间监控膜厚的双离子束溅射沉积薄膜技术进行... 详细信息

文章对中心波长为488nm、520nm、560nm和600nm的专用滤光片进行了研制,为保证通带高透过率的要求和对背景光的高效抑制,采用单基片进行膜系叠加的方法进行了组合带通滤光片的设计,并采用时间监控膜厚的双离子束溅射沉积薄膜技术进行了镀制,成功的制备出供生化仪使用的一系列荧光栅滤光片。

关键词：荧光分析栅滤光片时间监控双离子束溅射

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双离子束溅射氮化铁薄膜的构造和磁特性

信息记录材料 1988年第4期 17-22+53页

作者：永久保雅夫屠友灿

一、前言铁,其资源丰富,原材料通用性强,所以它广泛用于各个领域。特别是高纯度的铁,作为磁性材料,它具有高饱和磁化强度(4πMs-21.5kG)和低矫顽力等优越的软磁特性。随着高矫顽力的 CoCr 和 Ba 铁氧体等高密度垂直磁记录介质的开发,铁... 详细信息

一、前言铁,其资源丰富,原材料通用性强,所以它广泛用于各个领域。特别是高纯度的铁,作为磁性材料,它具有高饱和磁化强度(4πMs-21.5kG)和低矫顽力等优越的软磁特性。随着高矫顽力的 CoCr 和 Ba 铁氧体等高密度垂直磁记录介质的开发,铁作为这些膜的底层或记录、再生磁头的材料,在磁记录领域也引起了人们的重视。众所周知,通过添加第2种元素,铁的磁特性会从软磁到硬磁发生很大的变化。例如钴

关键词：磁特性饱和磁化强度氢离子加速电压氮化铁射线衍射双离子束溅射矫顽力矫顽场磁化晶格缺陷晶体缺陷离子电流磁滞回线

双离子束溅射制备SiN_x薄膜的光致发光性质

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微细加工技术 2004年第2期 51-54页

作者：成珏飞吴雪梅诸葛兰剑苏州大学物理系苏州215006 苏州大学分析测试中心苏州215006

采用双离子束溅射法制备了SiNx薄膜,用XRD、XPS、FTIR等对薄膜的结构进行了表征,并且分析了样品的光致发光(PL)特性。发现在225nm的紫外光激发下,样品在室温下可发射高强度的可见光,峰位分别位于470nm、520nm和620nm,用能隙态模型讨论... 详细信息

采用双离子束溅射法制备了SiNx薄膜,用XRD、XPS、FTIR等对薄膜的结构进行了表征,并且分析了样品的光致发光(PL)特性。发现在225nm的紫外光激发下,样品在室温下可发射高强度的可见光,峰位分别位于470nm、520nm和620nm,用能隙态模型讨论了可能的发光机理。

关键词： SiNx 薄膜双离子束溅射光致发光(PL)

双离子束溅射非晶SiOxNy薄膜的光致发光研究

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信息记录材料 2007年第4期8卷 29-32页

作者：成珏飞苏州职业大学基础部苏州215001

采用双离子束溅射法制备了SiOxNy薄膜,用X射线衍射分析(XRD),透射电子显微镜(TEM),X射线光电子能谱(XPS),傅立叶变换红外(FTIR)等对薄膜的结构进行了表征,分析了样品的光致发光(PL)特性。X射线衍射(XRD),透射电子显微镜(TEM)结果表明该... 详细信息

采用双离子束溅射法制备了SiOxNy薄膜,用X射线衍射分析(XRD),透射电子显微镜(TEM),X射线光电子能谱(XPS),傅立叶变换红外(FTIR)等对薄膜的结构进行了表征,分析了样品的光致发光(PL)特性。X射线衍射(XRD),透射电子显微镜(TEM)结果表明该薄膜具有非晶结构。XPS测试表明N1s的特征峰位于398eV,对应于N-Si键。在光吸收谱中,与Si-SiO2薄膜相比,SiOxNy的光学带隙得到展宽。在225nm的激光激发下,样品在室温下可发射可见光,峰位位于590nm,与N的缺陷有关。

关键词： SiOxNy薄膜双离子束溅射光致发光

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双离子束溅射技术制备带通滤光片

光学仪器 2004年第2期26卷 87-90页

作者：申林熊胜明刘洪祥李凌辉张云洞中国科学院光电技术研究所四川成都610209

研究了采用双离子束溅射沉积技术、以沉积时间作为膜厚控制手段制备带通滤光片的工艺。简要介绍了离子束溅射系统的基本工作原理和膜厚控制技术,描述了分别在K9玻璃和有色玻璃上制备由多层Ta2O5和SiO2薄膜组成的滤光片以及短波通和长波... 详细信息

研究了采用双离子束溅射沉积技术、以沉积时间作为膜厚控制手段制备带通滤光片的工艺。简要介绍了离子束溅射系统的基本工作原理和膜厚控制技术,描述了分别在K9玻璃和有色玻璃上制备由多层Ta2O5和SiO2薄膜组成的滤光片以及短波通和长波通的工艺过程,最后测试并分析了由短波通和长波通组成带通滤光片的光学性能。实验结果表明,采用双离子束溅射技术,以沉积时间作为膜厚监控手段能够制备出具有优良光性能并满足应用设计要求的带通滤光片。

关键词：双离子束溅射制备带通滤光片沉积时间膜厚控制

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双离子束溅射技术制备带通滤光片

双离子束溅射技术制备带通滤光片

热处理对双离子束溅射SiO_2薄膜力学及热力学特性的影响（英文）

2004年光学仪器研讨会

作者：申林熊胜明刘洪祥李凌辉张云洞中国科学院光电技术研究所

关键词：双离子束溅射制备工艺带通滤光片

来源： cnki会议评论

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红外与激光工程 2018年第6期47卷 186-191页

作者：冷健季一勤刘华松庄克文刘丹丹天津市薄膜光学重点实验室天津津航技术物理研究所天津300300

光学薄膜的力学及热力学特性决定了光学系统性能的优劣。采用双离子束溅射的方法在硅和肖特石英Q1基底上制备了SiO_2薄膜,并对制备的膜层进行退火处理。系统研究了热处理前后SiO_2薄膜的力学及热力学特性。研究结果表明,750℃退火条件下... 详细信息

光学薄膜的力学及热力学特性决定了光学系统性能的优劣。采用双离子束溅射的方法在硅和肖特石英Q1基底上制备了SiO_2薄膜,并对制备的膜层进行退火处理。系统研究了热处理前后SiO_2薄膜的力学及热力学特性。研究结果表明,750℃退火条件下SiO_2薄膜的弹性模量(Er)增加到72 GPa,膜层硬度增加到10 GPa。镀完后未经退火处理的SiO_2薄膜表现为压应力,但是应力值在退火温度达到450℃以上时急剧降低,说明热处理有助于改善SiO_2薄膜内应力。经退火处理的SiO_2薄膜泊松比(vf)为0.18左右。退火前后SiO_2薄膜的杨氏模量(Ef)都要比石英块体材料大,并且750℃退火膜层杨氏模量增加了50 GPa以上。550℃退火的SiO_2薄膜热膨胀系数(αf)从6.78×10^(-7)℃^(-1)降到最小值5.22×10^(-7)℃^(-1)。

关键词：双离子束溅射 SiO2薄膜退火力学及热力学特性