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在有效质量和有限高势垒近似下,变分研究了在双电子柱形GaN/Al0.2Ga0.8N量子点中掺入不同类型杂质时,杂质电子体系的基态能随杂质电荷、量子点的高度及杂质位置的变化规律。结果表明,随量子点高度增加,杂质电子体系的基态能单调递减;杂质带负电时,体系的基态能量都比较大,不易形成稳定的束缚态。随着杂质由量子点下界面沿z轴上移至上界面,对于类氢施主杂质,体系的基态能先减小后增大,在z0=1.0 nm处取得极小值;而受主杂质,变化趋势相反:体系的基态能先增大后减小,在z0=1.0 nm处取得极大值;若掺入中性杂质,杂质电子体系的基态能不变。

关键词：双电子柱形量子点 GaN 杂质束缚能

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量子环上双电子激发态的研究

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广西大学学报（自然科学版） 2008年第3期33卷 280-284页

作者：吴洪苏珠顺郑凯林燕萌集美大学理学院福建厦门361021 集美大学计算机学院福建厦门361021

研究外加电场以及荷电杂质电场对量子环上双电子激发态的影响.结果表明:激发态对含有双电子的量子环中的能谱和持续电流具有控制作用.在某些情况下相邻能级和持续电流的振幅可增至几个数量级.该结论对于设计和研制微器件具有指导意义.

关键词：量子环双电子激发态电场持续电流

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强磁场下基于Hylleraas-Gaussian基的双电子双原子分子的谱结构

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信阳师范学院学报（自然科学版） 2016年第3期29卷 F0003-F0003页

作者：本刊编辑部

我校物理电子工程学院教师宋宣玉博士2015年获批国家自然科学基金青年项目：强磁场下基于Hyller-aas-Gaussian基的双电子双原子分子的谱结构，项目编号：11504315．强磁场广泛存在于白矮星（102～105）和中子星（107～109T）表面．与此... 详细信息

我校物理电子工程学院教师宋宣玉博士2015年获批国家自然科学基金青年项目：强磁场下基于Hyller-aas-Gaussian基的双电子双原子分子的谱结构，项目编号：11504315．强磁场广泛存在于白矮星（102～105）和中子星（107～109T）表面．与此同时，一些半导体中由于较小的有效电子质量和较大的介电常数，在实验室中也可观察到强磁场效应．在这种极端环境下.

关键词：双原子分子双电子强磁场谱结构国家自然科学基金工程学院项目编号介电常数

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