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  • 1 篇 工学
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主题

  • 1 篇 nm
  • 1 篇 双比特失效
  • 1 篇 静态随机存储器(s...
  • 1 篇 低功耗
  • 1 篇 28
  • 1 篇 写失效

机构

  • 1 篇 上海华力微电子

作者

  • 1 篇 蔡恩静
  • 1 篇 高金德
  • 1 篇 魏文

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=双比特失效"
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28 nm低功耗工艺SRAM失效分析
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半导体技术 2017年 第9期42卷 717-720页
作者： 魏文 蔡恩静 高金德 上海华力微电子 上海201203
在28 nm低功耗工艺平台开发过程中,对1.26 V测试条件下出现的SRAM双比特失效问题进行了电性能失效模式分析及物性平面和物性断面分析。指出失效比特右侧位线接触孔底部空洞为SRAM制程上的缺陷所导致。并通过元素成分分析确定接触孔底部... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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