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光子学报 2016年第4期45卷 76-81页

作者：乔建良徐源高有堂牛军常本康南阳理工学院电子与电气工程学院河南南阳473004 南京理工大学电子工程与光电技术学院南京210094

为了得到铯吸附与阴极电子亲和势变化之间的定量关系,利用NEA光电阴极激活评估实验系统对GaN光电阴极进行了铯激活.根据半导体光电发射理论和双偶极层模型,通过对电子亲和势随铯覆盖度变化的实验结果进行拟合运算,得到电子亲和势与铯覆... 详细信息

为了得到铯吸附与阴极电子亲和势变化之间的定量关系,利用NEA光电阴极激活评估实验系统对GaN光电阴极进行了铯激活.根据半导体光电发射理论和双偶极层模型,通过对电子亲和势随铯覆盖度变化的实验结果进行拟合运算,得到电子亲和势与铯覆盖度之间的函数关系式.分析了铯的吸附机理,得到激活过程中铯的吸附过程与GaN材料有效电子亲和势下降之间的关系.实验表明:负电子亲和势GaN光电阴极材料在铯激活时光电流随着铯覆盖度的增加而从本底值增为极大值,激活过程中GaN电子能量分布曲线低动能截止点的位置决定于铯的覆盖度.当铯的覆盖度从0、1/2、2/3到1个单层变化时,低动能截止点依次向左移动,当覆盖度从0增加到1个单层时,低动能截止点向左移动了约3eV的距离.研究表明,低动能截止点左移本质上是由于对电子逸出起促进作用的有效偶极子[GaN(Mg):Cs]数量的增多造成的,有效偶极子数量的增多带来了材料表面真空能级的下降.

关键词：半导体材料负电子亲和势双偶极层模型 GaN 光电阴极光电流铯吸附

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GaN光电阴极表面势垒对电子逸出几率的影响

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物理学报 2012年第6期61卷 473-478页

作者：杨永富富容国张益军王晓晖邹继军南京理工大学电子工程与光电技术学院南京210094

针对GaN光电阴极表面势垒对电子逸出几率的影响问题,应用玻尔兹曼分布和基于Airy函数的传递矩阵法计算了GaN光电阴极的电子逸出几率,发现电子逸出几率主要由Ⅰ势垒决定,Ⅱ势垒对电子逸出几率的影响有限.利用自行研制的GaN光电阴极激活... 详细信息

针对GaN光电阴极表面势垒对电子逸出几率的影响问题,应用玻尔兹曼分布和基于Airy函数的传递矩阵法计算了GaN光电阴极的电子逸出几率,发现电子逸出几率主要由Ⅰ势垒决定,Ⅱ势垒对电子逸出几率的影响有限.利用自行研制的GaN光电阴极激活评估实验系统,测试了透射式GaN光电阴极样品的激活光电流.实验发现,Cs单独激活引起电子逸出几率的显著增加,而Cs单独充分激活后的Cs/O交替激活对电子逸出几率的影响有限.理论计算结果与激活光电流测试结果一致,其原因是Cs单独激活对降低真空能级的贡献远大于Cs/O共同激活.

关键词： GaN光电阴极电子逸出几率表面势垒双偶极层模型

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NEA GaN和GaAs光电阴极激活机理对比研究

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真空科学与技术学报 2009年第2期29卷 115-118页

作者：乔建良常本康牛军杨智邹继军南京理工大学电子工程与光电技术学院南京210094 南阳理工学院电子与电气工程系南阳473004

本文结合激活过程中光电流变化规律和成功激活后阴极表面模型,研究了NEA GaN和GaAs光电阴极激活机理的异同。实验表明:NEA GaN激活过程中光电流不象GaAs那样按近似指数规律的包络慢速循环上升,而是在约1min之内就可达到峰值,Cs/O激活时... 详细信息

本文结合激活过程中光电流变化规律和成功激活后阴极表面模型,研究了NEA GaN和GaAs光电阴极激活机理的异同。实验表明:NEA GaN激活过程中光电流不象GaAs那样按近似指数规律的包络慢速循环上升,而是在约1min之内就可达到峰值,Cs/O激活时引入O后光电流的增长幅度不大,NEA特性仅在Cs激活时即可获得。GaAs光电阴极激活过程中O的引入是获得NEA特性的必要条件,也是真空能级下降的重要转折点,O引入后光电流幅值有较大幅度的增长。采用双偶极层模型可以解释GaN和GaAs光电阴极Cs/O激活后表面势垒的降低,但偶极层在降低表面势垒的程度方面有较大差异,GaN光电阴极降得更低。

关键词： NEA GaN GaAs 激活双偶极层模型

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NEA GaN光电阴极光电发射机理研究

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红外技术 2008年第10期30卷 611-614页

作者：乔建良黄大勇牛军常本康南阳理工学院电子与电气工程系河南南阳473004 南京理工大学电子工程与光电技术学院江苏南京210094

围绕GaN光电阴极NEA特性的成因,结合激活过程中光电流变化规律和成功激活后阴极表面模型,研究了NEA GaN光电阴极光电发射机理。实验表明:NEA GaN激活过程中光电流在约1 min之内就可达到峰值,Cs/O激活时引入O后光电流的增长幅度不大。根... 详细信息

围绕GaN光电阴极NEA特性的成因,结合激活过程中光电流变化规律和成功激活后阴极表面模型,研究了NEA GaN光电阴极光电发射机理。实验表明:NEA GaN激活过程中光电流在约1 min之内就可达到峰值,Cs/O激活时引入O后光电流的增长幅度不大。根据Spicer光电发射理论,给出了反射模式NEA GaN光电阴极量子产额理论公式,激活成功后GaN光电阴极NEA特性的成因可以用双偶极层模型[GaN(Mg):Cs]:Cs-O解释。

关键词： NEA GaN 激活量子产额双偶极层模型

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NEA光电阴极电子表面逸出几率的计算和应用

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南京理工大学学报 2002年第6期26卷 641-644,669页

作者：宗志园钱芸生富容国常本康南京理工大学电子工程与光电技术学院南京210094

该文介绍了计算NEA光电阴极电子表面逸出几率的新方法 ,选用双偶极层表面模型 ,计算了GaAs :Cs -ONEA光电阴极的电子表面逸出几率 ,比较了 2种双偶极层模型的异同点 ,计算结果显示电子表面逸出几率受第一偶极层的影响较大。

关键词： NEA 电子表面逸出几率计算光电阴极偶极子双偶极层模型光电子学

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