咨询与建议
  • 全部检索
  • 电子图书
  • 电子期刊
  • 纸本馆藏
  • 南通市公共图书馆
高级检索

限定检索结果

文献类型

  • 1 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 1 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程（可...

主题

  • 1 篇 神经形态计算
  • 1 篇 神经元
  • 1 篇 突触
  • 1 篇 忆阻器
  • 1 篇 综述
  • 1 篇 双介质层金属氧化...

机构

  • 1 篇 北京理工大学

作者

  • 1 篇 游钧淇
  • 1 篇 孙林锋
  • 1 篇 李策
  • 1 篇 杨栋梁

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=双介质层金属氧化物"
共 1 条 记 录，以下是1-10 订阅
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到"检索档案"
详细 简洁
排序：
氧化物双介质层忆阻器的设计及应用
收藏
分享
引用
无机材料学报 2023年 第4期38卷 387-398页
作者： 游钧淇 李策 杨栋梁 孙林锋 北京理工大学物理学院 先进光电量子结构设计与测量教育部重点实验室北京100081 北京理工大学长三角研究院 嘉兴314019
忆阻器可以在单一器件上实现存储和计算功能,成为打破冯·诺依曼瓶颈的核心电子元器件之一。它凭借独特的易失性/非易失性电阻特性,可以很好地模拟大脑活动中的突触/神经元的功能。此外,基于金属氧化物的忆阻器与传统的互补金属氧化物... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到“检索档案”
共1页 <<  < 1 >  >>
回到顶部
执行限定条件