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高精度激光告警参数提取算法

应用光学 2023年第6期44卷 1258-1264页

作者：张子暄张瑞张卓奇牛家麒郝瑞昌王志斌李孟委中北大学信息与通信工程学院山西太原030051 中北大学山西省光电信息与仪器工程技术研究中心山西太原030051 中北大学前沿交叉科学研究院山西太原030051

激光告警系统通过提取来袭激光的相关参数进行告警定位,其角度定位精度直接与战场生存能力相关。为了有效提高激光告警系统的角度定位精度,基于光栅衍射型激光告警原理,提出一种高精度测量来袭激光参数的算法。对激光告警系统进行标定,... 详细信息

激光告警系统通过提取来袭激光的相关参数进行告警定位,其角度定位精度直接与战场生存能力相关。为了有效提高激光告警系统的角度定位精度,基于光栅衍射型激光告警原理,提出一种高精度测量来袭激光参数的算法。对激光告警系统进行标定,用高斯拟合法精确提取出衍射光斑标定图片的0级光斑中心,将来袭激光角度与对应角度的光斑中心进行拟合,根据拟合结果确定任意角度的光斑衍射图像对应的来袭激光角度参数。实验结果表明,方位角测量误差优于0.29°,俯仰角测量误差优于0.38°。该算法有效提高了激光告警系统的测算精度。

关键词：激光告警参数提取高斯拟合法曲面拟合

基于BSIM3的超深亚微米器件建模及模型参数提取

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固体电子学研究与进展 2003年第4期23卷 406-411页

作者：陈松涛刘晓彦杜刚韩汝琦北京大学微电子学研究所北京100871

对适用于超深亚微米电路模拟的 MOSFET器件模型进行了研究 ,完成计入量子效应、多晶硅耗尽效应等基于 BSIM3的 MOSFET模型。针对阈值电压模型以及 I- V模型中的参数编写了模型参数提取程序 ,采用最小二乘法原理 ,并采用麦夸脱算法以降... 详细信息

对适用于超深亚微米电路模拟的 MOSFET器件模型进行了研究 ,完成计入量子效应、多晶硅耗尽效应等基于 BSIM3的 MOSFET模型。针对阈值电压模型以及 I- V模型中的参数编写了模型参数提取程序 ,采用最小二乘法原理 ,并采用麦夸脱算法以降低参数提取结果对初值的依赖 ,对已有参数进行了修正。模型以及参数提取结果都分别进行了验证。

关键词： BSIM3 超深亚微米器件器件模型参数提取微电子技术

基于混合遗传算法的SOI MOSFET模型参数提取(英文)

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Journal of Semiconductors 2006年第5期27卷 796-803页

作者：李瑞贞李多力杜寰海潮和韩郑生中国科学院微电子研究所北京100029

通过将遗传算法和模拟退火算法相结合得到了改进的遗传算法,这种改进的遗传算法可用于提取SOIMOSFET模型参数.用这种方法提取了基于中国科学院微电子研究所开发的标准的1·2μm CMOS/SOI工艺的SOI MOSFET模型参数,用此模型模拟的数据与... 详细信息

通过将遗传算法和模拟退火算法相结合得到了改进的遗传算法,这种改进的遗传算法可用于提取SOIMOSFET模型参数.用这种方法提取了基于中国科学院微电子研究所开发的标准的1·2μm CMOS/SOI工艺的SOI MOSFET模型参数,用此模型模拟的数据与测试数据吻合很好,与商业软件相比精度得到了明显的提高.这种方法与商业软件使用的传统的方法相比,不需要对SOI MOSFET模型有非常深入的了解,也不需要复杂的计算.更深入的验证表明,该模型适用的器件尺寸范围很广.

关键词： SOI 参数提取遗传算法模拟退火算法

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VTI介质中的弹性阻抗与参数提取

地球物理学进展 2008年第6期23卷 1878-1885页

作者：李爱山印兴耀张繁昌刘志国中海石油研究中心国际部北京100027 中国石油大学华东资信学院东营257061

弹性阻抗是波阻抗的扩展,可以更好的反映储层和流体性质.常规弹性阻抗方程忽略了各向异性的影响,不能正确地描述各向异性介质中弹性阻抗的性质.本文基于Ruger给出的VTI介质反射系数近似公式,结合Connolly推导弹性阻抗的思想,推导出了一... 详细信息

弹性阻抗是波阻抗的扩展,可以更好的反映储层和流体性质.常规弹性阻抗方程忽略了各向异性的影响,不能正确地描述各向异性介质中弹性阻抗的性质.本文基于Ruger给出的VTI介质反射系数近似公式,结合Connolly推导弹性阻抗的思想,推导出了一种VTI介质中的弹性阻抗方程.通过引入归一化常数,对方程进行了标准化,消除了方程量纲随角度变化而变化的不足.结合常规弹性阻抗反演的流程,得出了VTI介质中弹性阻抗反演的流程.最后,开展了从VTI介质弹性阻抗数据体中提取岩石物性参数的方法研究.数值测试表明,所讨论的参数提取方法具有一定的理论和应用价值.

关键词：各向异性 VTI介质弹性阻抗归一化参数提取

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一种优化的语音特征参数提取方法仿真

计算机仿真 2013年第12期30卷 162-165页

作者：田永红四川理工学院计算机学院四川自贡643000

研究语音特征参数准确提取的方法。利用传统算法进行语音特征参数提取,需要获取语音特征的连续谱,根据该连续谱提取其特征参数。但是由于语音特征的随机性较强,很难保证其连续性特征,因此将造成语音特征参数提取的准确性降低。为了避免... 详细信息

研究语音特征参数准确提取的方法。利用传统算法进行语音特征参数提取,需要获取语音特征的连续谱,根据该连续谱提取其特征参数。但是由于语音特征的随机性较强,很难保证其连续性特征,因此将造成语音特征参数提取的准确性降低。为了避免上述缺陷,提出了一种基于谐波探测算法的语音特征参数提取方法。详细阐述谐波探测算法的相关理论,将该理论应用于语音特征参数提取的过程中。利用该算法进行语音特征参数提取。实验结果表明,利用本文算法进行语音特征参数提取优化处理,能够极大的提高语音特征参数提取的准确性,取得了令人满意的结果。

关键词：语音特征参数提取谐波探测

40纳米MOSFET毫米波等效电路的弱反区关键参数提取

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四川大学学报（自然科学版） 2017年第3期54卷 523-528页

作者：王林王军王丹丹西南科技大学信息工程学院绵阳621010

以双端口网络的分析方法为依托,对40纳米MOSFET的毫米波小信号等效电路的弱反区参数进行提取.该等效电路基于准静态逼近,包括完整的本征准静态MOSFET模型、串联的栅极电阻、源极电阻、漏极电阻以及衬底耦合网络.元件参数提取分为寄生参... 详细信息

以双端口网络的分析方法为依托,对40纳米MOSFET的毫米波小信号等效电路的弱反区参数进行提取.该等效电路基于准静态逼近,包括完整的本征准静态MOSFET模型、串联的栅极电阻、源极电阻、漏极电阻以及衬底耦合网络.元件参数提取分为寄生参数提取和本征部分提取,是通过其等效电路的开路短路法来简化等效电路以及分析Y参数所得,提取的结果具有物理意义以及其方法能够去嵌寄生效应,如器件衬底耦合.

关键词：二端口网络 40纳米MOSFET 弱反区毫米波参数提取

一种适用于短沟道LDD MOSFET参数提取的改进方法(英文)

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Journal of Semiconductors 2004年第10期25卷 1215-1220页

作者：于春利郝跃杨林安西安电子科技大学微电子研究所西安710071

提出了一种适用于短沟道 L DD MOSFET的改进型参数提取方法 ,通过对栅偏压范围细分后采用线性回归方法 ,提取偏压相关参数 ,保证了线性回归方法的精度和有效性 ,避免了对栅偏压范围的优化和误差考虑 .提取出的参数用于已建立的深亚微米 ... 详细信息

提出了一种适用于短沟道 L DD MOSFET的改进型参数提取方法 ,通过对栅偏压范围细分后采用线性回归方法 ,提取偏压相关参数 ,保证了线性回归方法的精度和有效性 ,避免了对栅偏压范围的优化和误差考虑 .提取出的参数用于已建立的深亚微米 L DD MOSFET的 I- V特性模型中。

关键词：轻掺杂漏MOSFET 参数提取寄生串联电阻迁移率

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SiC肖特基二极管的物理模型参数提取

半导体技术 2017年第6期42卷 441-447页

作者：方春恩吕柔睿张彼德李伟刘曦西华大学电气与电子信息学院成都610039

碳化硅(SiC)作为新型材料,在高温、高频和大功率等领域中具有很大的潜力。SiC功率半导体器件在电力电子电路中应用广泛,提取精确的物理模型参数对电力电子电路设计尤为重要。在对SiC肖特基二极管动态特性及其物理模型的分析基础上,确定... 详细信息

碳化硅(SiC)作为新型材料,在高温、高频和大功率等领域中具有很大的潜力。SiC功率半导体器件在电力电子电路中应用广泛,提取精确的物理模型参数对电力电子电路设计尤为重要。在对SiC肖特基二极管动态特性及其物理模型的分析基础上,确定了其关键的模型参数。结合Matlab和Saber仿真软件,对仿真波形和实验波形进行了对比,并以仿真波形和实验波形的相关系数及迭代次数为目标函数来改进粒子群算法,以改进粒子群优化(IPSO)算法对SiC肖特基二极管内部关键模型参数进行优化辨识。最后,针对IDW30G65C5型号的整流二极管,提取了精确的模型参数,并验证了其有效性。

关键词： SiC 肖特基二极管参数提取物理模型改进粒子群算法(IPSO)

一种适用于毫米波的InP HBT小信号模型与参数提取方法

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电子元件与材料 2021年第1期40卷 65-71页

作者：蒋润秋王军西南科技大学信息工程学院四川绵阳621010

为了精确提取磷化铟异质结双极型晶体管(InP HBT)在毫米波频段的寄生参数和本征参数,研究了器件的物理结构,从物理上区分了通孔和电极的寄生元件,建立了一个适用于毫米波频段的具有详细寄生网络的分布式InP HBT小信号模型,同时提出了一... 详细信息

为了精确提取磷化铟异质结双极型晶体管(InP HBT)在毫米波频段的寄生参数和本征参数,研究了器件的物理结构,从物理上区分了通孔和电极的寄生元件,建立了一个适用于毫米波频段的具有详细寄生网络的分布式InP HBT小信号模型,同时提出了一种直接的参数提取方法且不使用任何数值优化。结果显示,若忽略寄生参数的影响,本征参数提取结果会被高估,且寄生电阻与寄生电感存在明显的趋肤效应。通过ADS2016仿真工具的散射参数模拟结果与测试数据的一致性比较,验证了小信号模型和参数提取方法的有效性和准确性。

关键词： InP HBT 毫米波参数提取小信号模型寄生参数散射参数