检索结果-南通市图书馆

Journal of Semiconductors 2005年第5期26卷 1065-1071页

作者：刘世杰杜惊雷段茜罗铂靓唐雄贵郭永康杜春雷四川大学物理学院陕西理工学院物理系汉中723001 微细加工光学技术国家重点实验室

针对厚层抗蚀剂曝光过程中存在诸非线性因素的影响,更新Dill曝光参数的定义,建立了适合描述厚层抗蚀剂曝光过程的增强Dill模型.光刻过程模拟的准确性与曝光参数的测量精度有很大关系,为此,建立了实时曝光监测实验装置,测量了不同工艺条... 详细信息

针对厚层抗蚀剂曝光过程中存在诸非线性因素的影响,更新Dill曝光参数的定义,建立了适合描述厚层抗蚀剂曝光过程的增强Dill模型.光刻过程模拟的准确性与曝光参数的测量精度有很大关系,为此,建立了实时曝光监测实验装置,测量了不同工艺条件、不同厚度抗蚀剂的曝光透过率曲线,并演绎计算出曝光参数随抗蚀剂厚度和工艺条件的变化规律.最后给出了采用增强Dill模型进行曝光过程的模拟和实验结果的分析.

关键词：厚层抗蚀剂光刻曝光增强Dill模型曝光参数

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厚层抗蚀剂成像特性研究

厚层抗蚀剂成像特性研究

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作者：肖啸四川大学

学位级别：硕士

从二十世纪九十年代以来，微电子机械系统(MEMS)发展迅速，促进了其加工方法的不断完善和进步。近年来，作为制作优质大高宽比微结构的厚层抗蚀剂光刻术以其工艺简单、制作成本低等优点受到国际上广泛重视。随着MEMS的迅速发展，其结构... 详细信息

从二十世纪九十年代以来，微电子机械系统(MEMS)发展迅速，促进了其加工方法的不断完善和进步。近年来，作为制作优质大高宽比微结构的厚层抗蚀剂光刻术以其工艺简单、制作成本低等优点受到国际上广泛重视。随着MEMS的迅速发展，其结构愈来愈复杂，高深宽比的新型MEMS结构需要被设计和加工，迫切需要对厚胶光刻过程的模拟。但目前关于厚层抗蚀剂光刻方面的研究，主要局限于实验工艺的改进上，对其图形传递机理的研究做得很少，现有的曝光、显影模型均未考虑厚层抗蚀剂光刻成像的一些特殊属性，一定程度上制约了厚胶光刻术的深入发展和应用。本论文以抗蚀剂的曝光显影理论为基础，深入开展了厚层抗蚀剂的成像特性的研究，可为厚胶光刻实验提供指导依据。在论文中，基于抗蚀剂的光化学和反应动力学理论，重点研究了一些非线性因素对厚层抗蚀剂光刻带来的影响。针对厚层抗蚀剂在曝光过程中折射率发生了变化以及曝光参数随抗蚀剂厚度变化的特点，改进了原有的曝光模型;针对厚层抗蚀剂显影参数随抗蚀剂厚度变化的特点以及在显影过程中出现的表面抑制效应现象，改进了原有的显影模型。建立了适用于厚层抗蚀剂光刻的成像新模型。同时，在论文中还深入讨论了抗蚀剂折射率变化对光场计算带来的误差;模拟了后烘过程对驻波效应的改善作用，论证了采用适当的后烘工艺改善抗蚀剂光刻质量的作用;分析了驻波效应对厚层抗蚀剂显影轮廓的影响，提出了一个可以忽略驻波效应影响的抗蚀剂厚度条件值;最后还模拟和分析了厚层抗蚀剂显影轮廓特点并给出了实验结果。

关键词：厚层抗蚀剂光刻成像模拟曝光显影后烘

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厚层抗蚀剂光刻技术研究进展

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陕西理工学院学报（自然科学版） 2007年第3期23卷 15-19页

作者：郭颖潘峰周平和王少华刘世杰陕西理工学院物理系陕西汉中723001

厚层抗蚀剂光刻是一种制作深浮雕结构的微细加工技术。综述了近年来厚层抗蚀剂光刻技术的最新进展,从厚层抗蚀剂光刻工艺原理以及计算机模拟诸方面分析了该技术区别与传统光刻的一些特点,并对其应用的研究现状进行了总结,最后指出了进... 详细信息

厚层抗蚀剂光刻是一种制作深浮雕结构的微细加工技术。综述了近年来厚层抗蚀剂光刻技术的最新进展,从厚层抗蚀剂光刻工艺原理以及计算机模拟诸方面分析了该技术区别与传统光刻的一些特点,并对其应用的研究现状进行了总结,最后指出了进一步发展厚层抗蚀剂光刻技术的关键问题。

关键词：厚层抗蚀剂光刻模拟技术发展趋势

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厚层抗蚀剂显影轮廓分析

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光学与光电技术 2003年第4期1卷 43-46页

作者：刘世杰杜惊雷肖啸彭钦军刘驰郭永康四川大学物理学院

DILL曝光模型和MACK显影模型,编制了接触式曝光系统的厚层抗蚀剂光刻模拟软件,用其分析在理想曝光剂量条件下,抗蚀剂显影后的线宽和侧壁陡度随显影时间的变化规律,分析得出了给定厚度的抗蚀剂的显影时间,为实验工艺上严格控制显影时间... 详细信息

DILL曝光模型和MACK显影模型,编制了接触式曝光系统的厚层抗蚀剂光刻模拟软件,用其分析在理想曝光剂量条件下,抗蚀剂显影后的线宽和侧壁陡度随显影时间的变化规律,分析得出了给定厚度的抗蚀剂的显影时间,为实验工艺上严格控制显影时间提供依据。

关键词：厚层抗蚀剂显影轮廓线宽 MEMS 接触式曝光系统光刻侧壁陡度微电子机械系统

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抗蚀剂AZ4562曝光参数的变化趋势分析

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固体电子学研究与进展 2006年第4期26卷 550-554页

作者：罗铂靓杜惊雷刘世杰郭小伟马延琴陈铭勇杜春雷郭永康四川大学物理学院成都610064 陕西理工学院物理系陕西汉中723001 微细加工光学技术国家重点实验室成都610209

针对厚胶曝光参数随不同光刻胶厚度及工艺条件变化的特点,在原有Dill曝光模型基础上,建立了适合于描述厚胶曝光过程的增强Dill模型,并将统计分析的趋势面法引入到厚胶曝光参数变化规律的研究中,给出了厚胶AZ4562曝光参数随胶厚及工艺条... 详细信息

针对厚胶曝光参数随不同光刻胶厚度及工艺条件变化的特点,在原有Dill曝光模型基础上,建立了适合于描述厚胶曝光过程的增强Dill模型,并将统计分析的趋势面法引入到厚胶曝光参数变化规律的研究中,给出了厚胶AZ4562曝光参数随胶厚及工艺条件的变化趋势,为开展厚胶光刻实验研究和曝光过程模拟提供指导性依据。

关键词：厚层抗蚀剂曝光模型曝光参数趋势面分析法

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