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二维Ga基三元硫族化合物电子和压电性质的理论研究
二维Ga基三元硫族化合物电子和压电性质的理论研究
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作者: 陈维真 河南大学
学位级别:硕士
石墨烯的成功合成启发人们对二维材料进行了广泛的研究。与块状材料相比,二维材料显示出许多独特的性质,例如高机械强度、高光催化活性、优异的光学和磁学性质。不仅如此,二维材料的这些特性还可以通过施加外部应变、控制缺陷或堆叠多... 详细信息
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氢修饰石墨烯纳米带压电性质的第一性原理研究
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物理学报 2013年 第6期62卷 137-142页
作者: 刘源 姚洁 陈驰 缪灵 江建军 华中科技大学光学与电子信息学院 武汉430074
采用第一性原理计算方法,系统研究了不同宽度、不同边缘修饰模式的间隔氢吸附锯齿型石墨烯纳米带的压电性质.结构优化和结合能计算表明,氢修饰石墨烯纳米带结构稳定.氢原子间隔排列的吸附使得纳米带中的相邻碳原子成键及电荷状态不同,... 详细信息
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La_3Ga_5SiO_(14)晶体的介电性质、弹性与压电性质
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物理学报 2003年 第3期52卷 726-728页
作者: 李正法 张沛霖 赵明磊 王春雷 钟维烈 王增梅 袁多荣 山东大学物理与微电子学院 济南250100 山东大学晶体材料国家重点实验室 济南250100
研究了La3Ga5SiO1 4晶体的介电性质、弹性和压电性质 ,其中弹性和压电性质是利用高频振动模式通过谐振法测定的 .
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Bi_(0.5)(Na_(1-x)K_x)_(0.5)TiO_3系陶瓷的压电性质与微观结构
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电子元件与材料 2004年 第11期23卷 8-10页
作者: 赁敦敏 肖定全 朱建国 余萍 庄严 四川大学材料科学与工程学院材料科学系 四川成都610064 广州杰赛科技股份有限公司 广东广州510310
利用传统陶瓷工艺制备了Bi0.5(Na1-xKx)0.5TiO3系无铅压电陶瓷,研究了该陶瓷的压电性质与微结构。研究结果表明,Bi0.5(Na1-xKx)0.5TiO3陶瓷的压电常数d33=142.2 pC/N、机电耦合系数kp=0.315;随着K+含量的增加,陶瓷晶粒尺寸有细化的趋势;... 详细信息
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二维纳米材料结构、光学和压电性质的理论研究
二维纳米材料结构、光学和压电性质的理论研究
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作者: 赵路丝 吉林大学
学位级别:硕士
在这个科技日新月异的时代,新材料的发现会极大地促进经济的迅猛发展,很多尖端制造领域的发展都和材料领域的每一次突破息息相关。石墨烯出现后,材料界掀起了一场探索二维材料的热潮,探索和调控二维材料的物化性质成为低维纳米材料领域... 详细信息
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纯PZT陶瓷的低温介电性质与压电性质
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华中科技大学学报(自然科学版) 1983年 第1期 47-52页
作者: 张绪礼 ,陈志雄 ,L.E.克罗斯 ,W.A.休斯
在4.2至300K的低温范围内对组分邻近于准同型相界的纯钛锆酸铅压电陶瓷(PZT)的介电性质和压电性质进行了实验研究.结果表明,组分紧靠准同型相界的PZT具有最大的介电和压电活性.结果还表明,至少有两个弛豫过程对纯PZT的介电性质和压电... 详细信息
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颗粒定向的PbBi2Nb2O9陶瓷的压电性质
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华南理工大学学报(自然科学版) 1983年 第4期 1-7页
作者: 林声和
本文叙述颗粒定向的PbBiNbO陶瓷的压电性质。具有高颗粒定向程度的陶瓷呈现了很强的各向异性的电性质。垂直于热压方向,其压电系数d高达40×10C/N的量值。而平行于热压方向,陶瓷不可能被极化。
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在Te单晶上沉积Se膜的压电性质
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压电与声光 1971年 第3期 28-33页
1.引言过去已经报导过单晶Se的压电常数或者电机耦合系数大于单晶CdS或别的Ⅱ-Ⅵ族化合物的压电常数或电机耦合系数,真空蒸发的Se膜可用来制作有效的高频超声换能器。然而,直到用外延生长方法在Te单晶上生长出Se单晶薄膜为止,几乎很少研究
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硼硅酸锂玻璃陶瓷的压电性质
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电子元件与材料 1984年 第1期 68-70+60页
作者: 苏兆文
通过使样品在某一温度梯度的条件下结晶的办法可制造出具有定向排列微晶结构的Li;O—SiO;—B;O;系统的玻璃陶瓷。本文报道了这种玻璃陶瓷的压电和机电性质。该系统的某些组成显示了出具有比LiTaO;单晶更优良的谐振频率温度系数。文中还... 详细信息
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稀土改性的CaBi4Ti4O15基多功能陶瓷的结构、铁电压电及荧光性质研究
稀土改性的CaBi4Ti4O15基多功能陶瓷的结构、铁电压电及荧光性质...
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作者: 肖萍 四川师范大学
学位级别:硕士
近年来,稀土掺杂铁电体构成的多功能材料因同时具有良好的电学和光学特性而被广泛关注。在众多铁电体中,铋层状结构陶瓷因其高的居里温度,大的各向异性及低的损耗因子等优点而被大量研究。作为典型的四层铋层状结构材料,CaBiTiO具有居... 详细信息
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