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  • 2 篇 工学
    • 2 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 2 篇 单粒子效应
  • 2 篇 单粒子介质击穿
  • 1 篇 二氧化硅mos电容器...
  • 1 篇 功率放大器
  • 1 篇 辐照试验
  • 1 篇 mos电容器
  • 1 篇 重离子辐照试验
  • 1 篇 氮化镓功率放大器

机构

  • 2 篇 国防科技工业抗辐...
  • 2 篇 南京电子器件研究...
  • 2 篇 中国空间技术研究...
  • 2 篇 空间电子信息技术...

作者

  • 2 篇 孙毅
  • 2 篇 李晓亮
  • 2 篇 张洪伟
  • 2 篇 梅博
  • 2 篇 唐民
  • 2 篇 王贺
  • 2 篇 李鹏伟
  • 2 篇 吕贺
  • 2 篇 文平
  • 2 篇 王哲力
  • 2 篇 于庆奎

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=单粒子介质击穿"
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MOS电容器单粒子介质击穿导致GaN功率放大器失效分析
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航天器环境工程 2019年 第5期36卷 458-462页
作者： 于庆奎 张洪伟 孙毅 梅博 李晓亮 吕贺 王贺 李鹏伟 唐民 王哲力 文平 中国空间技术研究院 国防科技工业抗辐照应用技术创新中心 北京100029 南京电子器件研究所 南京210016 空间电子信息技术研究院 西安710100
为验证一款GaN功率放大器抗空间辐射效应能力,对其进行了重离子单粒子效应试验研究。被试样品是由GaN HEMT、MOS电容器和电感器等组成的混合电路。试验源为加速器产生的锗离子(Ge^+13,能量205 MeV),线性能量传输(LET)值为37.4 MeV cm^2... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
GaN功率放大器重离子辐照试验研究
GaN功率放大器重离子辐照试验研究
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中国核学会2019年学术年会
作者： 于庆奎 孙毅 张洪伟 梅博 李晓亮 吕贺 王贺 李鹏伟 唐民 王哲力 文平 中国空间技术研究院 国防科技工业抗辐照应用技术创新中心 南京电子器件研究所 空间电子信息技术研究院
在加速器上对GaN功率放大器进行了重离子辐照试验。GaN功率放大器由GaN HEMT、二氧化硅MOS电容器和电感器等构成。试验离子为Si、Ti和Ge,离子的线性能量传输(LET)值分别为9.6 MeV·cm/mg、21 MeV·cm/mg和37.4 MeV·cm/mg。试验结果是,... 详细信息
来源： cnki会议 评论
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