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单电子晶体管研究进展

固体电子学研究与进展 2001年第3期21卷 294-305页

作者：郭宝增宋登元河北大学电子信息工程学院保定071002

在简单介绍了单电子晶体管 (SET)的工作原理后 ,综述了 SET在制造和应用方面的研究进展。

关键词：单电子晶体管库仑阻塞效应纳米结构

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单电子晶体管放大器的数值分析

Journal of Semiconductors 1997年第8期18卷 626-630页

作者：沈波蒋建飞上海交通大学微电子研究所上海200030

本文基于单电子隧道效应晶体管的半经典模型，研究了电容耦会单电子隧道晶体管放大器的静态特性和小信号特性．结果表明：单电子晶体管放大器具有灵敏度高，功耗低等优点，缺点是由于几率工作，工作条件受到严格的限制．

关键词：单电子晶体管放大器单电子隧道效应

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电容耦合三结高温超导单电子晶体管数值模拟

固体电子学研究与进展 1998年第3期18卷 263-268页

作者：童明照蒋建飞蔡琪玉上海交通大学微电子研究所 200030

基于单电子隧道效应的半经典模型，研究了电容耦合三结高温超导单电子晶体管的基本方程，分析了其I－V特性，并对两结和三结高温超导单电子晶体管的特性进行了比较。结果表明，单电子晶体管的特性与常规晶体管有很大的差别，且三结高温... 详细信息

基于单电子隧道效应的半经典模型，研究了电容耦合三结高温超导单电子晶体管的基本方程，分析了其I－V特性，并对两结和三结高温超导单电子晶体管的特性进行了比较。结果表明，单电子晶体管的特性与常规晶体管有很大的差别，且三结高温超导单电子晶体管比两结高温超导单电子晶体管有更高的灵敏度和更强的抗电磁干扰能力。

关键词：库仑阻塞单电子隧道效应单电子晶体管

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基于单电子晶体管的脉冲神经元模型

应用科学学报 2012年第6期30卷 649-654页

作者：刘文鹏陈旭鲁华祥中国科学院半导体研究所人工神经网络实验室北京100083

从脉冲神经元脉冲收发的需求出发,研究发现电流脉冲与单电子晶体管的库伦震荡之间的相似性,利用这种相似性提出基于单电子晶体管的脉冲神经元模型,设计出单电子电路模型并用PSPICE进行模拟仿真.仿真结果表明,该脉冲神经元模型能满足Izhi... 详细信息

从脉冲神经元脉冲收发的需求出发,研究发现电流脉冲与单电子晶体管的库伦震荡之间的相似性,利用这种相似性提出基于单电子晶体管的脉冲神经元模型,设计出单电子电路模型并用PSPICE进行模拟仿真.仿真结果表明,该脉冲神经元模型能满足Izhikevich脉冲神经元模型规则脉冲的要求,实现电流脉冲的输入输出,具有脉冲编码的能力.

关键词：单电子晶体管库伦震荡脉冲神经元

电容耦合互补型单电子晶体管逻辑单元的数值模拟

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固体电子学研究与进展 2000年第4期20卷 357-362页

作者：黄萍蒋建飞蔡琪玉童明照上海交通大学微电子研究所 200030

根据单电子系统半经典模型 ,采用蒙特卡罗法单电子模拟程序对电容耦合的类 CMOS单电子逻辑单元在不同参数条件下的转移特性进行数值模拟。这种模拟器的物理内涵是通过建立n沟单电子晶体管 (SET)开关单元、p沟 SET开关单元以及互补型 SE... 详细信息

根据单电子系统半经典模型 ,采用蒙特卡罗法单电子模拟程序对电容耦合的类 CMOS单电子逻辑单元在不同参数条件下的转移特性进行数值模拟。这种模拟器的物理内涵是通过建立n沟单电子晶体管 (SET)开关单元、p沟 SET开关单元以及互补型 SET开关单元的电容电压电荷方程 ,然后根据隧穿前后系统自由能的变化来确定系统的隧穿率 ,建立电流 -电压方程来决定开关特性而得到的。

关键词：单电子晶体管电容耦合逻辑单元数值模拟

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单电子晶体管I-V特性数值分析

西安电子科技大学学报 2002年第2期29卷 153-156,168页

作者：杜磊庄奕琪江文平西安电子科技大学技术物理学院陕西西安710071

在单电子晶体管的正统理论的基础上 ,建立了平稳条件下I V特性的数值分析方法 .应用该方法计算和分析了温度和栅压对单电子晶体管I V 特性的影响 ,研究了隧道结电阻对于库仑台阶及电导振荡的影响 ,分析了单电子现象产生的条件 .

关键词：单电子晶体管库仑阻塞库仑台阶 I-V特性数据分析

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单电子晶体管的制备与表征

低温物理学报 2020年第2期42卷 97-102页

作者：吴小宇赵虎李智四川大学电子信息学院航空工业西安飞行自动控制研究所

单电子晶体管是一种非常重要的器件,在量子计算、电荷探测领域具有重要应用.由于其尺寸极小,很容易受到静电的影响导致损坏,并且对于测试条件要求苛刻,制备与观测较为困难.本文用双角度蒸发的方法制备了SET,在稀释制冷机的10 mK极低温度... 详细信息

单电子晶体管是一种非常重要的器件,在量子计算、电荷探测领域具有重要应用.由于其尺寸极小,很容易受到静电的影响导致损坏,并且对于测试条件要求苛刻,制备与观测较为困难.本文用双角度蒸发的方法制备了SET,在稀释制冷机的10 mK极低温度下,对SET的基本性能进行了测试和表征.针对制备、运输、测试以及安装的全流程提出了一整套静电防护方案.

关键词：单电子晶体管双角度蒸发约瑟夫森结静电防护

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室温工作的单电子晶体管研究

国防科技大学学报 2009年第6期31卷 25-28页

作者：方粮池雅庆隋兵才张超仲海钦国防科技大学计算机学院湖南长沙410073

由于具有低功耗、高速度、高集成度等优点,单电子晶体管成为最有前景的纳米电子功能器件之一。但是,由于结构上的特殊性,单电子晶体管只能在低温下正常工作,该特性限制了其实用化进程。因此,研究可在室温下工作的单电子晶体管具有重要... 详细信息

由于具有低功耗、高速度、高集成度等优点,单电子晶体管成为最有前景的纳米电子功能器件之一。但是,由于结构上的特殊性,单电子晶体管只能在低温下正常工作,该特性限制了其实用化进程。因此,研究可在室温下工作的单电子晶体管具有重要意义。在分析单电子晶体管工作机理的基础上,计算了单电子晶体管室温工作的基本条件,并实验制备出了样片。测试结果表明,所制备的单电子晶体管可在室温下表现出库仑振荡等基本特性。该研究成果将为单电子晶体管的集成实用化打下良好的基础。

关键词：单电子晶体管室温单电子晶体管纳米器件

基于主方程法单电子晶体管的Verilog-A行为模型

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电子学报 2009年第2期37卷 342-346页

作者：卢刚魏芬芬西安理工大学电子工程系陕西西安710048

基于单电子晶体管的主方程算法,在简化Lientschnig的单电子晶体管模型基础上,建立了基于Verilog-A的单电子晶体管行为描述模型,并利用Cadence Spectre仿真器对该模型进行了验证.通过单电子晶体管逻辑电路的设计和仿真,表明该模型具有合... 详细信息

基于单电子晶体管的主方程算法,在简化Lientschnig的单电子晶体管模型基础上,建立了基于Verilog-A的单电子晶体管行为描述模型,并利用Cadence Spectre仿真器对该模型进行了验证.通过单电子晶体管逻辑电路的设计和仿真,表明该模型具有合理的精确度,且速度快,为单电子晶体管电路及混合电路的仿真提供了一种有效的方法.

关键词：单电子晶体管主方程法 Verilog-A SET逻辑电路