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单电子效应及其应用

光电子．激光 1997年第2期8卷 6-9页

作者：戴松涛金雷陈瓞延清华大学现代应用物理系激光单原子探测开放研究实验室

本文总结了单电子器件的工作，同时也讨论了作为此类器件设计基础的库仑阻塞效应。分析了制备单电子器件的关键技术。

关键词：单电子效应单电子器件库仑阻塞原子级结构

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检测量子结构中单电子效应的新方法

科技中国 2005年第3期 53-53页

加拿大的物理学家研究出一种检测量子结构中单电子效应的新方法，这种方法无须把引线接到所研究的系统上。这种被称为“静电力光谱法”的方法需依靠原子力显微镜，空间分辨率为50纳米。量子结构是一些将电子限制在1个、2个或3个方向的... 详细信息

加拿大的物理学家研究出一种检测量子结构中单电子效应的新方法，这种方法无须把引线接到所研究的系统上。这种被称为“静电力光谱法”的方法需依靠原子力显微镜，空间分辨率为50纳米。量子结构是一些将电子限制在1个、2个或3个方向的半导体结构。电子的3个方向全部被限制的结构称为“量子点”。量子结构除了是基础研究的热门之外，还可能应用于半导体激光器、数据存储设备和量子计算机中。

关键词：量子结构单电子效应检测方法 “静电力光谱法”

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一维介观结链中的双电荷孤子

物理学报 2001年第10期50卷 1984-1990页

作者：郑小宏曾朝阳匡乐满湖南师范大学物理系长沙410081

采用半经典模型研究了一维介观结链中两个岛上各存在一个剩余电子时的电势分布 ,发现在一维介观链中存在双电荷孤子 .双电荷孤子的主要特征是它的电势峰发生了劈裂 ,形成双峰 ,两峰在通常情况下不等高 .研究了双电荷孤子电势峰和阈电压... 详细信息

采用半经典模型研究了一维介观结链中两个岛上各存在一个剩余电子时的电势分布 ,发现在一维介观链中存在双电荷孤子 .双电荷孤子的主要特征是它的电势峰发生了劈裂 ,形成双峰 ,两峰在通常情况下不等高 .研究了双电荷孤子电势峰和阈电压对一维介观结链结构参数的依赖关系 .提出了研究双电荷孤子的等效单电荷孤子方法 ,表明在等效电荷区域 ,双电荷孤子的电势分布与等效单电荷孤子在同一区域的电势分布相同 .

关键词：一维介观结链双电荷孤子单电子效应等效单电荷弧子方法纳米材料

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双栅调控的硅量子线中的库仑振荡效应

物理学报 2011年第2期60卷 626-630页

作者：张贤高方忠慧陈坤基钱昕晔刘广元徐骏黄信凡何飞南京大学物理系固体微结构国家实验室南京210093 无锡华润华晶微电子有限公司无锡214061

基于单电子隧穿和库仑阻塞效应,研究了硅量子线中的单电子输运特性.利用绝缘体上硅薄膜材料作为衬底构建侧栅结构的硅量子线单电子晶体管,通过背栅和侧栅对量子线的电子输运特性进行调制.实验发现,在硅量子线中分别观察到背栅和侧栅调... 详细信息

基于单电子隧穿和库仑阻塞效应,研究了硅量子线中的单电子输运特性.利用绝缘体上硅薄膜材料作为衬底构建侧栅结构的硅量子线单电子晶体管,通过背栅和侧栅对量子线的电子输运特性进行调制.实验发现,在硅量子线中分别观察到背栅和侧栅调制的单电子效应和库仑振荡现象.从微分电导的二维灰度轮廓图,清楚地观察到了库仑阻塞区,说明由于栅压导致在硅量子线中形成了库仑岛.

关键词：库仑振荡单电子效应硅量子线

纳米SONOS存储器后段低K介质材料及局域存储性能研究

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纳米SONOS存储器后段低K介质材料及局域存储性能研究

作者：盛迎晓南京大学

学位级别：硕士

局部俘获型多晶硅-二氧化硅-氮化硅-二氧化硅-硅(SONOS)存储器运用了多位和多值存储技术,因而得到广泛应用及重视。然而随着存储器尺寸不断缩小及后段铜互连技术的广泛应用,SONOS存储器正面临诸多问题。本论文针对纳米SONOS器件中局域... 详细信息

局部俘获型多晶硅-二氧化硅-氮化硅-二氧化硅-硅(SONOS)存储器运用了多位和多值存储技术,因而得到广泛应用及重视。然而随着存储器尺寸不断缩小及后段铜互连技术的广泛应用,SONOS存储器正面临诸多问题。本论文针对纳米SONOS器件中局域电荷表征问题和后段金属互连中低K介质的可靠性问题开展了一系列实验工作。后段互连系统中,低K介质在降低互连电容、提高互连系统速度性能的同时,由于其柔软、易膨胀和导热少等缺点,对介质的淀积工艺及可靠性带来了一定的挑战。本文通过调节反应物SiH4剂量实现了低K-SiOx介质的制备,并研究了该介质的可靠性。另一方面,SONOS存储器采用CHEI编程和BTBT擦除方式工作,在编程和擦除过程中,由于CHEI注入电子和BTBT注入空穴的空间分布不匹配导致存储层中存在残留电荷堆积。随着器件尺寸不断缩小,电荷堆积的影响越来越严重;但传统电荷表征技术在小尺寸器件中不能精确表征积累电荷分布。本文开发了SONOS器件中的单电子注入技术,并根据该技术提出了一种精确表征存储层中局域电荷分布的方法,为小尺寸SONOS器件的可靠性研究提供了重要的表征方法。主要成果如下：1.通过调节二氧化硅淀积工艺中SiH4剂量制备了低K-SiOx介质;并研究了该低K-SiOx介质的可靠性;发现增大SiH4的剂量可以降低介质的介电常数,但导致介质抗击穿强度减小、经时击穿性能降低。2.基于低压热载流子注入方法实现了纳米SONOS器件中的单个电子注入;结合理论、TCAD仿真及实验,研究了存储层中注入单电子的横向位置及对器件阈值电压的影响。进一步利用单电子效应,通过数据拟合精确表征SONOS存储层中局域电荷的分布。

关键词：单电子效应局域电荷横向分布金属互连系统低K-SiOx介质

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单分子化学与物理

世界科技研究与发展 1999年第4期21卷 12-15页

作者：白春礼苏明中国科学院化学研究所

单分子科学的概念是在扫描探针显微镜、激光镊子和其他相关光谱法在纳米级或分子级研究中的应用中发展起来的。我们在此对近来单分子化学和物理的进展作一评论性的回顾，并主要介绍单分子化学和物理的概念以及单分子表面研究、单分子光... 详细信息

单分子科学的概念是在扫描探针显微镜、激光镊子和其他相关光谱法在纳米级或分子级研究中的应用中发展起来的。我们在此对近来单分子化学和物理的进展作一评论性的回顾，并主要介绍单分子化学和物理的概念以及单分子表面研究、单分子光谱检测、单原子和／或分子操纵、单分子荧光法、激光摄子、生物分子的力学研究，以及所谓单电子效应和单电子器件的进展情况。本文最后强调了单分子科学和技术的重要性。

关键词：单分子科学扫描探针显微镜单分子荧光法单分子光谱检测单分子化学物理单电子效应单电子器件

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单电子器件的仿真

计算机仿真 2000年第4期17卷 56-58,65页

作者：何红波周继承胡慧芳李义兵长沙铁道学院信息学院材料研究所 410075

该文介绍了一种利用正统理论与ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法模拟单电子隧穿器件的仿真程序。该程序可模拟电子通过包含小隧道结、电容和理想电压源的电路的输运过程。利用该程序，对单库仑岛和多库仑岛的单电子晶体管（ＳＥＴ）系统进行... 详细信息

该文介绍了一种利用正统理论与ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法模拟单电子隧穿器件的仿真程序。该程序可模拟电子通过包含小隧道结、电容和理想电压源的电路的输运过程。利用该程序，对单库仑岛和多库仑岛的单电子晶体管（ＳＥＴ）系统进行了模拟。

关键词：隧道结单电子器件单电子效应仿真

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关于FQHE

当代外语研究 1999年第9期 43-43页

作者：苑科法哈工大管理学院

贵刊《科技英语学习》1999年第6期登载了广西马轮基同志的《于细微处于求精确)一文,该文末尾提出了FQHE一词的翻译,现就笔者所知,试译及介绍如下: FQHE应为Fraction Quantum Hall Effect的简写,据此应把FQHE译为“分数量子霍尔效应”。... 详细信息

贵刊《科技英语学习》1999年第6期登载了广西马轮基同志的《于细微处于求精确)一文,该文末尾提出了FQHE一词的翻译,现就笔者所知,试译及介绍如下: FQHE应为Fraction Quantum Hall Effect的简写,据此应把FQHE译为“分数量子霍尔效应”。那么是否有“整数量子霍尔效应”呢?答案是肯定的。

关键词：整数量子霍尔效应分数量子霍尔效应英语学习量子流体地球磁场强度单电子效应超强磁场计算机存储器超低温环境不连续变化