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影响单电子非线性汤姆孙散射因素的研究

物理学报 2005年第3期54卷 1018-1035页

作者：郑君盛政明张杰魏志义余玮中国科学院物理研究所光物理开放实验室北京100080 中国科学院上海光学精密机械研究所上海201800

应用电子汤姆孙散射的经典理论 ,通过理论分析和计算机模拟 ,研究了超短超强激光脉冲作用下电子产生的辐射脉冲的性质 .计算表明 ,在这种情况下 ,电子的辐射通常以阿秒脉冲列的形式出现 .讨论了不同激光场参数 (包括激光强度、脉宽、初... 详细信息

应用电子汤姆孙散射的经典理论 ,通过理论分析和计算机模拟 ,研究了超短超强激光脉冲作用下电子产生的辐射脉冲的性质 .计算表明 ,在这种情况下 ,电子的辐射通常以阿秒脉冲列的形式出现 .讨论了不同激光场参数 (包括激光强度、脉宽、初相位和偏振态 )、不同电子初始状态 (初始速度和位置 )对辐射脉冲的时间和空间特性的影响 .通常在相对论光强条件下 ,激光强度越大 ,电子辐射越强 ,脉宽越窄 ,中心频率越大 ,并且方向性越好 ;电子在线偏振激光中产生的辐射效率 ,比在同样强度下圆偏振激光中产生的效率更高 ;无论入射光是线偏振光 ,还是圆偏振光 ,辐射场呈现较复杂的偏振态 ,并且它与辐射方向有关 .当电子具有一定的初始能量时 ,通常辐射场的振幅随电子初始能量的增大而增大 .不管电子的初始能量以及运动方向如何 ,做相对论运动的电子产生的辐射趋向于出现在靠近电子运动方向的角度区域 .

关键词：单电子圆偏振相对论初始能量超短超强激光激光场偏振态脉宽激光强度辐射脉冲

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随机背景极化电荷对单电子电路影响的分析

固体电子学研究与进展 2003年第1期23卷 14-17页

作者：王伟张海黔顾宁东南大学分子与生物分子电子学教育部重点实验室南京210096

根据单电子现象的半经典理论 ,采用 Monte Carlo方法 ,对三种 SED电路进行模拟 ,结果发现 ,多岛单电子电路具有较强的抑制背景电荷极化效应的能力。

关键词：单电子随机背景极化电荷 Monte Carlo模拟集成电路电荷极化效应

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自卤仿产生二卤卡宾的单电子转移过程

化学学报 1987年第4期45卷 415-417页

作者：许临晓陶凤岗于同隐葛明陶陈士明复旦大学化学系复旦大学分析测试中心复旦大学分析测试中心上海

按照经典机理,由卤仿产生二卤卡宾是经过了一个简单的两步过程:虽然这一过程缺少可靠的全面验证,但该机理已被广泛接受,并推广到了许多类似反应,迄今尚未见有对其提出异议的报道。我们在研究溴仿和氯仿混合体系的反应中发现产物组成与... 详细信息

按照经典机理,由卤仿产生二卤卡宾是经过了一个简单的两步过程:虽然这一过程缺少可靠的全面验证,但该机理已被广泛接受,并推广到了许多类似反应,迄今尚未见有对其提出异议的报道。我们在研究溴仿和氯仿混合体系的反应中发现产物组成与预期结果不符。在烯烃存在下,反应同时给出三种偕二卤环丙烷。

关键词：卤素交换卡宾游离基庚烷自由基烷烃环丙烷环烷烃单电子转移过程

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单电子“看见”单光子

物理实验 2001年第7期21卷 47-48页

作者：张国勇张鹏翔昆明理工大学材料科学与工程系 650051

假如单光子的波长比1μm小很多,则单个光子就可以很容易地被光电倍增管探测到.在光电倍增管里有对光敏感的物质,这些物质装在一个真空管里,当一个光子打在其上面时,可以产生大量的电子.这种从一个光子到许多电子的转换在可见光至近红外... 详细信息

假如单光子的波长比1μm小很多,则单个光子就可以很容易地被光电倍增管探测到.在光电倍增管里有对光敏感的物质,这些物质装在一个真空管里,当一个光子打在其上面时,可以产生大量的电子.这种从一个光子到许多电子的转换在可见光至近红外的范围内都工作得很好,但是对较长波长的单个光子来说就不那么好了.

关键词：单电子单光子探测器光电倍增管量子

单电子晶体管和MOS管的混合电路设计与仿真

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单电子晶体管和MOS管的混合电路设计与仿真

作者：孔阳阳兰州大学

学位级别：硕士

随着集成电路向着高集成度，高速度和低功耗的方向发展，传统的集成电路将会遇到问题，解决的途径有两种：(1)沿摩尔定律继续发展，采用新技术进一步提高以CMOS为基础结构的集成电路特性;(2)另辟蹊径发展新原理纳电子器件和电路。而单... 详细信息

随着集成电路向着高集成度，高速度和低功耗的方向发展，传统的集成电路将会遇到问题，解决的途径有两种：(1)沿摩尔定律继续发展，采用新技术进一步提高以CMOS为基础结构的集成电路特性;(2)另辟蹊径发展新原理纳电子器件和电路。而单电子晶体管作为最具代表性的纳电子器件，被认为是最有可能替代MOS管的新器件，逐步在国内外掀起了单电子的研究热。本文结合当今国内外对单电子电路的研究，提出了一种新型的模数转换器(ADC)和数模转换器(DAC)电路，它们主要由单电子晶体管、MOS晶体管和电容组成．这种混合单电子/MOS ADC和DAC电路兼有单电子电路和MOS电路的优点。利用单电子晶体管的SPICE宏观模型参数进行单电子/MOS混合ADC和DAC电路的设计和仿真。使用H-SPICE仿真器对混合单电子/MOS 6位ADC和2位DAC电路进行了仿真。仿真结果表明提出的两种电路可以在室温下进行正常的模数(A/D)和数模(D/A)转换．这两种混合单电子/MOS ADC和DAC电路具有以下一些优点：(1)和传统的CMOS ADC和DAC电路相比，结构更简单、功耗更低;(2)和单电子晶体管ADC和DAC电路相比，具有更大的负载能力以及更大的模拟输入输出范围，并且能够用现代硅工艺来实现;(3)转换频率高;(4)线性度好;(5)ADC和DAC电路的分辨率可以分别采用流水线的结构和级联权电容的方法来提高。

关键词：单电子单电子晶体管 MOS 模数转换器数模转换器 Hspice

氟烷基化和氟烷氧基化的研究 23.锌单电子转移引发全氟烷基碘与吡咯的反应

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化学学报 1988年第3期46卷 258-263页

作者：陈庆云裘再明中国科学院上海有机化学研究所

在二甲亚砜或二甲基甲酰胺中,锌能迅速引发全氟烷基碘(1)与吡咯的反应,生成2-氟烷基吡咯(3);在二氧六环中,主要生成全氟烷基碘的偶合产物5;在乙腈、二乙二醇二甲醚或苯等溶剂中,则同时生成3和5.反应能被对二硝基苯阻止.加入二烯丙基醚... 详细信息

在二甲亚砜或二甲基甲酰胺中,锌能迅速引发全氟烷基碘(1)与吡咯的反应,生成2-氟烷基吡咯(3);在二氧六环中,主要生成全氟烷基碘的偶合产物5;在乙腈、二乙二醇二甲醚或苯等溶剂中,则同时生成3和5.反应能被对二硝基苯阻止.加入二烯丙基醚能得到氟烷基取代的四氢呋喃衍生物.反应可能经锌单电子转移引发的自由基机理.对溶剂效应作了讨论.

关键词：全氟烷基偶合溶剂二氧六环二恶烷反应自由基机理单电子吡咯氮杂茂氮杂环化合物

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单电子能量的解析隐函数表示

中国科学（A辑） 1989年第2期20卷 159-166页

作者：吴国祯田伯刚中国科学院化学研究所

本文提出多核体系中单电子能量的解析隐函数表示。此方法建立在直接空间里的原子轨道线性组合和动量空间里波函数的表示。从理论上讲,任何级别的精确值都可以用叠代法求得。文中还讨论了此方法在和键角键长变化有关的分子课题中的可能... 详细信息

本文提出多核体系中单电子能量的解析隐函数表示。此方法建立在直接空间里的原子轨道线性组合和动量空间里波函数的表示。从理论上讲,任何级别的精确值都可以用叠代法求得。文中还讨论了此方法在和键角键长变化有关的分子课题中的可能应用。

关键词：单电子能量多核体系波函数

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Li^-和Na^-单电子解离过程的研究

原子核物理评论 2002年第2期19卷 169-171页

作者：陈熙萌吴翠娥刘兆远于得洋祁中王强杨治虎刘惠萍兰州大学物理科学与技术学院现代物理系中国科学院近代物理研究所甘肃兰州730000 中国科学院近代物理研究所

采用交叉束方法 ,利用负离子源产生的 3— 19keV的Li- 和Na- 轰击惰性气体靶He ,Ne和Ar ,通过静电偏转和位置灵敏探测器区分碰撞后中性粒子束和负离子束 ,测量了不同碰撞系统的中性粒子计数与相应入射负离子计数的比值R(E) ,并得到R(E)... 详细信息

采用交叉束方法 ,利用负离子源产生的 3— 19keV的Li- 和Na- 轰击惰性气体靶He ,Ne和Ar ,通过静电偏转和位置灵敏探测器区分碰撞后中性粒子束和负离子束 ,测量了不同碰撞系统的中性粒子计数与相应入射负离子计数的比值R(E) ,并得到R(E)与入射负离子能量、负离子种类和靶原子种类的关系 .

关键词：单电子解离过程交叉束负离子解离负离子-原子碰撞原子物理