检索结果-南通市图书馆

基础自动化 1994年第5期1卷 45-46,54页

作者：李振强吉化仪表厂研究所

本文介绍单片开关集成稳压器L4960的工作原理及其应用。它不仅具有使用外围元件少的特点，而且具有完善的保护电路。

关键词：开关电源集成稳压器单片开关稳压器

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L296大电流单片开关稳压器的原理与应用

电测与仪表 1991年第10期28卷 29-32页

作者：沙占友河北机电学院电子工程系

L296是国际80年代中期研制的大电流单片开关集成稳压器,其输出电流为4A (可扩大到10A),最大输出功率为160W,输出电压在5.1～40V 间可调。本文给出L296电路框图,对过压保护电路、重置电路作了说明,给出了一个设计实例及二个典型应用电路(... 详细信息

L296是国际80年代中期研制的大电流单片开关集成稳压器,其输出电流为4A (可扩大到10A),最大输出功率为160W,输出电压在5.1～40V 间可调。本文给出L296电路框图,对过压保护电路、重置电路作了说明,给出了一个设计实例及二个典型应用电路(5.1～15V、4A;12V、10A)。

关键词：大电流单片开关稳压电源

恒压／恒流输出式单片开关电源的设计原理（单片开关电源技术讲座之五）

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电源技术应用 2000年第12期3卷 48-51页

作者：沙占友武卫东王晓君河北科技大学，石家庄050054

单片开关电源是国际上90年代才开始流行的新型开关电源芯片，本文阐述恒压／恒流输出式的设计原理。

关键词：单片开关设计原理恒压/恒流输出

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一种新型单片开关电源的设计与实验

黄石高等专科学校学报 2000年第3期16卷 12-14页

作者：马学军自动化系

本文介绍了一种开关电源用功率芯片TOP2 2 4Y的功能、特点及其应用电路 ,并通过一种反激式变换电路的设计和实验证明了其良好的性能。

关键词：反激式开关电源 PIC 设计单片开关

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大电流单片开关稳压电源的制作

电气时代 1994年第5期 8-9页

作者：沙占友河北机电学院

单片开关式集成稳压器被誉为新型高效节能稳压电源,其电源效率可达90％以上。由于它把开关功率管也集成在芯片中,所以不仅性能优良,而且外围电路简单,为开关电源的推广与普及创造了条件。单片开关式集成稳压器的典型产品有意大利SGS公... 详细信息

单片开关式集成稳压器被誉为新型高效节能稳压电源,其电源效率可达90％以上。由于它把开关功率管也集成在芯片中,所以不仅性能优良,而且外围电路简单,为开关电源的推广与普及创造了条件。单片开关式集成稳压器的典型产品有意大利SGS公司生产的L4960、L4962及L296(国内对应型号是CW 4960、CW 4962和CW 296),其中1296的输出功率最大。下面以L296为例,介绍大电流单片开关稳压电源的制作原理。一、电路工作原理 L296的最大输出电流为4A(可扩展到10A),输出电压在5～40V范围内连续可调。

关键词：单片开关稳压电源制造

直焊式LNK500系列单片开关电源集成电路

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家庭电子 2005年第11S期 53-55页

作者：郑国川四川

所谓直焊式集成电路,指印刷电路板上无需打孔,在集成电路正面焊接的封装形式,如贴片式集成电路即为其中一种.

关键词：电源集成电路 500系列单片开关贴片式集成电路恒压输出印刷电路板小功率开关交流适配器封装形式

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高成品率手机用砷化镓单片开关

高成品率手机用砷化镓单片开关

可满足2016EPS能效标准的单片开关IC

2001年全国微波毫米波会议

作者：李拂晓蒋幼泉陈继义钮利荣高建峰邵凯杨乃彬南京电子器件研究所

采用砷化镓3英寸0.7μm离子注入MESFET标准工艺技术研制出手机用砷化镓单片开关(以下简称单片开关)。该单片开关面积1310×1250μm,总栅宽36mm,工作频率DC-2GHz,1GHz下插入损耗I小于0.52dB,隔离度I大于17dB,驻波VSWR≤1.3,2GHz下I小于0.... 详细信息

采用砷化镓3英寸0.7μm离子注入MESFET标准工艺技术研制出手机用砷化镓单片开关(以下简称单片开关)。该单片开关面积1310×1250μm,总栅宽36mm,工作频率DC-2GHz,1GHz下插入损耗I小于0.52dB,隔离度I大于17dB,驻波VSWR≤1.3,2GHz下I小于0.7dB,I大于11 dB,驻波≤1.3,反向三阶交调P优于64dBm,1W射频信号下的栅漏电小于20μA。连续五批共60片的统计结果表明,该单片开关圆片上芯片的直流成品率最低84%,最高96%;微波参数成品率在75%～86%之间,代表着国内砷化镓单片电路成品率的最高水平。

关键词：高成品率砷化镓单片开关

来源： cnki会议评论

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cnki会议

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今日电子 2014年第9期 68-68页

新器件可以为最高功率为10W的充电器和适配器提供精确的初级侧稳压，使它们适用于智能手机、平板电脑和其他移动设备，特别是那些必须满足30mW宅载限制的设备，这些标准包括即将实施的强制性美国能源部EPS效率法规和欧盟委员会的COCTier... 详细信息

新器件可以为最高功率为10W的充电器和适配器提供精确的初级侧稳压，使它们适用于智能手机、平板电脑和其他移动设备，特别是那些必须满足30mW宅载限制的设备，这些标准包括即将实施的强制性美国能源部EPS效率法规和欧盟委员会的COCTier2标准等。

关键词：能效标准单片开关可满足 IC 移动设备欧盟委员会美国能源部智能手机

Broadcom发布新型16端口单片开关BCM56580

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电子元器件应用 2006年第5期8卷 142-142页

Broadcom发布新的16端口2．5 Gigabit单片开关，使用现有的千兆位以太网（GbE）网络架构，在刀片服务器中同时实现1 Gigabit以太网（1GbE）与2．5 Gigabit连接。新的Broadcom StrataXGS Ⅲ 2．5 Gigabit开关与Broadcom通用的NetXtreme ... 详细信息

Broadcom发布新的16端口2．5 Gigabit单片开关，使用现有的千兆位以太网（GbE）网络架构，在刀片服务器中同时实现1 Gigabit以太网（1GbE）与2．5 Gigabit连接。新的Broadcom StrataXGS Ⅲ 2．5 Gigabit开关与Broadcom通用的NetXtreme Ⅱ聚合网络接口控制器（C-NIC）协同工作，提供了业内唯一的面向刀片服务器的2．5 Gigabjt端到端网络架构解决方案。

关键词：单片开关 Gigabit 以太网网络接口控制器刀片服务器网络架构协同工作

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高成品率砷化镓DPDT单片射频开关

固体电子学研究与进展 2003年第2期23卷 202-204,245页

作者：李拂晓蒋幼泉陈继义钮利荣高建峰邵凯杨乃彬南京电子器件研究所南京210016

采用砷化镓 76mm 0 .7μm离子注入 MESFET工艺技术研制出手机用砷化镓 DPDT单片射频开关(以下简称单片开关 )。该单片开关面积 1 3 1 0 μm× 1 2 5 0 μm,总栅宽 3 6mm,工作频率 DC～ 2 GHz,1 GHz下插入损耗 IL小于 0 .5 2 d B,隔离度... 详细信息

采用砷化镓 76mm 0 .7μm离子注入 MESFET工艺技术研制出手机用砷化镓 DPDT单片射频开关(以下简称单片开关 )。该单片开关面积 1 3 1 0 μm× 1 2 5 0 μm,总栅宽 3 6mm,工作频率 DC～ 2 GHz,1 GHz下插入损耗 IL小于 0 .5 2 d B,隔离度 ISO大于 1 7d B,驻波 VSWR≤ 1 .3 ,2 GHz下 IL小于 0 .7d B,ISO大于 1 1 d B,驻波≤ 1 .3 ,反向三阶交调 PTOI优于 64 d Bm,1 W射频信号下的栅漏电小于 2 0 μA。连续五批共 60片的统计结果表明 ,该单片开关圆片上芯片的直流成品率最低 84 % ,最高 96% ;微波参数成品率在 75 %～ 86%之间 ,代表着国内 Ga

关键词：砷化镓 DPDT 射频开关单片开关 GaAs 手机