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  • 1 篇 硅
  • 1 篇 应变
  • 1 篇 双晶排列

机构

  • 1 篇 中国科学院上海冶...
  • 1 篇 royal melbourune...
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作者

  • 2 篇 李润身
  • 1 篇 j.s.williams
  • 1 篇 stephen milkins
  • 1 篇 andrew stevenson
  • 1 篇 h.k.wagenfeld

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=单晶损伤"
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测定离子注入单晶损伤与应变的双晶(n^v,-n^v)排列方法
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Journal of Semiconductors 1990年 第1期11卷 14-19页
作者： 李润身 H.K.Wagenfeld J.S.Williams Stephen Milkins Andrew Stevenson 中国科学院上海冶金研究所 Royal Melbourune Institute of Technology Australia CSIRO.Division of Material Science and Technology Australia
依据双晶摇摆曲线的形成原理,提出了一种高分辨率,高灵敏度的测定离子注入单晶损伤与应变的双晶(n^v,—n^v)排列方法。考虑到掠入射情形的色散效应,对掠射角的选择进行了讨论。对Ga注入Si单晶样品的测定证实了(n^v—n^v)排列的优越性,... 详细信息
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测定离子注入单晶损伤与应变的双晶（n^v,—n^v）排列方法
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科技通讯（上海船厂） 1989年 第4期 41-45,54页
作者： 李润身
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 评论
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