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主题

  • 4 篇 单刀八掷开关
  • 2 篇 隔离度
  • 1 篇 单刀双掷开关
  • 1 篇 嵌入吸收式
  • 1 篇 匹配电路
  • 1 篇 功率处理能力
  • 1 篇 毫米波
  • 1 篇 插损
  • 1 篇 插入损耗
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  • 1 篇 氮化镓
  • 1 篇 绝缘体上硅工艺
  • 1 篇 极低温
  • 1 篇 表面波
  • 1 篇 单刀四掷开关

机构

  • 1 篇 中国科学院上海高...
  • 1 篇 中国科学院大学
  • 1 篇 中国电子科技集团...
  • 1 篇 西安电子科技大学
  • 1 篇 电子科技大学

作者

  • 1 篇 肖飞
  • 1 篇 黎培森
  • 1 篇 牛旭
  • 1 篇 唐小宏
  • 1 篇 赵鹏
  • 1 篇 史佳
  • 1 篇 刘轶
  • 1 篇 崔杰
  • 1 篇 陈磊
  • 1 篇 王玲
  • 1 篇 陈荣飞
  • 1 篇 杨刘君
  • 1 篇 康春雷

语言

  • 4 篇 中文
检索条件"主题词=单刀八掷开关"
4 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
嵌入吸收式单刀八掷开关电路
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电子科技大学学报 2015年 第6期44卷 830-834页
作者: 王玲 唐小宏 肖飞 杨刘君 电子科技大学电子工程学院 成都611731
提出了一种嵌入吸收式单刀八掷开关电路结构。利用PIN二极管的通断特性,设计了1个在14~18 GHz频率范围内的吸收式单刀(SP8T)开关电路,导通损耗小于3.9 d B,输出端回波损耗大于10 d B;隔离度大于60 d B,输入、输出端回波损耗大于12... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
极低温微波单刀八掷开关探索研究
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低温与超导 2012年 第2期40卷 24-27,18页
作者: 陈荣飞 中国电子科技集团公司第十六研究所 合肥230043
针对开关滤波器组中超导滤波器的应用,文中探讨了极低温微波单刀八掷开关的研制,制作了一种微波PIN管SP8T开关开关在77K温度下的插损≤1.6dB,隔离度≥70dB,开关速度9ns。对低温对开关性能的影响进行了分析。
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用于多模多频射频前端的单刀SOI天线开关设计
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固体电子学研究与进展 2014年 第1期34卷 65-68,100页
作者: 陈磊 赵鹏 崔杰 康春雷 史佳 牛旭 刘轶 中国科学院上海高等研究院 上海201210 中国科学院大学 北京100049
提出了一种用于手机多模多频前端的射频单刀(SP8T)天线开关设计,该开关采用绝缘体上硅(SOI)I艺实现。由于衬底电阻率高达1000Ω·am,且在器件选取和电路结构设计方面采用了多种技巧,实测结果表明,该款开关的插入损耗在0~2... 详细信息
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基于硅基GaN工艺毫米波单刀开关设计
基于硅基GaN工艺毫米波单刀多掷开关设计
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作者: 黎培森 西安电子科技大学
学位级别:硕士
随着现代信息技术的高速发展,人们对射频通信系统提出了更高的要求,毫米波以其丰富的频谱资源、更高的信息速率和更宽的工作带宽逐渐成为未来的主流。射频开关是射频前端必不可少的一部分,用于控制信号发射和接收链路的切换。宽禁带半... 详细信息
来源: 同方学位论文库 同方学位论文库 评论