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  • 1 篇 理学
    • 1 篇 物理学
  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程（可...
    • 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 2 篇 半极性gan
  • 1 篇 sinx插入层与压力
  • 1 篇 各向异性腐蚀
  • 1 篇 超声波振动
  • 1 篇 koh溶液
  • 1 篇 高温退火
  • 1 篇 si图形衬底
  • 1 篇 半/非极性aln
  • 1 篇 晶体缺陷
  • 1 篇 异丙醇

机构

  • 1 篇 华南师范大学
  • 1 篇 合肥工业大学

作者

  • 1 篇 曹健兴
  • 1 篇 苏军
  • 1 篇 程雪影
  • 1 篇 李述体
  • 1 篇 尹以安

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=半极性GaN"
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Si图形衬底的制备及半极性gan生长
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华南师范大学学报（自然科学版） 2010年 第4期42卷 60-63页
作者： 苏军 李述体 尹以安 曹健兴 华南师范大学光电子材料与技术研究所 广东广州510631
利用KOH溶液的各向异性腐蚀,通过研究温度、异丙醇(IPA)及超声波振动对Si衬底腐蚀的影响,在Si(001)平面衬底上刻蚀出侧面为(111)面的槽状图形衬底.在此基础上,实现了gan在Si图形衬底(111)侧面的生长.X射线双晶衍射测量gan薄膜的Bragg角... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
高晶体质量的Ⅲ族氮化物半导体材料的MOCVD外延制备研究
高晶体质量的Ⅲ族氮化物半导体材料的MOCVD外延制备研究
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引用
作者： 程雪影 合肥工业大学
学位级别：硕士
随着第三代半导体材料与器件的发展,III族氮化物材料在光电子器件(如发光二极管方面)应用广泛,而器件性能与其组成材料的晶体质量密切相关。通常,AlN和gan主要外延于六方晶系的异质蓝宝石衬底,然而,二者晶格常数和热膨胀系数不匹配的问... 详细信息
来源： 同方学位论文库 同方学位论文库 评论
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