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主题

  • 1 篇 半导体gaas
  • 1 篇 电子结构
  • 1 篇 掺杂
  • 1 篇 量子阱

机构

  • 1 篇 南京师范大学

作者

  • 1 篇 杨双波

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=半导体GaAs"
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掺杂浓度及掺杂层厚度对Si均匀掺杂的gaas量子阱中电子态结构的影响
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物理学报 2013年 第15期62卷 395-401页
作者： 杨双波 南京师范大学物理科学与技术学院 南京210046
本文通过自洽地求解薛定鄂方程及泊松方程计算了在温度T=0,有效质量近似下,Si均匀掺杂的gaas/Algaas量子阱系统的电子态结构.研究了掺杂浓度及掺杂层厚度对子带能量,本征包络函数,自洽势,电子密度分布,及费米能量的影响.发现在给定掺杂... 详细信息
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