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大直径半导体碳纳米管手性结构实现宏量分离

物理 2018年第2期47卷 95-97页

作者：刘华平周维亚解思深中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家研究中心北京100190 中国科学院大学北京100049 量子物质科学协同创新研究中心北京100190

从概念上讲,碳纳米管是由石墨烯卷曲形成的一维管状分子,它不仅具有石墨烯优异的力学、热学性能以及极高的载流子迁移率等特点,而且具有结构可调的能隙结构,表现出优异的电子以及光电子特性[1],是制备高速、低功耗、高集成度电子和光电... 详细信息

从概念上讲,碳纳米管是由石墨烯卷曲形成的一维管状分子,它不仅具有石墨烯优异的力学、热学性能以及极高的载流子迁移率等特点,而且具有结构可调的能隙结构,表现出优异的电子以及光电子特性[1],是制备高速、低功耗、高集成度电子和光电子集成回路的理想材料。相对于传统的Si基半导体器件,碳纳米管电子器件的能效能够提高一个数量级以上,

关键词：半导体碳纳米管手性结构大直径分离载流子迁移率电子特性光电子集成半导体器件

北大排列高密度半导体碳纳米管电子学性能超同尺寸硅基器件

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中国粉体工业 2020年第3期 46-46页

集成电路的发展要求互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管在持续缩减尺寸的同时提升性能,降低功耗。随着主流CMOS集成电路缩减到亚10 nm技术节点,采用新结构或新材料对抗场效应晶体管中的短沟道效应、进一步提升器件能量利用效率变得愈加... 详细信息

集成电路的发展要求互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管在持续缩减尺寸的同时提升性能,降低功耗。随着主流CMOS集成电路缩减到亚10 nm技术节点,采用新结构或新材料对抗场效应晶体管中的短沟道效应、进一步提升器件能量利用效率变得愈加重要。在诸多新型半导体材料中,半导体碳纳米管具有超高的电子和空穴迁移率、原子尺度的厚度和稳定的结构,是构建高性能CMOS器件的理想沟道材料。

关键词： CMOS集成电路场效应晶体管新型半导体短沟道效应 CMOS器件原子尺度半导体碳纳米管技术节点

二元合金协同催化乙醇生长半导体单壁碳纳米管阵列

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二元合金协同催化乙醇生长半导体单壁碳纳米管阵列

中国化学会第29届学术年会

作者：张树辰张锦北京大学化学与分子工程学院

半导体碳纳米管阵列的可控制备是纳电子加工和集成的重要前提。一般单一金属催化合成的单壁碳纳米管是包含金属型和半导体型的,由于金属型碳纳米管的活性要比半导体碳纳米管的活性要高,因此,可以在碳纳米管的制备过程中,加入外场条件（... 详细信息

半导体碳纳米管阵列的可控制备是纳电子加工和集成的重要前提。一般单一金属催化合成的单壁碳纳米管是包含金属型和半导体型的,由于金属型碳纳米管的活性要比半导体碳纳米管的活性要高,因此,可以在碳纳米管的制备过程中,加入外场条件（紫外光,活性自由基等）来抑制金属型单壁碳纳米管的形成。同时,不同金属具有不同的催化特性,乙醇作为碳源生长单壁碳纳米管时,可以采取不同的催化裂解方式,如Ru,Pd等金属可以催化乙醇首先产生吸附氧,再进一步产生碳自由基生长碳管。以Ru,Pd等作为催化剂的辅助成分,另一种金属作为主成分,二元合金协同催化乙醇,通过利用辅助成分产生的吸附氧在催化剂表面的迁移,可以有效抑制金属型单壁碳纳米管的形成,产生半导体含量较高的单壁碳纳米管水平阵列。

关键词：二元合金协同催化乙醇半导体碳纳米管

来源： cnki会议评论

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高纯度半导体碳纳米管制造成功晶体管

现代材料动态 2008年第8期 22-23页

日本产业技术综合研究所（产综研）宣布，成功使用高纯度半导体单层碳纳米管（SWCNT）制成了晶体管。晶体管的导通／截止比（导通时与截止时的漏极电流之比）为1×10^5以上，载流子迁移率超过2cm2／Vs。

关键词：半导体碳纳米管晶体管日本产业技术综合研究所纯度制造单层碳纳米管载流子迁移率漏极电流

碳纳米管耦合了光和物质有望实现有机半导体激光源

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电光系统 2016年第4期 26-26页

通过对光电子纳米材料上的研究，海德堡大学和圣-安德鲁斯大学（苏格兰）的科学家首次成功地在半导体碳纳米管上证明了光与物质的强相互作用。这种强烈的光与物质之间的耦合是实现新光源的重要一步，例如基于有机半导体的电泵浦激光器... 详细信息

通过对光电子纳米材料上的研究，海德堡大学和圣-安德鲁斯大学（苏格兰）的科学家首次成功地在半导体碳纳米管上证明了光与物质的强相互作用。这种强烈的光与物质之间的耦合是实现新光源的重要一步，例如基于有机半导体的电泵浦激光器。除了其他一些应用之外，

关键词：半导体碳纳米管有机半导体物质耦合激光源强相互作用泵浦激光器纳米材料

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全印刷碳纳米管薄膜晶体管构建及电性能研究

影像科学与光化学 2016年第2期34卷 136-143页

作者：张祥费斐郭文瑞聂书红吴良专谢建军赵建文崔铮上海大学材料科学与工程学院上海200444 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所印刷电子研究中心江苏苏州215123 中国科学院理化技术研究所北京100190

利用纳米压印和电刷镀技术在PET基体上制作出大面积金源、漏电极阵列。分别采用钛酸钡复合材料为介电层,印刷银电极为顶电极,聚芴-二噻吩基吡咯并吡咯二酮(PF8DPP)分离的半导体碳纳米管为有源层,在柔性基体上构建出全印刷碳纳米管薄膜... 详细信息

利用纳米压印和电刷镀技术在PET基体上制作出大面积金源、漏电极阵列。分别采用钛酸钡复合材料为介电层,印刷银电极为顶电极,聚芴-二噻吩基吡咯并吡咯二酮(PF8DPP)分离的半导体碳纳米管为有源层,在柔性基体上构建出全印刷碳纳米管薄膜晶体管器件和反相器。全印刷碳纳米管薄膜晶体管的开关比和迁移率分别达到4×104和6cm2·V-1·s-1,且器件表现出零回滞特性。构建的反相器在Vdd=8V时,其增益可以达到12。

关键词：纳米压印电刷镀半导体碳纳米管聚合物印刷电子薄膜晶体管

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双极性碳纳米管薄膜晶体管构建及电性能研究

影像科学与光化学 2016年第2期34卷 152-158页

作者：许威威徐文亚张祥金晶赵建文崔铮上海大学材料科学与工程学院上海200444 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所印刷电子研究中心江苏苏州215123

本文用聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共-(1,4-苯并2,1-3噻二唑)](PFO-BT)分离的半导体碳纳米管作为有源层,通过气溶胶喷墨打印技术在刚性基体上构建出底栅结构的碳纳米管薄膜晶体管器件。用钛酸钡复合材料封装后,碳纳米管薄膜晶体管表现... 详细信息

本文用聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共-(1,4-苯并2,1-3噻二唑)](PFO-BT)分离的半导体碳纳米管作为有源层,通过气溶胶喷墨打印技术在刚性基体上构建出底栅结构的碳纳米管薄膜晶体管器件。用钛酸钡复合材料封装后,碳纳米管薄膜晶体管表现出很好的双极性、较高的开关比和零回滞特性,同时阈值电压能够控制在0V附近。通过两个双极性薄膜晶体管连接而成的反相器表现出零回滞、高电压增益(Vdd=1.5V时,其增益可达到35)和大噪声容限(Vdd=1V时,最大噪声容限为0.44V)。

关键词：印刷电子聚合物半导体碳纳米管薄膜晶体管双极性封装

喷墨打印构建碳纳米管薄膜晶体管及其电性能的研究

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影像科学与光化学 2018年第3期36卷 245-253页

作者：刘停停朱天翔邵琳赵新洛赵建文崔铮上海大学理学院上海200444 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所印刷电子研究中心江苏苏州215123

本文利用聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共-(1,4-苯并2,1-3-噻二唑)](PFO-BT)、聚[N,N′-二(2-辛基十二烷基)-异靛蓝-共-(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)](PFIID)、聚[氮-(9-十七烷基)咔唑](PCZ)、聚[N,N′-二(2-辛基十二烷基)-异靛蓝-共-N-[1-(辛基壬基)-咔唑基-2,7-二基](PCZIID),尝试从本实验室用电弧放电法制备的单壁碳纳米管中分离纯化出高纯的半导体碳纳米管,并通过喷墨打印方式在氧化铪基体表面构建碳纳米管薄膜晶体管器件。研究表明这4种聚合物都能从自制单壁碳纳米管中选择性分离半导体碳纳米管,其中分子量和共轭单元更大的PCZ和PCZIID表现出更高的分离效率。通过对基底进行氧等离子体处理和优化打印工艺,得到了性能较好的印刷碳纳米管薄膜晶体管器件,器件的开关比为1.2×10~5~8×10~5,迁移率可达到5.3~6.8cm^2·V^(-1)·s^(-1)。表明自制的单壁碳纳米管可用于构建性能优越的印刷薄膜晶体管器件,还有望应用于高密度集成电路和新型显示所需的驱动电路等。

关键词：喷墨打印半导体碳纳米管薄膜晶体管

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国际视点

微纳电子技术 2012年第5期49卷 350-351页

作者：王玲

斯坦福大学的研究人员开发出一项新技术可大力推进半导体碳纳米管的商业应用潜力，其可用于印刷电路、可弯曲的显示屏、伸缩式电子元件和太阳能系统。斯坦福大学副教授ZhenanBao与加州大学戴维斯分校以及三星尖端技术研究所的研究人员... 详细信息

斯坦福大学的研究人员开发出一项新技术可大力推进半导体碳纳米管的商业应用潜力，其可用于印刷电路、可弯曲的显示屏、伸缩式电子元件和太阳能系统。斯坦福大学副教授ZhenanBao与加州大学戴维斯分校以及三星尖端技术研究所的研究人员一起开发了一项从混合物中分拣半导体单壁碳纳米管的新技术。导体和半导体管的混合物无法为线路或电池电极提供充足的电流。当该混合物作为半导体用于晶体管时，具有导体特性纳米管的多余电流将会缩短器件的寿命。

关键词：半导体碳纳米管斯坦福大学国际单壁碳纳米管研究人员太阳能系统混合物商业应用