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1999年

作者：钱佑华徐至中

内容简介:本书讲述半导体的物理基础，是半导体科技的入门教材。全书包括七章：第一章在能带的框架内讲解半导体电子的能量状态；第二章简要介绍电子的平衡统计；第三章讲述能带电子的输运规律；第四章说明外界作用引起额外载流子的行... 详细信息

ISBN: (纸本)704006992X

内容简介:本书讲述半导体的物理基础，是半导体科技的入门教材。全书包括七章：第一章在能带的框架内讲解半导体电子的能量状态；第二章简要介绍电子的平衡统计；第三章讲述能带电子的输运规律；第四章说明外界作用引起额外载流子的行为；第五章讨论半导体的表面与界面；第六章介绍金属一半导体接触、pn结、异质结、量子阱及超品格；第七章讲解半导体光谱。本书内容新颖，便于使用。本书可作为物理专业本科生的教材，也可供其他有关专业的师生及科研人员参考。

关键词：半导体物理

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半导体物理

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1986年

作者：吴士忠

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半导体物理

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电子科技文摘 2000年第4期 26-27页

Y2000-62027-233 0005638热载流子(收录论文6篇)=Hot carriers[会,英]/1999 IEEE International Reliability Physics Symposium.—233～262(UC)收入本部分的论文题目有:在模拟工作条件下大倾角离子注入漏 n 型 MOS 场效应晶体管的热载... 详细信息

关键词：热载流子退化半导体物理金属肖特基势垒场效应晶体管工作条件离子注入收录论文大倾角低频噪声论文题目沟道长度

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半导体物理

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电子科技文摘 2006年第2期 -页

0603288 BLAST MIMO系统载流子频偏估计=Carrier frquency offset estimation in BLAST MIMO systems[刊,英]／M． ***,***／／Electronics Letters.-2003,39(24)．-1752(E)

关键词：频偏估计振动频率电子电流金属轻子金属材料束缚极化子半导体物理量子点表面和界面界面电子态表面电子态基态能量

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半导体物理

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电子科技文摘 1999年第5期 17-19页

Y98-61303-313 9905750MOSFET 畸变分析用的准确漏电导率建模=Accuratedrain conductance modeling for distortion analysis inMOSFETs[会,英]/van Langevelde,R.& Klaassen,F.M.//1997 IEEE International Electron Devices Meet-ing.—313～316(AG)Y98-61303-337 9905751神经微电子学=Neural microelectronics[会,英]/Shiba-ta,T.& Ohmi,T.//1997 IEEE International ElectronDevices Meeting.—337～342(AG)无论当今使用的计算机功能如何强大,数字系统仍不能对许多实际事件实时地作出响应。虽然现在利用反应较慢的化学晶体管已建造出了生物系统,但是,

关键词：半导体物理数字系统电导率微电子学生物系统计算机功能异质结双极晶体管建模多孔硅电特性

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半导体物理

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电子科技文摘 2006年第4期 -页

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半导体物理

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电子科技文摘 2003年第4期 18-20页

Y2002-63306-314 0307140N 型与 P 型磷化铟表面受 Franz-Keldysh 效应的影响=Influence of a surface on the Franz-Keldysh effect inN-and P-type Indium phosphide[会,英]/Sakai,M.&Kurayama,T.//2001 IEEE International Conferenc... 详细信息

关键词：磷化铟半导体物理多量子阱 Sakai 晶格匹配表面研究分子束外延生长外延结构 trench 吸收边

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半导体物理

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电子科技文摘 2003年第1期 19-20页

Y2002-63239-2 0300279微电子学/纳米电子学与21世纪=Microelectronics/Nanoelectronics and the 21st century[会,英]/Yoder,M.N.//2001 IEEE University/Government/IndustryMicroelectronics Symposium.—2～7(E)Y2002-63239-16 0300280巴西 Sao Paulo 州立大学微电子学与微制造的兴盛与发展=Initiatives for promotion of microelectronics andmicrofabrication at Sao Paulo state Universities-Brazil[会,英]/Van,Nojie,W.A.M.& Swart,J.W.//2001 IEEE University/Government/Industry Microelec-tronics Sympositim.—16～19(E)

关键词：半导体物理纳米电子学微制造 Brazil promotion 余因子电应力发光学报微电子工艺半导体制造

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半导体物理

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电子科技文摘 2003年第3期 17-18页

Y2002-63302-132 0305076无定形硅氧氮化物的电介质陷阱=Dielectric traps inamorphous silicon oxynitride[会,英]/Wong,H.//2001IEEE Hong Kong Electron Devices Meeting.—132～139(E)

关键词：半导体物理无定形硅 Electron 电子诱导脱附量子阱结构泵浦激光器真空微电子学 MOCVD 测量设备有源层

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半导体物理

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电子科技文摘 2001年第3期 15-16页

Y2000-62422-48 0103656高剂量 SIMOX 硅片 SOI-BOX 界面局域能量陷阱态分析=Evidence of energetically-Localized trap-states at SOI-BOX interface in high-dose SIMOX wafers[会,英]/Ushiki,T.& Kotani,K.//1999 IEEE Internationa... 详细信息

关键词：半导体物理场效应晶体管绝缘体上硅技术高剂量陷阱态局域能二极管界面态硅片栅极

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