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基于SEMI标准的半导体工艺设备功能仿真系统设计

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电子科技大学学报 2012年第4期41卷 599-604页

作者：王巍邹龙庆徐华李搏贾培发李垒重庆邮电大学光电工程学院重庆南岸区400065 清华大学清华信息科学与技术国家实验室清华大学智能技术及系统国家重点实验室清华大学计算机科学与技术系北京海淀区100084

设计实现了一个基于SEMI标准的半导体工艺设备仿真平台,该平台具有通用可配置特性。在该平台的基础上,构建了一套基于SEMI标准的气路功能仿真系统,该气路仿真系统包含了功能层、逻辑层和外部通信接口层,既能满足单独设备的功能仿真需求... 详细信息

设计实现了一个基于SEMI标准的半导体工艺设备仿真平台,该平台具有通用可配置特性。在该平台的基础上,构建了一套基于SEMI标准的气路功能仿真系统,该气路仿真系统包含了功能层、逻辑层和外部通信接口层,既能满足单独设备的功能仿真需求,也能对整个系统的功能进行仿真验证。该系统实现了对物理气相沉积(PVD)系统中,气路中阀门的闭合动作及气流变化等的实时仿真分析。

关键词：功能仿真物理气相沉积系统半导体工艺设备 SEMI标准

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半导体工艺设备的最新动向

电子工业专用设备 1995年第4期24卷 48-54页

作者：郑国强电子工业部第45研究所

本文概述了美、日、韩三国的半导体产业的发展情况。重点阐述半导体工艺设备的最新发展动向及与此相对应的ＶＬＳＩ器件技术。１９９５年，半导体工艺设备发展的特点是；大口径化，设备标准化，生产成本的降低等。

关键词：半导体工艺设备大直径圆片设备标准化

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国外半导体工艺设备发展简况

半导体技术 1983年第3期 59-62+41页

作者：兆渠

半导体技术三十年来有了迅速发展,而半导体技术的发展又与工艺的发展及设备的不断更新是分不开的。本文仅就近年来半导体工艺及设备的发展作一简述。一集成工艺发展的特点进入七十年代以来,集成电路的发展更进一步,其工艺特点是:单... 详细信息

半导体技术三十年来有了迅速发展,而半导体技术的发展又与工艺的发展及设备的不断更新是分不开的。本文仅就近年来半导体工艺及设备的发展作一简述。一集成工艺发展的特点进入七十年代以来,集成电路的发展更进一步,其工艺特点是:单晶大直径化、图形加工微细化、布线多层化以及浅结化。 1.单晶大直径化为了提高硅片的利用率,国外从1973年以后就普遍采用直径为75毫米的硅片。例如切划5毫米见方的小芯片,用直径50毫米的大硅片,可划60片;75毫米大硅片则可划135片

关键词：半导体工艺设备硅片投影光刻机光刻设备单晶晶形超大规模集成电路超大规模集成化学汽相淀积化学气相沉积

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几种半导体工艺设备介绍

电子工业专用设备 1981年第1期 24-26页

一九八○年十一月,我所邀请了有关单位的科技人员,对新研制出的几种半导体工艺设备进行了技术鉴定,现将这些新设备简要介绍于下。红外电视显微镜红外电视显徽镜是由华中工学院与我所及北京市半导体器件研究所,根据近红外光能够二,.透射... 详细信息

一九八○年十一月,我所邀请了有关单位的科技人员,对新研制出的几种半导体工艺设备进行了技术鉴定,现将这些新设备简要介绍于下。红外电视显微镜红外电视显徽镜是由华中工学院与我所及北京市半导体器件研究所,根据近红外光能够二,.透射半导体材料这一基本光学特性而研制出的红外显徽

关键词：半导体材料电工材料金相显微镜掩模版红外电视检查仪半导体工艺设备平整度铬版光学特性表面缺陷近红外光母版原版

半导体工艺设备研制的新成果——我国第一台能量为700keV高能离子注入机研制成功

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微细加工技术 1988年第1期 4-4页

作者：王宇

由电子工业部长沙半导体工艺设备研究所研制的我国第一台能量为700keV的高能离子注入机已于1987年底在长沙胜利诞生。现代电子工业的发展以半导体(微电子)技术为基础,半导体技术的发展又以半导体工艺设备为支撑条件。中国科学院半导体... 详细信息

由电子工业部长沙半导体工艺设备研究所研制的我国第一台能量为700keV的高能离子注入机已于1987年底在长沙胜利诞生。现代电子工业的发展以半导体(微电子)技术为基础,半导体技术的发展又以半导体工艺设备为支撑条件。中国科学院半导体研究所为了开发我国半导体技术需要高能量的离子注入机进行试验研究工作,从国外引进这类先进设备,不但价格昂贵,而且维修、配件供应十分困难。前几年,一些单位不惜重金购买洋设备,而半导体所经过调查

关键词：离子注入机研究所半导体工艺设备低温靶冷冻靶

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注砷硅单晶的电子束退火

微细加工技术 1983年第2期 13-22页

作者：卢殿通张通和王大椿王兴民苏颖王琦陶仁敦周楚材刘日喜北京师范大学低能核物理所长沙半导体工艺设备研究所

本文报道使用DT—1型电子束退火机对注砷单晶硅进行扫描电子束退火的实验研究。试验了电子束退火各种条件对结果的影响,以便选择较适宜的退火条件。用背散射法和微分电导法分别测得了未退火和经退火样品的杂质浓度分布和载流子浓度分布... 详细信息

本文报道使用DT—1型电子束退火机对注砷单晶硅进行扫描电子束退火的实验研究。试验了电子束退火各种条件对结果的影响,以便选择较适宜的退火条件。用背散射法和微分电导法分别测得了未退火和经退火样品的杂质浓度分布和载流子浓度分布,显示出电子束退火的杂质再分布状况,并计算出注入砷的电激活率。此外,还进行了范德堡法霍耳效应测量,得到注入层的平均载流子浓度、平均迁移率和薄层载流子浓度。电子束退火样品与热退火样品作了比较。

关键词：电子束退火半导体工艺设备实验研究单晶硅杂质分布剂量用药量退火条件激活率方块电阻载流子浓度载流子密度

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第九届国际微电路工程会议简况

微细加工技术 1984年第1期 78-79页

第九届国际微电路工程会议已于1983年9月26—29日在英国剑桥大学举行,参加会议的代表有200多人。由英国剑桥大学的***,日本大阪大学的***,英国康纳尔大学的***等七人组成会议的指导委员会。北京师范大学低能核物理研究所,科学院上海冶金... 详细信息

第九届国际微电路工程会议已于1983年9月26—29日在英国剑桥大学举行,参加会议的代表有200多人。由英国剑桥大学的***,日本大阪大学的***,英国康纳尔大学的***等七人组成会议的指导委员会。北京师范大学低能核物理研究所,科学院上海冶金所,电子工业部平涼半导体工艺设备研究所和长沙半导体工艺设备研究所都派代表参加了这次会议。

关键词：会议微电路剑桥大学半导体工艺设备

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集成电路制造过程的自动控制问题

电子工业专用设备 1988年第3期 52-56页

作者： Robert W.Atherton ,黄印权国营4508厂

目前,半导体制造过程的自动化大多是通过监测工艺参数的极限值来进行控制的,也就是将每个工序结束时的工艺参数测量值同标准极限比较,从而决定硅片是通过,重作还是报废。但这种方法仅仅是自动控制的第一步,还需继续向工艺过程的闭环控... 详细信息

目前,半导体制造过程的自动化大多是通过监测工艺参数的极限值来进行控制的,也就是将每个工序结束时的工艺参数测量值同标准极限比较,从而决定硅片是通过,重作还是报废。但这种方法仅仅是自动控制的第一步,还需继续向工艺过程的闭环控制发展。本文概括介绍集成电路制造的自动控制问题,特别是如下三种控制方式及其解决方法:

关键词：刻蚀速率制造过程刻蚀率自动控制硅片试验数据分析图形识别图象识别半导体工艺设备等离子刻蚀等离子体蚀刻成品率

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分子束外延实验装置中的前级抽气系统

微细加工技术 1984年第4期 21-24页

作者：龚汩清于自强尹秋琴长沙半导体工艺设备研究所

本文介绍一种用于分子束外延实验装置中取代吸附泵的前级抽气系统。该系统由机械泵、扩散泵及分子筛吸附阱组合而成。文中讨论了设计、组装这种系统的背景及有关技术细节,并根据用四极质谱仪得到的资料及分子束外延实验装置的运行情况... 详细信息

本文介绍一种用于分子束外延实验装置中取代吸附泵的前级抽气系统。该系统由机械泵、扩散泵及分子筛吸附阱组合而成。文中讨论了设计、组装这种系统的背景及有关技术细节,并根据用四极质谱仪得到的资料及分子束外延实验装置的运行情况对该前级抽气系统作出了初步评价,为用有油机组作前级抽气系统以便获得基本无油的超高真空环境提供了有益的经验。

关键词：分子束外延超高真空环境吸附泵半导体工艺设备真空泵实验装置抽气系统