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任意横向掺杂半导体功率器件的虚拟仿真实验教学

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实验技术与管理 2022年第4期39卷 104-110页

作者：李曼杨可萌郭宇锋顾世浦姚佳飞张珺张茂林南京邮电大学集成电路科学与工程学院信息电子技术国家级虚拟仿真实验教学中心电子科学与技术国家级实验教学中心江苏南京210023

为了突破传统理论、数值模拟和实验教学的局限性,进一步提升教学质量,培养专业领域创新人才,建设了任意横向掺杂半导体功率器件的虚拟仿真实验教学资源。基于自主研发的任意横向掺杂设计工具miniVLD,对半导体工艺仿真软件、器件模拟软... 详细信息

为了突破传统理论、数值模拟和实验教学的局限性,进一步提升教学质量,培养专业领域创新人才,建设了任意横向掺杂半导体功率器件的虚拟仿真实验教学资源。基于自主研发的任意横向掺杂设计工具miniVLD,对半导体工艺仿真软件、器件模拟软件和版图设计软件进行二次开发,包含掩模板设计、虚拟制造、虚拟测试、版图设计4部分。该虚拟仿真实验具备自主开发、理念先进、综合性、创新性和工程性强等优点,为复杂理论实践教学提供了典型案例。

关键词：任意横向掺杂半导体功率器件掩模版设计虚拟制造虚拟测试版图设计

第九届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会暨第三代半导体产业融合创新发展(广州)论坛

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半导体技术 2023年第9期48卷 827-828页

为紧跟国际功率半导体器件技术发展步伐,推动我国新型半导体功率器件技术水平进一步提高,加快其成果转化和应用推广,增强自主创新能力。由中国半导体行业协会半导体分立器件分会主办的“第九届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会”... 详细信息

为紧跟国际功率半导体器件技术发展步伐,推动我国新型半导体功率器件技术水平进一步提高,加快其成果转化和应用推广,增强自主创新能力。由中国半导体行业协会半导体分立器件分会主办的“第九届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会”于2023年11月23~25日在广州召开。本会议是继厦门、昆明、长沙、苏州、深圳、成都、重庆、无锡成功举办后,我国半导体功率器件及应用领域又一次重要的学术、技术交流活动,将为广大从事新型半导体功率材料、器件及其应用技术工作者提供一个高起点.

关键词：半导体分立器件技术交流活动半导体功率器件自主创新能力功率半导体器件新型半导体技术水平成果转化

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半导体功率器件开关特性测试仪

电子器件 1996年第1期19卷 37-40页

作者：唐国洪陈德英周健东南大学微电子中心

本文介绍一种实用的半导体功率器件开关特性测试仪，其最高测试电压为１０００Ｖ，最大测试电流为２．５Ａ｜７００Ｖ．

关键词：半导体功率器件开关特性测试仪

泰科天润:依托IDM,致力国产半导体功率器件制造产业发展

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中国电子商情 2023年第3期 43-44页

作者：《中国电子商情》编辑部不详

作为国内碳化硅研发生产和平台服务型企业,泰科天润的产品线涉及基础核心技术产品、碳化硅成型产品以及多套行业解决方案。经过11年的发展,泰科天润在我国碳化硅(SiC)功率器件产业化道路上行深致远,在向全球功率器件消费者提供优质的半... 详细信息

作为国内碳化硅研发生产和平台服务型企业,泰科天润的产品线涉及基础核心技术产品、碳化硅成型产品以及多套行业解决方案。经过11年的发展,泰科天润在我国碳化硅(SiC)功率器件产业化道路上行深致远,在向全球功率器件消费者提供优质的半导体功率器件产品和专业服务的同时,也填补了国内碳化硅领域的空白,致力于为我国建立起完整的碳化硅产业链。

关键词：行业解决方案产业化道路服务型企业制造产业半导体功率器件成型产品产品线产业链

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宽禁带半导体功率器件

半导体技术 1999年第2期24卷 1-4,8页

作者：刘海涛陈启秀浙江大学信电系功率器件研究所

阐述了宽禁带半导体的主要特性与ＳｉＣ、金刚石等主要宽禁带半导体功率器件的最新发展动态及其存在的主要问题，并对其未来的发展作出展望。

关键词：宽禁带半导体功率器件功率器件碳化硅金刚石

新型半导体功率器件在现代雷达中的应用研究(Ⅱ)

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半导体技术 2009年第10期34卷 937-941页

作者：郑新南京电子技术研究所南京210013

4 宽禁带半导体功率器件的发展背景宽禁带半导体功率器件的发展是在宽禁带半导体材料发展的基础上发展起来的,其迅速发展的主要原因之一是源于美国军方的兴趣,尤其是2002年美国国防先进研究计划局(DARPA)通过并实施了宽禁带半导体技术... 详细信息

4 宽禁带半导体功率器件的发展背景宽禁带半导体功率器件的发展是在宽禁带半导体材料发展的基础上发展起来的,其迅速发展的主要原因之一是源于美国军方的兴趣,尤其是2002年美国国防先进研究计划局(DARPA)通过并实施了宽禁带半导体技术计划(WBGSTI),该计划极大地推动了宽禁带半导体技术的发展.

关键词：半导体功率器件现代雷达应用宽禁带半导体 AlGaN/GaN 半导体技术 SiC单晶美国军方

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覆有BST膜的半导体功率器件结终端研究

电子元件与材料 2012年第12期31卷 46-48页

作者：葛微微张国俊钟志亲王姝娅戴丽萍电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054

通过一系列的工艺步骤,在半导体功率器件含有场限环(FLR)的结终端上覆盖了一层300 nm厚、介电常数高的钛酸锶钡(BST)膜。对该新型结终端和无BST膜的传统FLR结终端的结构与性能进行了研究比较。结果表明,在覆盖BST膜后,FRL结终端的结构... 详细信息

通过一系列的工艺步骤,在半导体功率器件含有场限环(FLR)的结终端上覆盖了一层300 nm厚、介电常数高的钛酸锶钡(BST)膜。对该新型结终端和无BST膜的传统FLR结终端的结构与性能进行了研究比较。结果表明,在覆盖BST膜后,FRL结终端的结构击穿电压提高了50%。这证明BST膜能够提高器件的击穿电压。

关键词：半导体功率器件钛酸锶钡(BST)膜结终端场限环

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半导体功率器件散热系统的设计

电子工艺技术 1984年第12期 33-36页

作者：路尚修山东淄博无线电三厂

本文分析了功率器件散热系统的设计方法,对比了叉指式与肋式散热器的优缺点,讨论了计算中遇到的具体问题;和散热器的选用要点及散热系统的结构工艺问题。

关键词：散热系统冷却系统接触热阻半导体功率器件

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半导体功率器件的加速寿命试验研究

质量与可靠性 2017年第2期 19-22页

作者：冒媛媛徐进郎秀兰中国电子科技集团公司第十四研究所江苏南京210039 中国电子科技集团公司第五十五研究所江苏南京210038 中国电子科技集团公司第十三研究所河北石家庄050051

长寿命、高可靠的半导体功率器件难以采用正常应力下的长期寿命试验进行寿命评估。从阿伦尼乌斯方程出发,研究了半导体功率器件加速寿命试验的基本原理和试验方法,并采用155℃高温应力加速研究某型脉冲功率管在85℃条件下的基本失效率... 详细信息

长寿命、高可靠的半导体功率器件难以采用正常应力下的长期寿命试验进行寿命评估。从阿伦尼乌斯方程出发,研究了半导体功率器件加速寿命试验的基本原理和试验方法,并采用155℃高温应力加速研究某型脉冲功率管在85℃条件下的基本失效率。试验结果与可靠性指标预计相吻合,该型功率管随后在某大型有源相控阵雷达上进行了大批量应用,实际可靠性指标进一步验证了所设计的加速寿命试验的有效性。

关键词：半导体功率器件加速寿命平均失效时间