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高灵敏高线性度区熔硅光晶体管的研究

Journal of Semiconductors 2006年第Z1期27卷 223-226页

作者：韩德俊孙彩明盛丽艳张秀荣张海君闫凤章杨茹张录宁宝俊北京师范大学低能核物理研究所北京100875 北京师范大学低能核物理研究所北京100875 北京师范大学低能核物理研究所北京100875 北京师范大学低能核物理研究所北京100875 北京师范大学低能核物理研究所北京100875 北京师范大学低能核物理研究所北京100875 北京师范大学低能核物理研究所北京100875 北京大学微电子学研究所北京100871 北京大学微电子学研究所北京100871

报道了一种基于高纯区熔单晶硅和发射结-集电结接近穿通状态的光晶体管的实验结果.在穿通电压附近(40V),0.83μm波长的光入射及0.15nW入射光功率条件下,器件的响应度为38A/W;工作在发射结-集电结接近穿通状态时线性度最好,在0.15～1500... 详细信息

报道了一种基于高纯区熔单晶硅和发射结-集电结接近穿通状态的光晶体管的实验结果.在穿通电压附近(40V),0.83μm波长的光入射及0.15nW入射光功率条件下,器件的响应度为38A/W;工作在发射结-集电结接近穿通状态时线性度最好,在0.15～1500 nW光功率(4个数量级)范围内,线性因子为0.9954,接近于Hamamatsu S1227-1010BQ光电二极管在同一光功率区间内的线性因子(0.9982).另外,这种光晶体管的增益在130左右且增益的起伏在1%以内时,偏压的变化允许在2.5%以内(40V±1V),温度的变化可允许±2℃.其增益对偏压及温度的稳定性优于线性模式下具有相近增益的雪崩光电二极管.

关键词：光晶体管区熔硅灵敏度线性度

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系统级封装用高阻区熔硅制备技术研究

数码世界 2019年第6期 75-75页

作者：吴华中国电子科技集团公司第四十六研究所

在后摩尔时代,系统级封装在智能手机、便携电子等诸多领域得到了广泛的应用。所谓"一代材料、一代器件、一代系统",近年来系统集成技术的飞速发展离不开IPD技术的支撑。而我国高阻区熔硅材料产业做为整个产业链的基础,也要为硅基薄膜IP... 详细信息

在后摩尔时代,系统级封装在智能手机、便携电子等诸多领域得到了广泛的应用。所谓"一代材料、一代器件、一代系统",近年来系统集成技术的飞速发展离不开IPD技术的支撑。而我国高阻区熔硅材料产业做为整个产业链的基础,也要为硅基薄膜IPD技术的自主可控提供有力的保障。目前、国际上高端大尺寸区熔硅材料的技术主要掌控在国外几家大公司手上,再加上中美贸易战的阴云挥之不散,消除瓶颈已经刻不容缓。

关键词：区熔硅 IPD 摩尔定律 SIP

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高阻区熔硅单晶的径向少子寿命变化

半导体技术 2010年第12期35卷 1186-1189,1221页

作者：闫萍张殿朝索开南庞炳远中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

在氩气气氛及真空环境下生长的高阻区熔硅单晶的径向少子寿命分布情况进行了检测。检测结果表明,在氩气气氛下生长的各种规格的高阻单晶,其少子寿命一般都在1 000μs以上,且径向变化大部分在10%以内,当生长工艺参数改变时,单晶少子寿命... 详细信息

在氩气气氛及真空环境下生长的高阻区熔硅单晶的径向少子寿命分布情况进行了检测。检测结果表明,在氩气气氛下生长的各种规格的高阻单晶,其少子寿命一般都在1 000μs以上,且径向变化大部分在10%以内,当生长工艺参数改变时,单晶少子寿命的径向分布规律虽然会有所不同,但对少子寿命径向均匀性的影响却几乎可以忽略。而在真空环境、不同工艺参数下生长的单晶,其少子寿命的径向分布及均匀性的变化则十分的明显,还会经常看到中心少子寿命400~500μs、边缘区域少子寿命高于1 000μs的单晶。本文在单晶生长试验的基础上,通过对产生这种现象的原因进行分析,确定了采用适当地降低晶体生长速率、提高加热功率的方法,可以使高阻真空区熔硅单晶中心区域的少子寿命的提高,并使其径向分布变均匀。

关键词：高阻区熔硅少子寿命单晶生成径向不均匀性

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关于提高区熔硅单晶的成晶率的研究之一:熔池深度变化率

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关于提高区熔硅单晶的成晶率的研究之一:熔池深度变化率

第十七届全国晶体生长与材料学术会议(CCCG-17)

作者：娄中士张雪囡天津市环欧半导体材料技术有限公司

本文从结晶动力学方面分析了影响区熔硅单晶成晶率的主要因素,包括界面形状、界面附近熔体内温度梯度、界面附近晶体温度梯度、熔体对流,熔池深度的变化率以及硅屈服应力随温度的变化规律等,重点阐述了熔池深度变化率的影响以及如何控制... 详细信息

本文从结晶动力学方面分析了影响区熔硅单晶成晶率的主要因素,包括界面形状、界面附近熔体内温度梯度、界面附近晶体温度梯度、熔体对流,熔池深度的变化率以及硅屈服应力随温度的变化规律等,重点阐述了熔池深度变化率的影响以及如何控制,进而提高区熔硅单晶的成晶率。

关键词：区熔硅界面形状温度梯度熔池深度变化率屈服应力

来源： cnki会议评论

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亚波长多功能微纳米结构制造及性能分析

光子学报 2023年第6期52卷 25-38页

作者：王少强陈智利毕倩惠迎雪刘卫国西安工业大学光电工程学院西安710021

利用等效介质理论计算出区熔硅微纳米结构的几何尺寸,然后在有限元模拟的基础上建立了光学模型。研究了在长波红外(8~12μm)范围内的抗反射效果,并分别分析了表面形貌和结构特征尺寸对透射率的影响。通过自由基等离子源刻蚀技术和低能... 详细信息

利用等效介质理论计算出区熔硅微纳米结构的几何尺寸,然后在有限元模拟的基础上建立了光学模型。研究了在长波红外(8~12μm)范围内的抗反射效果,并分别分析了表面形貌和结构特征尺寸对透射率的影响。通过自由基等离子源刻蚀技术和低能量离子束刻蚀技术联合制备的方式,在硅表面形成了具有抗反射自清洁功能的微纳米复合结构。测得其透射率为78%,静态接触角为125.77°,并对所得结构进一步分析,实验结果表明:在长波红外范围微纳米复合结构的抗反射性能优于仅存在单一微米结构时,且纳米级别的微结构对红外波段减反射作用并不明显,微米结构是提升硅材料表面长波红外范围透射率的主要因素;具有微纳复合结构的材料表面张力大于单一微/纳米结构,与理论模拟结果一致,表明微纳米结构的存在能够有效改善硅表面的疏水能力。

关键词：区熔硅疏水性微纳结构亚波长自由基等离子体源低能离子束

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区熔单晶硅光晶体管瞬态特性的实验研究

核电子学与探测技术 2008年第2期28卷 376-381页

作者：梁琨张海君周地宝杨茹韩德俊张录宁宝俊北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室北京师范大学低能核物理研究所暨北京市辐射中心北京100875 北京大学微电子学院北京100871

现有光晶体管具有噪声较低、增益较高(光信号强度适中时)等优点;但它同时也存在线性较差、光信号较弱时增益较低等缺点,限制了它的实际应用。本文报道了一种基于高纯区熔单晶硅和发射结-集电结接近穿通状态的具有高灵敏度、高线性度光... 详细信息

现有光晶体管具有噪声较低、增益较高(光信号强度适中时)等优点;但它同时也存在线性较差、光信号较弱时增益较低等缺点,限制了它的实际应用。本文报道了一种基于高纯区熔单晶硅和发射结-集电结接近穿通状态的具有高灵敏度、高线性度光晶体管的瞬态特性研究结果,采用负载电阻法和互阻放大器法分别测量响应时间对偏置电压和入射光功率的依赖关系。测量结果显示,器件的上升及下降时间明显依赖于入射光功率的变化,对偏置电压的依赖性较弱;416nW和1128nW入射光功率下大尺寸器件的响应时间分别在170μs和10μs量级,在416nW入射光功率下小尺寸器件的上升时间约为30μs,与理论计算结果具有较好的符合。

关键词：瞬态特性光晶体管区熔硅互阻放大器

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