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北京师范大学学报（自然科学版） 2001年第6期37卷 746-749页

作者：李维刚许颖励旭东姬成周北京师范大学低能核物理研究所北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室北京100875 北京市太阳能研究所光电室北京100083

研究了区熔再结晶 (ZMR)设备及其工艺特点 .在覆盖SiO2 的重掺P型单晶硅衬底上用快速热化学气相沉积 (RTCVD)在其上沉积一层很薄的多晶硅薄膜 ,用区熔再结晶法对薄膜进行处理 ,得到了晶粒致密 ,且取向一致的多晶硅薄膜层 .以此薄膜层为... 详细信息

研究了区熔再结晶 (ZMR)设备及其工艺特点 .在覆盖SiO2 的重掺P型单晶硅衬底上用快速热化学气相沉积 (RTCVD)在其上沉积一层很薄的多晶硅薄膜 ,用区熔再结晶法对薄膜进行处理 ,得到了晶粒致密 ,且取向一致的多晶硅薄膜层 .以此薄膜层为籽晶层 ,再在上面以RTCVD制备电池活性层 ,经过标准的太阳电池工艺 ,得到了转换效率为 10 .2 1%,填充因子为 0 .6 913的电池产品 .

关键词：区熔再结晶多晶硅薄膜太阳电池快速热化学气相沉积制备工艺转换效率

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氧化铝陶瓷衬底多晶硅薄膜区熔再结晶的研究

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太阳能学报 2005年第5期26卷 617-620页

作者：顾亚华许颖叶小琴李海峰万之坚周宏余北京师范大学低能核物理研究所北京100875 北京市太阳能研究所北京100083 清华大学材料工程系北京100083

采用简化的区熔再结晶工艺,即区熔过程中不采用隔离层和盖帽层结构,直接在陶瓷衬底上制备出高质量的多晶硅薄膜。实验中给出了用X射线衍射方法得到的晶向图谱和光学显微镜、扫描电子显微镜方法得到的表面形貌,并采用扩散法和正面引电... 详细信息

采用简化的区熔再结晶工艺,即区熔过程中不采用隔离层和盖帽层结构,直接在陶瓷衬底上制备出高质量的多晶硅薄膜。实验中给出了用X射线衍射方法得到的晶向图谱和光学显微镜、扫描电子显微镜方法得到的表面形貌,并采用扩散法和正面引电极的方法初步探索了电池的制备工艺,电池的开路电压达到196mV,短路电流为200μA。

关键词：陶瓷薄膜 RTCVD 区熔再结晶晶向

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陶瓷衬底上多晶硅薄膜的生长及区熔再结晶

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太阳能学报 2003年第Z1期24卷 40-43页

作者：励旭东程天龚欣刘维平许颖赵玉文北京师范大学低能核物理研究所北京100875 北京市太阳能研究所北京100083

该文研究了氮化硼、三氧化二铝、氧化锆陶瓷以及石英和微晶云母等衬底上多晶硅薄膜的一般生长规律和区熔再结晶.实验发现,在氮化硼、三氧化二铝和石英衬底上,可以直接生长晶粒尺寸数微米、致密的多晶硅薄膜.薄膜的优选晶向为向.经区熔... 详细信息

该文研究了氮化硼、三氧化二铝、氧化锆陶瓷以及石英和微晶云母等衬底上多晶硅薄膜的一般生长规律和区熔再结晶.实验发现,在氮化硼、三氧化二铝和石英衬底上,可以直接生长晶粒尺寸数微米、致密的多晶硅薄膜.薄膜的优选晶向为向.经区熔再结晶后,可以获得毫米级的晶粒,薄膜的优选晶向为向.同时,薄膜的电学性能也得到改善,迁移率接近50cm2·/V·s.实验显示,衬底材料与薄膜间热膨胀系数的匹配是需首要解决的问题.

关键词：太阳电池多晶硅薄膜陶瓷快速热化学气相沉积区熔再结晶

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区熔再结晶法制备多晶硅薄膜的研究

区熔再结晶法制备多晶硅薄膜的研究

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中国第六届光伏会议

作者：许颖罗欣莲励旭东王文静于元李仲明北京市太阳能研究所北京市太阳能研究所北京市太阳能研究所北京市太阳能研究所北京市太阳能研究所北京市太阳能研究所

本文概述了区熔再结晶（ZMR）方法的应用,利用该方法获得了取向一致的晶体硅薄膜。为薄膜电池的制备打下了良好的基础。

关键词：薄膜太阳电池区熔再结晶

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陶瓷衬底多晶硅薄膜区熔再结晶的研究

陶瓷衬底多晶硅薄膜区熔再结晶的研究

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2003年中国太阳能学会学术年会

作者：顾亚华许颖叶小琴王文静李海峰万之坚北京市太阳能研究所北京市太阳能研究所北京市太阳能研究所北京市太阳能研究所清华大学清华大学

不采用隔离层和盖帽层结构可简化区熔再结晶工艺,在陶瓷衬底上制备出高质量的多晶硅薄膜。实验中衬底采用市售的电子级三氧化二铝陶瓷,采用快速热化学（RTCVD）方法生长,然后用区熔再结晶（ZMR）方法使籽晶层在高温下熔化并重新结晶,晶... 详细信息

不采用隔离层和盖帽层结构可简化区熔再结晶工艺,在陶瓷衬底上制备出高质量的多晶硅薄膜。实验中衬底采用市售的电子级三氧化二铝陶瓷,采用快速热化学（RTCVD）方法生长,然后用区熔再结晶（ZMR）方法使籽晶层在高温下熔化并重新结晶,晶体质量得到改善,并且颗粒尺寸增大了几个数量级,达到几十个微米甚至毫米量级,符合制作太阳电池的要求。实验中给出了用X射线衍射方法作出的晶向图谱和光学显微镜、扫描电子显微镜方法得到的表面形貌。

关键词：陶瓷薄膜区熔再结晶晶向颗粒尺寸

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灯区熔再结晶SOI薄膜上制作的器件的电性能

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微电子学 1989年第5期19卷 43-46页

作者： Michel Haond 陈育仁

采用常规CMOS硅栅工艺的4英寸圆片又形成批量生产能力。它们的电参数可用于研究与灯区熔再结晶( Lamp ZMR)技术相关的问题的影响,其结果令人满意。有效沟道长度为1.7μ的沟增强型晶体管阈值电压分布集中,其平均值约为0.9V,标准偏差为6... 详细信息

采用常规CMOS硅栅工艺的4英寸圆片又形成批量生产能力。它们的电参数可用于研究与灯区熔再结晶( Lamp ZMR)技术相关的问题的影响,其结果令人满意。有效沟道长度为1.7μ的沟增强型晶体管阈值电压分布集中,其平均值约为0.9V,标准偏差为61mV。 p沟和n沟晶体管的漏电流保持在0.1pA/μm沟宽以下。已制成有效沟长为1.7μm的249级环形振荡器,其传输延迟时间为0.5ns。

关键词： SOI薄膜器件区熔再结晶电性能

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