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西安航空技术高等专科学校学报 2004年第1期22卷 50-51,64页

作者：郭琳陈云祥浙江机电职业技术学院浙江杭州310053

化学气相沉积 (CVD)技术是近年来国际上发展和应用较广的一项先进技术。CVD法可在硬质合金和工模具钢的基体表面上形成由碳化物、氮化物、氧化物等构成的 ,具有冶金结合的耐磨耐蚀涂层 ,显著提高工模具的使用寿命。

关键词：化学气相沉积技术工模具使用寿命涂层厚度

应用材料为先进微芯片设计提供突破性的流体化学气相沉积技术

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电子与电脑 2010年第9期10卷 88-88页

美国应用材料公司宣布了其突破性的Applied Producer Eterna FCVD（流体化学气相沉积）系统。这是首创的也是唯一的以高质量介电薄膜隔离20纳米及以下存储器和逻辑器件中的高密度晶体管的薄膜沉积技术。

关键词：化学气相沉积技术应用材料公司突破性芯片设计流体 Producer 薄膜沉积技术逻辑器件

利用金属有机化学气相沉积技术生长出六角形InN纳米花

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中国基础科学 2006年第5期8卷 6-6页

中科院半导体所材料科学重点实验室朱勤生和刘祥林等，通过引入氢气，利用金属有机化学气相沉积技术，成功在蓝宝石（0001）表面生长出具有六角形花样的InN（氮化铟）纳米花。其中引入氢的作用是，氢可还原InN生成金属In，而金属In可以... 详细信息

中科院半导体所材料科学重点实验室朱勤生和刘祥林等，通过引入氢气，利用金属有机化学气相沉积技术，成功在蓝宝石（0001）表面生长出具有六角形花样的InN（氮化铟）纳米花。其中引入氢的作用是，氢可还原InN生成金属In，而金属In可以催化InN纳米结构的生长。因此，虽然氢气可以阻止InN的生成，但通过精确控制氢气的引入，可以生长出具有新颖纳米结构的InN，这可以避免因使用其它催化剂而导致的杂质的掺入。

关键词：化学气相沉积技术金属有机表面生长纳米结构 InN 六角形重点实验室材料科学

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利用多层膜生长技术制备纳米印章模板

物理学报 2006年第4期55卷 2033-2037页

作者：张永军李卫孟祥东杨景海华中李伟徐骏黄信凡陈坤基吉林师范大学物理学院四平136000 南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

在纳米印章技术中,为克服电子束刻蚀制备50nm以下线条的技术难点,利用等离子增强化学气相沉积技术制备了a-Si/SiNx多层膜,再利用选择性湿法腐蚀或干法腐蚀在横截面上制备出浮雕型一维纳米级模板.多层膜子层之间界面清晰陡峭,可以在纳米... 详细信息

在纳米印章技术中,为克服电子束刻蚀制备50nm以下线条的技术难点,利用等离子增强化学气相沉积技术制备了a-Si/SiNx多层膜,再利用选择性湿法腐蚀或干法腐蚀在横截面上制备出浮雕型一维纳米级模板.多层膜子层之间界面清晰陡峭,可以在纳米量级对子层厚度进行控制,得到了侧壁在纳米尺度上平滑的模板.通过控制多层膜子层的生长时间,制备出线条宽度和槽状宽度均为20nm的等间距模板,品质优于电子束刻蚀技术制备的模板.

关键词：纳米印章模板多层膜生长技术电子束刻蚀等离子化学气相沉积技术

Photoresponse and carrier transport of protocrystalline silicon multilayer films

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Chinese Science Bulletin 2012年第4期57卷 2624-2630页

作者： YU Wei ZHU HaiRong ZHAO Yi SUN YuKai LU HaiJiang FU GuangSheng College of Physics Science and Technology Hebei UniversityBaoding 071002China

Alternating multilayer films of hydrogen diluted hydrogenated protocrystalline silicon (pc-Si:H) were prepared using a plasma-enhanced chemical vapor deposition *** microstructure of the deposited films and photoresponse characteristics of their Schottky diode structures were investigated by Raman scattering spectroscopy,Fourier transform infrared spectroscopy and photocurrent *** and optical absorption analyses suggest that the prepared films were pc-Si:H multilayer films with a two-phase structure of silicon nanocrystals (NCs) and its amorphous counterpart and the band gap of the films showed a decreasing trend with increasing crystalline *** measurement revealed that silicon NCs facilitate the spatial separation of photo-generated carriers,effectively reduce the non-radiative recombination rate,and induce a photoresponse peak value shift towards the short-wavelength side with increasing ***,the carrier traps near the surface defects of silicon NCs and their spatial carrier confinement result in a significant reduction of the diode photoresponse in the longwavelength *** enhancement of the photoresponse from 350 to 1000 nm was observed when applying an increased bias voltage in the diode,showing a favorable carrier transport and an effective collection of photo-generated carriers was *** the spatial separation of the restricted electron-hole pairs in silicon NCs and the de-trapping of the carriers at their interface defects are responsible for the red-shift in photoresponse spectra and enhancement of external quantum *** results provide fundamental data for the carrier transport control of high-efficiency pc-Si:H solar cells.

关键词：光响应硅膜载波运输傅里叶变换红外光谱化学气相沉积技术硅纳米晶体光生载流子

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用SiCl_4/H_2气源沉积多晶硅薄膜光照稳定性的研究

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物理学报 2005年第8期54卷 3805-3809页

作者：祝祖送林璇英余云鹏林揆训邱桂明黄锐余楚迎汕头大学物理系汕头515063

对以SiH4/H2及SiCl4/H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积技术制备的非晶硅薄膜和多晶硅薄膜进行了光照稳定性的研究.实验表明,制备的多晶硅薄膜并没有出现非晶硅中的光致衰减现象,其光电导、暗电导在光照过程中没有下降反而有所... 详细信息

对以SiH4/H2及SiCl4/H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积技术制备的非晶硅薄膜和多晶硅薄膜进行了光照稳定性的研究.实验表明,制备的多晶硅薄膜并没有出现非晶硅中的光致衰减现象,其光电导、暗电导在光照过程中没有下降反而有所上升且电导率变化快慢受氢稀释度的制约.多晶硅薄膜的光照稳定性可能来源于高的晶化度及Cl元素的存在.

关键词：多晶硅薄膜光照稳定性 H2 化学气相沉积技术气源等离子体增强非晶硅薄膜源气体光电导晶化度稀释度电导率制备衰减

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微晶硅薄膜的制备及结构和稳定性研究

物理学报 2005年第8期54卷 3910-3914页

作者：张晓丹赵颖高艳涛朱锋魏长春孙建耿新华熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同衬底温度的微晶硅薄膜.利用傅里叶变换红外吸收对制备薄膜进行了结构方面的测试分析.结果表明:随衬底温度的升高,材料中的氢含量总的趋势下降;傅里叶变换红外吸收和二次离子质谱测试... 详细信息

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同衬底温度的微晶硅薄膜.利用傅里叶变换红外吸收对制备薄膜进行了结构方面的测试分析.结果表明:随衬底温度的升高,材料中的氢含量总的趋势下降;傅里叶变换红外吸收和二次离子质谱测试结果都显示薄膜中氧含量随衬底温度的升高而增加(在1019cm-3量级);与高衬底温度相比,低衬底温度制备的材料易于后氧化,这说明低温制备材料的稳定性不好.

关键词：微晶硅薄膜稳定性研究结构化学气相沉积技术衬底温度傅里叶变换等离子体增强二次离子质谱红外吸收测试分析制备材料甚高频氢含量氧含量后氧化

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飞秒激光直写非阿贝尔三维光子芯片

科学通报 2022年第34期67卷 4041-4043页

作者：祝世宁固体微结构物理国家重点实验室南京大学物理学院南京210093

光子与电子相比具有高速率、低能耗、抗干扰等优势,以光子作为载体的集成光子芯片越来越受重视,成为后摩尔时代实现信息传输与处理的重要选项.当前,集成光子芯片在诸多材料体系中获得了广泛研究,包括硅基[1]、铌酸锂[2]、聚合物[3]等.... 详细信息

光子与电子相比具有高速率、低能耗、抗干扰等优势,以光子作为载体的集成光子芯片越来越受重视,成为后摩尔时代实现信息传输与处理的重要选项.当前,集成光子芯片在诸多材料体系中获得了广泛研究,包括硅基[1]、铌酸锂[2]、聚合物[3]等.人们发展了多种加工技术用于光子芯片制备,其中包括掩膜+刻蚀技术、离子注入技术、化学气相沉积技术等,目前这些技术主要用于二维光子芯片的制备,完成的各种结构主要在芯片的表面.如果能充分利用芯片的纵向自由度,芯片集成度能有很大的提升空间.

关键词：离子注入技术芯片集成度刻蚀技术化学气相沉积技术阿贝尔铌酸锂低能耗抗干扰

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牙轮钻头轴承浮动套涂覆陶瓷膜的性能

金属热处理 2017年第10期42卷 132-138页

作者：黄本生龚成龙邓龙陈松肖晓华西南石油大学材料科学与工程学院四川成都610500

分别以20Cr Ni Mo和20Ni4Mo钢为基体材料制成销、盘试件,利用CVD技术在销表面制备Ti C+Ti(C,N)+Ti N复合陶瓷膜和氧乙炔堆焊钴基焊丝。对比研究复合陶瓷膜销、真空淬火复合陶瓷膜销、堆焊钴基焊丝销在不同介质环境(泥浆、混合介质)中不... 详细信息

分别以20Cr Ni Mo和20Ni4Mo钢为基体材料制成销、盘试件,利用CVD技术在销表面制备Ti C+Ti(C,N)+Ti N复合陶瓷膜和氧乙炔堆焊钴基焊丝。对比研究复合陶瓷膜销、真空淬火复合陶瓷膜销、堆焊钴基焊丝销在不同介质环境(泥浆、混合介质)中不同载荷条件(静载、冲击载荷)下磨损前后的表面形貌及磨损量,同时测定销试件表面显微硬度;并分析淬火前后销试件表面复合陶瓷膜的膜厚、结合强度,最终分析出试件表面耐磨性。结果表明:在20Cr Ni Mo钢表面涂覆复合陶瓷膜(Ti C+Ti(C,N)+Ti N),无论是否进行真空淬火,用其制成的销试件硬度均较高,能有效降低粘着磨损。淬火复合陶瓷膜销与20Ni4Mo钢组成的摩擦副的抗磨损、抗冲击能力都较好。

关键词：复合陶瓷膜结合强度耐磨性硬度化学气相沉积技术

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CVD法制备碳/高活性铝复合材料

火炸药学报 2012年第6期35卷 104-106页

作者：吕英迪郑晓东陈志强李洪丽唐望石强邱少君西安近代化学研究所陕西西安710065

采用化学气相沉积技术(CVD),在乙炔气氛、500℃条件下制备了碳/高活性铝复合材料。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)对复合材料的物相、形貌、组成进行了表征。结果表明,碳/高活性铝复合材料具有特殊的核... 详细信息

采用化学气相沉积技术(CVD),在乙炔气氛、500℃条件下制备了碳/高活性铝复合材料。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)对复合材料的物相、形貌、组成进行了表征。结果表明,碳/高活性铝复合材料具有特殊的核壳结构及良好的耐水能力。

关键词：材料科学化学气相沉积技术高活性铝碳高活性铝复合材料