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  • 11 篇 期刊文献

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主题

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  • 1 篇 爆炸动力学
  • 1 篇 三氧化钨陶瓷
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  • 1 篇 壳层模型
  • 1 篇 耗尽沟道
  • 1 篇 核子
  • 1 篇 分子团簇
  • 1 篇 电子陶瓷
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  • 1 篇 裂变
  • 1 篇 离子能量
  • 1 篇 厦子
  • 1 篇 温度系数
  • 1 篇 空穴
  • 1 篇 类氢杂质

机构

  • 1 篇 宁夏大学
  • 1 篇 华中理工大学
  • 1 篇 陕西理工大学
  • 1 篇 兰州大学
  • 1 篇 西南交通大学
  • 1 篇 北京大学
  • 1 篇 汕头大学
  • 1 篇 辽宁大学

作者

  • 1 篇 赵双群
  • 1 篇 刘福绥
  • 1 篇 赵洪旺
  • 1 篇 李颖峰
  • 1 篇 陈健
  • 1 篇 贺志荣
  • 1 篇 高启文
  • 1 篇 徐峰
  • 1 篇 闫群民
  • 1 篇 花中秋
  • 1 篇 王海庆
  • 1 篇 刘阿川
  • 1 篇 张新夷
  • 1 篇 王豫
  • 1 篇 董亮
  • 1 篇 张典焕
  • 1 篇 乔坚栗
  • 1 篇 郭从盛
  • 1 篇 刘振鹏
  • 1 篇 李邵辉

语言

  • 11 篇 中文
检索条件"主题词=势垒模型"
11 条 记 录,以下是1-10 订阅
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金属与半导体肖特基接触势垒模型及其载流子传输机制的研究进展
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材料导报 2017年 第3期31卷 57-62页
作者: 李亚鹏 李颖峰 贺志荣 郭从盛 闫群民 徐峰 陕西理工大学材料科学与工程学院 汉中723001 陕西理工大学电气工程学院 汉中723001
肖特基结具有整流特性,在整流器和光电检测等电子元器件制造中有极其重要的应用,重点介绍了相关研究人员在金属与半导体肖特基接触势垒的形成机理、相关数学模型及其影响因素等方面的研究进展。有研究表明,肖特基势垒的形成主要是由于... 详细信息
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凝聚态统一理论的势垒模型
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自然杂志 1983年 第8期 635-636页
作者: 刘福绥 北京大学
倪嘉陵首先注意到低能激发对凝聚物质低频涨落、耗散和弛豫性质的带有共性的影响,提出了相应的统一理论.这个理论已经在电介质损耗、化学反应、高分子、1/f噪声、非
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P-N结型耗尽沟道的势垒高度解析模型
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科学通报 2017年 第28期62卷 3392-3399页
作者: 肖彤 乔坚栗 陈健 杨建红 兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所 兰州730000
P-N结型耗尽沟道的电流输运取决于沟道中的势垒高度,本文构建了沟道势垒模型,基于器件物理分析给出了势垒高度的解析表达式.该模型对沟道内和沟道外耗尽区的边界条件做了合理的假设和分析,通过求解泊松方程获得上述两个区域的电势分布,... 详细信息
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飞秒强激光场中异核团簇的爆炸动力学
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强激光与粒子束 2010年 第12期22卷 2993-2998页
作者: 高启文 李邵辉 汕头大学物理系 广东汕头515063
利用Bathe过势垒模型,对飞秒强激光场中异核分子团簇((CH4)n,(CD4)n,(D2O)n)的爆炸动力学过程进行了理论研究。结果表明:异核团簇爆炸后产生的离子能量与团簇初始半径的平方呈线性关系,爆炸机理为典型的库仑爆炸。研究发现,异核分子团... 详细信息
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三氧化钨陶瓷的压敏特性和机理
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硅酸盐学报 2010年 第8期38卷 1415-1419页
作者: 花中秋 王海庆 赵洪旺 董亮 王豫 西南交通大学电气工程学院 成都610031 西南交通大学材料科学与工程学院 成都610031
采用传统电子陶瓷烧结工艺,制备了无掺杂物的三氧化钨(WO3)陶瓷。分析了陶瓷样品经淬火和不同气氛下处理后的微结构和压敏电学特性。研究表明:陶瓷冷却过程中在氧吸附的作用下,WO3陶瓷晶粒表面呈现氧元素富集。分析认为,晶粒表面吸附的... 详细信息
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施主掺杂钛酸钡陶瓷最大势垒高度计算
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兰州大学学报(自然科学版) 2000年 第1期36卷 34-38页
作者: 赵双群 宁夏大学物理与电气信息工程系 宁夏银川750021
在不同的施主杂质Nb2O5含量下,对BaTiO3半导陶瓷样品测量了电流—电压关系,发现结果不遵循经典的海旺(Heywang)模型,而与从修正的势垒模型出发得到的结果符合较好.根据修正的势垒模型
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场致发光理论(一)
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发光学报 1972年 第4期 15-24页
作者: 张新夷
1936年,Destriau发现悬浮在绝缘介质中的ZnS—Cu粉末在交变电场作用下发光,这称为Destriau效应,或本征场致发光。这篇报告的作者总结了自1936年以来对这一现象所观测到的二十种比较重要的实验结果,并简单回顾了对这一现象所作的一些比... 详细信息
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金-砷化镓肖特基势垒电容的测量
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微纳电子技术 1971年 第7期 46-55页
作者: 张典焕
一、引言近两年来,在几篇资料中业已讨论了有意义的 n 型 GaAs 肖特基势垒的电容性能。威廉斯观察了在施加于二极管的偏压变为更负值之后电容与时间的关系。这个效应解释为这一时同与来自于耗尽层深杂质中心处电子的发射有关。根据光注... 详细信息
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原子核结构模型
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物理通报 1962年 第3期 126-132页
作者: 刘阿川
原子核結构的研究是原子核物理学的重要組成部分之一,其目的主要是通过对原子核所表現的各种性貭的研究,掌握原子核的基本特性及其內部运动規律,以便充分利用原子核內蘊藏的能量和原子核的其他特性。在对有关核子間相互作用力缺乏足够... 详细信息
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热敏电阻介绍
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现代物理知识 1998年 第5期 28-30页
作者: 章登宏 华中理工大学电子科学与技术系!武汉430074
热敏电阻是开发早、种类多、发展较成熟的敏感元器件.热敏电阻由半导体陶瓷材料组成,利用的原理是温度引起电阻变化.若电子和空穴的浓度分别为n、p,迁移率分别为μ、μ,则半导体的电导为:
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