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InAsSb势垒阻挡型红外探测器暗电流特性研究

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红外与毫米波学报 2022年第5期41卷 810-817页

作者：陈冬琼王海澎秦强邓功荣尚发兰谭英孔金丞胡赞东太云见袁俊赵鹏赵俊杨文运昆明物理研究所云南昆明650223

计算了不同温度下由辐射复合和俄歇复合决定的InAsSb材料的载流子寿命,结果表明,低温下n型InAsSb材料的载流子寿命受限于辐射复合过程,而高温下InAsSb材料的载流子寿命取决于Auger 1复合过程。讨论了势垒阻挡型器件的暗电流解析模型及... 详细信息

计算了不同温度下由辐射复合和俄歇复合决定的InAsSb材料的载流子寿命,结果表明,低温下n型InAsSb材料的载流子寿命受限于辐射复合过程,而高温下InAsSb材料的载流子寿命取决于Auger 1复合过程。讨论了势垒阻挡型器件的暗电流解析模型及暗电流抑制机理,通过在nBn吸收层的另一侧增加重掺杂的n型电极层形成nBnn+结构对吸收区内的载流子进行耗尽,吸收区少数载流子浓度降低约两个数量级,从而进一步降低器件暗电流。成功制备了InAsSb-基nBnn+器件,150 K下器件暗电流低至3×10^(-6) A/cm^(2),采用势垒结构器件的暗电流解析模型对150 K下器件的暗电流进行拟合分析,结果表明由于势垒层为p型掺杂,在吸收层形成耗尽区,导致器件中的产生复合电流并没有完全被抑制,工作温度低于180 K,器件暗电流受限于产生复合电流,工作温度高于180 K,器件暗电流受限于扩散电流。

关键词：铟砷锑高工作温度势垒中红外

添加势垒(阱)对光孤子在自聚焦克尔介质中传输的操控作用

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光子学报 2018年第9期47卷 207-214页

作者：李淑青乔士柱程永喜闫乙伟马慧莲太原工业学院理学系太原030008

为了操控在非线性克尔介质中传输的光孤子,以薛定谔方程为模型,采用分步傅里叶数值模拟的方法,分别研究了在非线性自聚焦克尔介质中添加高斯势垒、高斯势阱、Scarf-Ⅱ势垒(阱)和周期势垒(阱)后,光孤子在非线性克尔介质中的传输情况.通... 详细信息

为了操控在非线性克尔介质中传输的光孤子,以薛定谔方程为模型,采用分步傅里叶数值模拟的方法,分别研究了在非线性自聚焦克尔介质中添加高斯势垒、高斯势阱、Scarf-Ⅱ势垒(阱)和周期势垒(阱)后,光孤子在非线性克尔介质中的传输情况.通过改变势垒(阱)的高度(深度)、高斯势垒(阱)和Scarf-Ⅱ势垒(阱)的宽度,或者周期性势垒的周期,可实现对光孤子的操控.随着参数取值的不同,光孤子在传输中出现了反射、隧穿、周期性摆动、直线传播、分裂、光强增大等不同的现象.研究结果可为光开关和光控光技术提供参考.

关键词：非线性光学光孤子数值模拟势垒势阱

有机-无机复合薄膜电致发光器件中势垒对光电性能的影响

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光电子．激光 2012年第1期23卷 46-50页

作者：曲崇徐征张世玉冯贞健田丽杰鲁东大学物理学院山东烟台264025 北京交通大学光电子技术研究所北京100044

利用无机非晶SiO2与有机聚合物PPV复合制备了异质结器件,研究了不同层之间由于能级匹配而产生的势垒对整个器件的光电性能的影响。对于单层有机器件ITO/PPV/Al及双层有机无机复合器件ITO/PPV/SiO2/Al,空穴的注入取决于ITO/PPV界面的势垒... 详细信息

利用无机非晶SiO2与有机聚合物PPV复合制备了异质结器件,研究了不同层之间由于能级匹配而产生的势垒对整个器件的光电性能的影响。对于单层有机器件ITO/PPV/Al及双层有机无机复合器件ITO/PPV/SiO2/Al,空穴的注入取决于ITO/PPV界面的势垒,空穴是多数载流子,发光强度主要取决于电子的注入。单层器件电子的注入能力与PPV/Al界面的势垒有关;双层器件由于引进SiO2层,提高了电子的注入能力,其发光强度和发光效率较单层器件都有改善。对于3层有机-无机复合器件ITO/SiO2/PPV/SiO2/Al,在两个方向上电子注入的势垒不同,电子的注入能力有所差别,交流激发时,当Al电极为负(ITO为正)时,器件的最大瞬时发光强度是当ITO电极为负(Al为正)时最大瞬时发光强度的1.3倍。

关键词：有机-无机复合势垒发光强度发光效率

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双模压缩真空态和纠缠相干态的一维势垒散射

物理学报 2010年第1期59卷 80-86页

作者：陈星夏云杰山东省激光偏光与信息技术重点实验室、曲阜师范大学物理系曲阜273165

分析了双模压缩真空态和纠缠相干态的一维势垒散射问题,结果表明,两种散射态的纠缠度都随势垒的透射系数呈类抛物线关系,且抛物线谷底对应半反半透势垒.前者的纠缠度还随入射压缩因子呈类抛物线关系,后者随入射纠缠呈线性关系.两种散射... 详细信息

分析了双模压缩真空态和纠缠相干态的一维势垒散射问题,结果表明,两种散射态的纠缠度都随势垒的透射系数呈类抛物线关系,且抛物线谷底对应半反半透势垒.前者的纠缠度还随入射压缩因子呈类抛物线关系,后者随入射纠缠呈线性关系.两种散射的保真度都可以由透射系数的增加而得到提高,但前者还会随入射压缩因子的增大而降低,后者随入射相干态模的增加而降低.

关键词：双模压缩真空态纠缠相干态势垒散射

电子在半导体多势垒结构中隧穿现象的研究与进展

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固体电子学研究与进展 2005年第4期25卷 450-455页

作者：王洪梅刘丕均张亚非薄膜与微细技术教育部重点实验室

文中以探索多势垒结构的电子隧穿物理及其器件结构与性能为出发点,论述了多势垒结构隧穿现象的研究与进展。概述了一维半导体异质结构隧穿现象的解析解和数值计算。重点介绍了电子通过半导体双势垒结构产生隧穿现象的研究进展,即电子通... 详细信息

文中以探索多势垒结构的电子隧穿物理及其器件结构与性能为出发点,论述了多势垒结构隧穿现象的研究与进展。概述了一维半导体异质结构隧穿现象的解析解和数值计算。重点介绍了电子通过半导体双势垒结构产生隧穿现象的研究进展,即电子通过双势垒结构横纵波矢的耦合行为与共振准能级及共振准能级寿命的解析计算。

关键词：势垒隧穿现象耦合共振准能级寿命

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分数系统中势垒对啁啾高斯光束的影响

光学学报 2022年第13期42卷 128-134页

作者：房立芝宋丽军陈胜杰山西大学物理电子工程学院山西太原030006

基于包含势垒的变系数分数薛定谔方程,采用数值模拟和解析相结合的方法研究了啁啾参量和势垒函数对高斯光束传输动力学的影响。结果表明:线性啁啾会削弱分裂后其中一束子光束的强度,而二次啁啾会改变光束的呼吸幅度和宽度,使得光束不再... 详细信息

基于包含势垒的变系数分数薛定谔方程,采用数值模拟和解析相结合的方法研究了啁啾参量和势垒函数对高斯光束传输动力学的影响。结果表明:线性啁啾会削弱分裂后其中一束子光束的强度,而二次啁啾会改变光束的呼吸幅度和宽度,使得光束不再严格按照正弦规律振荡,最终形成了一大一小的呼吸轨迹;引入势垒作用后,势垒位置处的光束由于反射与透射现象而发生变形;反射与透射的光束仍然会受到变系数的调制,并在势垒位置处叠加后再次传输。在势垒深度合适的情况下,光束遇到势垒后会被全部反射,光束的全部能量被束缚在两势垒之间,从而可在分数系统中通过势垒和啁啾参数实现对光束传输的调控与管理。

关键词：非线性光学分数薛定谔方程啁啾势垒高斯光束

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双模压缩真空态的一维势垒散射

光电子．激光 2009年第10期20卷 1410-1413页

作者：陈星曲阜师范大学物理系山东省激光偏光与信息技术重点实验室山东曲阜273165

提出了计算两体连续变量纠缠态散射的一种方法。证明了一维势垒与分束器等价,并计算了双模压缩真空态的一维势垒散射。计算发现,双模压缩真空态经过一维势垒散射后,将失去纠缠,但可以有非零保真度,并且保真度随压缩因子的增大而减小。

关键词：双模压缩真空态散射势垒

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摩擦磨损的接触界面势垒理论研究

摩擦学学报 2007年第1期27卷 54-59页

作者：许中明黄平华南理工大学机械工程学院广东广州510640

根据系统和能量的观点,从摩擦界面的微观相互作用出发,提出摩擦磨损的接触界面势垒理论,研究接触界面势垒和标准接触界面势垒的计算方法,并推导出摩擦力、摩擦系数以及粘着磨损量的计算公式.研究表明,界面的摩擦磨损性能取决于接触界面... 详细信息

根据系统和能量的观点,从摩擦界面的微观相互作用出发,提出摩擦磨损的接触界面势垒理论,研究接触界面势垒和标准接触界面势垒的计算方法,并推导出摩擦力、摩擦系数以及粘着磨损量的计算公式.研究表明,界面的摩擦磨损性能取决于接触界面势垒的大小和分布,用标准接触界面势垒作为表征摩擦副材料摩擦磨损特性的指标具有较好的独立性和稳定性.利用已有的实验数据进行计算,结果与超高真空原子力显微镜实验结果基本符合,验证了所提出理论和方法的可行性.

关键词：摩擦磨损势垒理论

弹道电子发射显微镜对Au/n-Si(100)界面势垒的探测

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物理学报 1995年第1期44卷 133-136页

作者：白春礼郭仪中国科学院化学研究所北京100080

用弹道电子发射显微镜对Au/n-Si(100)界面势垒测试,直接得出定点的势垒特性和纳米尺度的界面图象.通过所测的I_(c)-V曲线,可得所测点的肖特基势垒高度及电荷传输特性.界面图象可以显示界面极小范围内势垒的特性.

关键词： BEEM 金属/半导体界面势垒探测金硅