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中华肿瘤杂志 2024年第9期46卷 904-910页

作者：祝琦黄慧瑶于安琪孟鑫雨冷烨房虹李紫薇唐玉李霁李宁中国药科大学基础医学与临床药学系南京国家癌症中心国家肿瘤临床医学研究中心中国医学科学院北京协和医学院肿瘤医院药物临床试验研究中心北京墨尔本大学医学牙医及健康科学学院墨尔本澳大利亚

目的系统汇总并比较分析中美加速审评通道发展与设置概况及2012—2021年中美上市抗肿瘤新药加速通道的使用情况。方法基于中国和美国国家药品监督管理部门官网, 查阅并整理中美两国新药加速审评通道发展历程和设置现状;针对2012—2021... 详细信息

目的系统汇总并比较分析中美加速审评通道发展与设置概况及2012—2021年中美上市抗肿瘤新药加速通道的使用情况。方法基于中国和美国国家药品监督管理部门官网, 查阅并整理中美两国新药加速审评通道发展历程和设置现状;针对2012—2021年在中美两国上市的抗肿瘤药物(中国87种, 美国118种), 查阅并汇总比较抗肿瘤新药加速通道的使用率和变化趋势, 包括加速通道总体使用率和各加速通道使用率。采用χ2检验进行组间比较。结果中美两国分别建立了5条加速通道, 包括优先审评、附条件批准或加速批准和突破性治疗3条相同通道, 中国特有的特别审批、特殊审批, 美国特有的快速通道和实时肿瘤审评。与美国相比, 中国的加速通道设置起步晚(美国1992年, 中国2005年)。2012—2021年获批的抗肿瘤新药中, 中美加速通道的总体使用率相近[分别为90.8%(109/118)和92.4%(79/87), P=0.800]。中美两国都是优先审评通道使用率最高(分别为77.0%和82.2%, P=0.381);相对而言, 中国附条件批准(分别为31.0%和44.9%, P=0.041)和突破性治疗(分别为2.3%和50.0%, P通道。中美优先审评的变化波动较小, 年平均使用率接近(分别为84.8%和83.7%);美国加速批准和突破性疗法使用率波动幅度较大, 2019—2021年趋于稳定。结论中美两国均已建立了较为完善的加速审评体系, 总体使用率在90%以上;中国加速审评起步较晚, 虽然总体使用率与美国接近, 但附条件批准和突破性治疗通道的使用率较低。灵活运用加速通道, 获得监管认定使用替代终点、实现滚动审查和实时指导是加速中国新药研发的关键。

关键词：肿瘤药物审评加速通道审评审批

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二次电子发射对稳态等离子体推进器加速通道鞘层的影响

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固体火箭技术 2012年第2期35卷 193-197页

作者：田立成石红李娟张天平兰州空间技术物理研究所真空低温技术与物理重点实验室兰州730000

稳态等离子体推进器(Stationary Plasma Thruster,SPT)工作时产生的高密度等离子体遇到其加速通道陶瓷器壁时,在陶瓷器壁与等离子体之间形成鞘层。离子会在鞘层电场作用下到达SPT加速通道器壁表面进而复合,而等离子体中的电子由于具有... 详细信息

稳态等离子体推进器(Stationary Plasma Thruster,SPT)工作时产生的高密度等离子体遇到其加速通道陶瓷器壁时,在陶瓷器壁与等离子体之间形成鞘层。离子会在鞘层电场作用下到达SPT加速通道器壁表面进而复合,而等离子体中的电子由于具有高能可跃过鞘层电场轰击器壁表面,从而产生二次电子发射效应。从器壁表面发射出的二次电子由于受到鞘层电场的排斥,导致其向等离子体源区移动,进而影响等离子体鞘层的特性。建立了考虑二次电子发射效应的无碰撞等离子体鞘层的一维流体模型,研究了二次电子发射对SPT加速通道鞘层特性的影响。计算结果显示,随二次电子发射系数增加,鞘层电势、离子密度、电子密度和二次电子密度增加,而离子速度降低,鞘层中离子密度始终大于电子密度。鞘层中二次电子绝大多数集中在器壁附近,随二次电子穿越鞘层厚度的增加,二次电子密度快速下降。

关键词：稳态等离子体推进器加速通道二次电子发射等离子体鞘层

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二次电子发射对稳态等离子体推进器加速通道鞘层的影响

二次电子发射对稳态等离子体推进器加速通道鞘层的影响

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第十五届全国等离子体科学技术会议

作者：田立成石红李娟张天平真空低温技术与物理国家重点实验室兰州空间技术物理研究所

随着世界航天事业的蓬勃发展以及大容量长寿命通信卫星、深空探测、星际航行等空间技术的兴起,世界各国正在研究新一代空间电推进装置,而稳态等离了体推进器(Stationary Plasma Thruster,简称SPT)相对于化学推进器具有高比冲、小推力、... 详细信息

随着世界航天事业的蓬勃发展以及大容量长寿命通信卫星、深空探测、星际航行等空间技术的兴起,世界各国正在研究新一代空间电推进装置,而稳态等离了体推进器(Stationary Plasma Thruster,简称SPT)相对于化学推进器具有高比冲、小推力、长寿命、能重复启动和高的控制精度等优点成为各国研究的热点。SPT工作时其环形加速通道内充满了高密度等离子体,等离子体中含有离子和高能电子等。当等离子体遇到SPT加速通道陶瓷器壁时,在陶瓷器壁与等离子体之间形成鞘层。离子会在鞘层电场作用下到达SPT加速通道器壁表面进而复合,而等离子体中的电子由于具有高能可以跃过鞘层电场轰击器壁表面,从而产生二次电子发射效应。从器壁表面发射出的二次电子由于受到鞘层电场的排斥,导致其向等离子体源区移动,进而影响等离子体鞘层的特性。本文建立了考虑二次电子发射效应的无碰撞等离子体鞘层的一维流体模型,计算得到了二次电子发射对SPT加速通道器壁附近鞘层中电势、电场以及带电粒子密度等鞘层特性的影响。

关键词：稳态等离子体推进器加速通道二次电子发射等离子体鞘层

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