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  • 20 篇 电子文献
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    • 1 篇 物理学

主题

  • 20 篇 功率mos器件
  • 6 篇 单粒子栅穿
  • 4 篇 单粒子烧毁
  • 2 篇 电路模拟
  • 2 篇 应用
  • 2 篇 高压集成电路
  • 2 篇 单粒子
  • 2 篇 功率mosfet
  • 2 篇 抗辐射
  • 2 篇 安全工作区
  • 2 篇 智能功率集成电路
  • 2 篇 电源系统
  • 1 篇 pspice模拟
  • 1 篇 电源电压
  • 1 篇 物理
  • 1 篇 视野
  • 1 篇 加固
  • 1 篇 电源供应器
  • 1 篇 航天器
  • 1 篇 等效电路模型

机构

  • 7 篇 西北核技术研究所
  • 2 篇 上海交通大学
  • 2 篇 西安电力电子技术...
  • 2 篇 西安卫光科技有限...
  • 1 篇 东南大学
  • 1 篇 西安交通大学
  • 1 篇 电子科技大学
  • 1 篇 英飞凌科技
  • 1 篇 北方工业大学

作者

  • 7 篇 王燕萍
  • 7 篇 耿斌
  • 7 篇 唐本奇
  • 4 篇 陈晓华
  • 2 篇 刘文辉
  • 2 篇 杨海亮
  • 2 篇 徐国治
  • 2 篇 潘志斌
  • 2 篇 杜凯
  • 1 篇 dean henderson
  • 1 篇 李志奇
  • 1 篇 贺朝会
  • 1 篇 崔雨风
  • 1 篇 沈昂
  • 1 篇 christian wald
  • 1 篇 刘光廷
  • 1 篇 靳辉凯
  • 1 篇 郭超

语言

  • 20 篇 中文
检索条件"主题词=功率MOS器件"
共 20 条 记 录，以下是11-20 订阅
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用^(252)Cf裂片源研究单粒子烧毁和栅穿效应的方法
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原子能科学技术 2000年 第4期34卷 339-343页
作者： 唐本奇 王燕萍 耿斌 陈晓华 贺朝会 杨海亮 西北核技术研究所 陕西西安710024
建立了2 5 2 Cf裂片源模拟空间重离子的单粒子烧毁 (SEB)和单粒子栅穿 (SEGR)效应的实验方法和测试装置 ,并利用该装置进行了功率mos场效应晶体管的SEB、SEGR效应研究 ,给出了被测试器件SEB、SEGR效应的损伤阈值。结果表明 ,该测试系统... 详细信息
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单粒子烧毁、栅穿效应的电路模拟与测试技术
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电力电子技术 2000年 第4期34卷 56-59页
作者： 唐本奇 王燕萍 耿斌 杜凯 西北核技术研究所 西安710024 西安电力电子技术研究所 西安710061
建立了功率mos器件单粒子烧毁、栅穿效应的等效电路模型 ,介绍了模型参数提取方法。采用PSPICE电路模拟程序 ,对单粒子烧毁、栅穿效应机理进行了模拟和分析 ,建立了利用Cf 2 52裂片源模拟空间重离子单粒子烧毁、栅穿效应的测试装置。实... 详细信息
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mos器件模型参数提取
MOS器件模型参数提取
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作者： 郭超 电子科技大学
学位级别：硕士
将要引起第二次电子革命的智能功率集成电路获得了日益广泛的应用,它的应用范围包括开关电源、电子镇流器、电机驱动、汽车电子和显示驱动,本文中介绍的智能功率集成电路是特别用于电子镇流器的。本文首先简述了智能功率集成电路的研究... 详细信息
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工业用与再生能源应用效率的新视野— 切换式电源供应(SMPS)
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电子与电脑 2010年 第6期10卷 62-64页
作者： Dean Henderson Christian Wald 英飞凌科技
功率mosFET与IGBT等其他功率mos器件并行发展，满足了许多应用的需要。在低电压的应用中，相关器件让电源供应器与”DC／DC”转换器能够达到高效率．并让伺服与马达控制设计达到高稳定度。汽车防死锁煞车系统等高电压的应用中，相关器... 详细信息
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设计高频高压场效应晶体管的一些考虑
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微电子学 1988年 第1期 20-23页
作者： 李志奇 上海交通大学
高频高压场效应晶体管(LDmos)是功率mos器件中同时具有高频高压性能的一种器件,也是目前广泛用于HVIC(高压集成电路)及PIC(功率集成)电路的器件之一。本文从结构上描述了器件的高频、高压特性,并提出了一些可提高这些性能的措施和设计... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
院士陈星弼
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四川统一战线 2001年 第1期 12-13页
作者： 崔雨风
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大功率电源mos管的特性及应用
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上海计量测试 2005年 第6期32卷 28-29页
作者： 沈昂 上海交通大学微电子学院
引言在当今的开关电源设备中,当电源电压在200V以下时,主开关功率器件一般都使用功率mos器件.所以深入了解功率mos器件的内部结构和工作特性对开关电源工程师来说至关重要.开关电源电路中mos管的结构,寄生参数,散热条件等都会对功率mos... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
功率mos单粒子加固设计
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决策与信息 2016年 第15期 279-280页
作者： 刘文辉 西安卫光科技有限公司 陕西西安710065
高能粒子进入功率mos器件后，会引起SEE（Single Event Effect）。本文对功率mos器件的SEE效应的机理进行了分析，研究了SEE失效敏感性与器件结构的关系；最后采用LET=99 MeV/（mg/cm2）的Bi＋进行了试验，试验结果表明这种加固技术可... 详细信息
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功率mos单粒子加固设计
功率MOS单粒子加固设计
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决策论坛——经营管理决策的应用与分析学术研讨会
作者： 刘文辉 西安卫光科技有限公司
高能粒子进入功率mos器件后,会引起SEE（Single Event Effect）。本文对功率mos器件的SEE效应的机理进行了分析,研究了SEE失效敏感性与器件结构的关系;最后采用LET=99Me V/（mg/cm2）的Bi+进行了试验,试验结果表明这种加固技术可以有效... 详细信息
来源： cnki会议 评论
BUY25CSXX系列：功率mosFET
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世界电子元器件 2012年 第9期 35-35页
英飞凌科技推出专用于空间和航空应用而设计的电源开关器件。全新BUY25CSXX系列抗辐射加固型（RH）功率mos器件拥有较好的性能，可支持面向空间应用的高能效电源调理和电源系统设计。
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 评论
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