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功率管的可靠性热设计

电子机械工程 1993年第6期9卷 12-16页

作者：金大元机电部36所

本文采用可靠性设计方法对功率管的散热进行了分析,建立了功率管的失效率模型,并通过实例给出了功率管冷却方式的选择及功率管工作量度与失效率的具体计算方法。

关键词：电子设备热设计可靠性功率管

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功率管正偏二次击穿筛选的注意事项

电子质量 1994年第2期 33-34页

作者：蒋济昌山东省半导体研究所

对低频大功率晶体管进行正偏二次击穿筛选是确保器件质量,减少功率管上机烧毁的一个必要措施.正偏二次击穿耐量是功率管安全工作区的一个边界,因此,要使功率管安全使用,并具备高的可靠性,必须通过测试和筛选,来保证其正偏二次击穿耐量... 详细信息

对低频大功率晶体管进行正偏二次击穿筛选是确保器件质量,减少功率管上机烧毁的一个必要措施.正偏二次击穿耐量是功率管安全工作区的一个边界,因此,要使功率管安全使用,并具备高的可靠性,必须通过测试和筛选,来保证其正偏二次击穿耐量足够大.

关键词：功率管安全工作区大功率晶体管正偏音频功率放大器直流测试测管工作状态测试过程保护电路

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功率管焊接质量射线检测

无损检测 2004年第11期26卷 580-581,584页

作者：张毅中国空空导弹研究院洛阳471009

介绍采用射线方法检测功率管芯片与基座之间的焊接质量。试验证明,选用合适的透照参数可使X射线照相和X射线实时成像对焊接部位的检测均得到较高的对比灵敏度,但X射线照相法成本低廉,一次可透照多个工件,效率高,为该功率管焊接质量的理... 详细信息

介绍采用射线方法检测功率管芯片与基座之间的焊接质量。试验证明,选用合适的透照参数可使X射线照相和X射线实时成像对焊接部位的检测均得到较高的对比灵敏度,但X射线照相法成本低廉,一次可透照多个工件,效率高,为该功率管焊接质量的理想检测方法。

关键词： X射线照相 X射线实时成像功率管焊接质量

汽车功放的新势力——用LM4702和安森美功率管设计的功放

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无线电与电视 2010年第2期 47-54页

作者：高杨

新年伊始出差到深圳，坐进朋友的广本轿车，当朋友打开音响时，笔者的耳朵为之一振，强有力的低音极富弹性，中高音清晰优美、十分动听，音量增大后也没有失真。这与笔者自己车内的音响效果完全不同。很明显，

关键词：汽车功放功率管安森美设计势力音响效果低音失真

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晶体管桥式自激逆变器功率管发热问题的探讨

实验室科学 2006年第3期9卷 60-61页

作者：张健燕山大学电子实验中心河北秦皇岛066004

介绍了晶体管桥式自激逆变器的工作原理,由此分析了功率管发热的原因,并提出了一种改善功率管发热的有效方法。通过实验分析,说明了该方法的可行性和广阔的应用前景。

关键词：功率管自激逆变器发热

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大功率管的动态筛选法

交通科学与工程 1986年第2期 41-49页

作者：陶国柱长沙交通学院基础科学部讲师

本文对电子装置在汽车上的工作条件作了分析,并指出了半导体器件的寿命可靠性是电子技术能否在汽车上推广应用的关键,因此,作者提出用动态筛选法解决器件可靠性问题,并从理论上说明动态筛选法的根据和必要性。

关键词：可靠度电子装置元器件汽车筛选法功率管电子管

场效应功率管在提高开关电源工作频率中的应用

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计算机研究与发展 1983年第8期 54-60+13页

作者：卢致皓上海市计算所

一、前言场效应功率管以其独特的性能和优势,同双极性功率晶体管相抗衡,使脉宽调制型的开关电源面临新的突破。开关工作频率可以从目前的25～50 K Hz提高到200 K Hz甚至500 K Hz。由于电源的高频化,大大缩小了电源的体积,这对于紧缩电... 详细信息

一、前言场效应功率管以其独特的性能和优势,同双极性功率晶体管相抗衡,使脉宽调制型的开关电源面临新的突破。开关工作频率可以从目前的25～50 K Hz提高到200 K Hz甚至500 K Hz。由于电源的高频化,大大缩小了电源的体积,这对于紧缩电子设备的体积和适用于高密度集成化的电路是必不可少的。近几年来美国、日本先后研制了场效应功率管,有的甚至已经制成了500 KHz的开关电源。本文对用场效应功率管作开关管的高频化开关电源的有关问题作了介绍。

关键词： MOSFET 功率管电子管开关电源稳压电源双极性晶体管导通电阻栅驱动场效应工作频率漏极栅延迟

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束射功率管8807

电真空技术 1990年第1期 57-70页

作者：范光荣

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小阴—栅距电子注功率管的渗透率

真空电子技术 1982年第5期 3-8页

作者：华国豪五三二九厂

静电控制电子管的渗透率,已经用麦克斯韦尔法推导出若干不同的计算公式。其中包括计算小阴-栅距平板型三极管的渗透率的弗莱敏公式和计算大阴-栅距平板型电子注功率管的渗透率的斯班庚伯公式。但是,人们需要知道如何计算小阴-栅距电子... 详细信息

静电控制电子管的渗透率,已经用麦克斯韦尔法推导出若干不同的计算公式。其中包括计算小阴-栅距平板型三极管的渗透率的弗莱敏公式和计算大阴-栅距平板型电子注功率管的渗透率的斯班庚伯公式。但是,人们需要知道如何计算小阴-栅距电子注功率管的渗透率。本文对推导渗透率公式的传统的麦克斯韦尔法作了改动,使之具有更清晰的物理意义。利用改动过的麦克斯韦尔法,成功地解决了小阴-栅距电子注功率管渗透率的计算问题,得到了平板型系统和圆柱型系统统一的计算公式。所得到的计算公式,在特殊情况下又可分别还原为弗莱敏公式和斯班庚伯公式——并且还可得到它们的圆柱型系统的表示式。也就是说,我们的公式具有普遍的性质。这个公式的导出,必将有益于现代的功率电子管,特别是有益于超功率电子管的优良性能的获得。

关键词：渗透率电子注电极系统功率管电子管栅距叶栅参数