检索结果-南通市图书馆

Journal of Semiconductors 2006年第Z1期27卷 205-207页

作者：王立新廖太仪陆江中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院微电子研究所北京100029

介绍一种新型低压平面结构的功率场效应晶体管--条形栅VDMOS.通过与传统的元胞型结构比较,发现条形栅具有导通电阻小、开关速度快以及工作稳定性高等特点.还对条形栅VDMOS的工艺做了介绍,其工艺过程简单,实用性强.

关键词：条形栅 VDMOS 功率场效应晶体管

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

功率场效应晶体管MOSFET(三)

电源世界 2005年第6期 62-64页

作者：周志敏山东莱芜钢铁集团公司动力部莱芜271104

MOSFET漏源之间的电流通过一个沟道(Channel)上的栅(gate)来控制。按MOSFET的原意，MOS代表金属(Metal)氧化物(Oxide)-半导体(Semiconductor)，即以金属层(M)的栅极隔着氧化层（O)利用电场的效应来控制半导体(S)。FET(Field Effect Transistor，场效应晶体管)的名字也由此而来。然而HEXFET中的栅极并不是金属做的，而是用多晶硅(polysilicon)来做栅极，这也就是图中所注明的硅栅极(silicon gate)。IR在1978年时是用金属做栅极的，1979年的GEN-1 HEXFET是世界上第一个采用多晶硅栅极的多原胞型功率MOSFET。

关键词：功率场效应晶体管 MOSFET 功率半导体器件栅极电容

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

功率场效应晶体管MOSFET(四)

电源世界 2005年第7期 71-72,46页

作者：周志敏山东莱芜钢铁集团公司动力部莱芜271104

QFET芯片结构与传统MOSFET是不同的，主要表现在三个方面：

关键词：功率场效应晶体管 MOSFET 开关特性栅极电荷

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

功率场效应晶体管MOSFET(二)

电源世界 2005年第5期 58-61页

作者：周志敏山东莱芜钢铁集团公司动力部莱芜271104

3高压MOSFET原理与性能分析在功率半导体器件中，MOSFET因其高速、低开关损耗、低驱动损耗的特点而在各种功率变换，特别是高频功率变换中起着重要作用。在低压领域，MOSFET无竞争对手，但随着MOS耐压的提高，导通电阻以2．4～2．6次... 详细信息

3高压MOSFET原理与性能分析在功率半导体器件中，MOSFET因其高速、低开关损耗、低驱动损耗的特点而在各种功率变换，特别是高频功率变换中起着重要作用。在低压领域，MOSFET无竞争对手，但随着MOS耐压的提高，导通电阻以2．4～2．6次方增长，其增长速度使MOSFET制造者和应用者不得不以数十倍的幅度降低额定电流，以折中额定电流、导通电阻和成本之间的矛盾。

关键词：功率场效应晶体管 MOSFET 功率半导体器件导通电阻

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

功率场效应晶体管的保护方法

辽宁工学院学报 2001年第2期21卷 27-28页

作者：康伟辽宁工学院信息科学与工程系辽宁锦州121001

分析了开关电源中功率场效应晶种管损坏的主要原因。

关键词：瞬态共同导通寄生振荡动态不平衡功率场效应晶体管

VD—MOS350型功率场效应晶体管的设计

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体技术 1984年第5期 1-8页

作者：刘旭东吴政长中国船舶工业总公司第七○九研究所

本文就VD-MOS350型功率场效应晶体管的结构及主要技术参数的设计、工艺的设置进行了讨论.作者采用双扩散、离子注入、多晶硅自对准等大规模集成电路工艺技术,在4.1×4.3mm;芯片面积上,集成了约4400只D-MOSFET.研制成功容量为350伏电流... 详细信息

本文就VD-MOS350型功率场效应晶体管的结构及主要技术参数的设计、工艺的设置进行了讨论.作者采用双扩散、离子注入、多晶硅自对准等大规模集成电路工艺技术,在4.1×4.3mm;芯片面积上,集成了约4400只D-MOSFET.研制成功容量为350伏电流为10安培、导通电阻小于1.5Ω的VD-MOS功率场效应晶体管.

关键词： MOS350 VD 功率场效应晶体管耗尽区击穿电压开启电压导通电阻沟道长度外延层高压器件场板结型场效应晶体管

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

GaAs微波振荡功率场效应晶体管