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学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 2 篇 材料科学与工程（可...
    • 1 篇 电子科学与技术（可...
  • 1 篇 理学
    • 1 篇 物理学

主题

  • 2 篇 刻蚀电压
  • 2 篇 形貌
  • 2 篇 电化学刻蚀
  • 2 篇 gan
  • 1 篇 电解液
  • 1 篇 刻蚀液

机构

  • 2 篇 长春理工大学
  • 1 篇 海南师范大学

作者

  • 2 篇 张桐鹤
  • 1 篇 刘国军
  • 1 篇 曾丽娜
  • 1 篇 马晓辉
  • 1 篇 李再金
  • 1 篇 张晶
  • 1 篇 曲轶
  • 1 篇 李林
  • 1 篇 苑汇帛

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=刻蚀电压"
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多孔GaN纳米材料电化学的制备与表征
多孔GaN纳米材料电化学的制备与表征
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作者： 张桐鹤 长春理工大学
学位级别：硕士
氮化镓(GaN)半导体材料作为第三代半导体的代表,其体现出来比重小、比强度突出、能量吸收理想等积极优势,已成为全球半导体科研方面的热点问题,引起了众多人员的充分关注。现阶段,在多孔GaN材料的工业化制备中,最常用的技术为干法刻蚀(I... 详细信息
来源： 同方学位论文库 同方学位论文库 评论
电化学刻蚀多孔GaN材料的研究
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现代物理 2018年 第6期8卷 290-296页
作者： 张桐鹤 李林 苑汇帛 曾丽娜 张晶 李再金 曲轶 马晓辉 刘国军 长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春 海南师范大学 物理与电子工程学院海南海口
通过电化学刻蚀法以KOH作为刻蚀液制备多孔GaN材料。本文主要研究刻蚀电压和刻蚀液浓度两方面对多孔GaN材料形貌的影响,其中刻蚀电压变化范围为10 V^25 V,并以能带模型进行理论分析。刻蚀液浓度变化范围为20%~50%,并着重通过动力学模型... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 评论
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