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  • 1 篇 期刊文献

馆藏范围

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日期分布

学科分类号

  • 1 篇 工学

主题

  • 1 篇 刻蚀滞后
  • 1 篇 深宽比
  • 1 篇 微机电系统
  • 1 篇 低温刻蚀

机构

  • 1 篇 西安交通大学

作者

  • 1 篇 卢德江
  • 1 篇 蒋庄德

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=刻蚀滞后"
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等离子体低温刻蚀单晶硅高深宽比结构
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真空科学与技术学报 2007年 第1期27卷 25-30页
作者： 卢德江 蒋庄德 西安交通大学精密工程研究所
等离子体低温刻蚀是一种针对高深宽比结构的干法刻蚀技术。本文在低温刻蚀单晶硅样品时得到典型的刻蚀结果为:各向异性值>0.99,硅刻蚀速率>1.5μm/min,对SiO2刻蚀选择比>75,说明该刻蚀方法很具竞争力。通过对载片台温度、反应气体配比... 详细信息
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