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主题

  • 1 篇 慢正电子束
  • 1 篇 无损检测
  • 1 篇 硅薄膜
  • 1 篇 分子束外延硅
  • 1 篇 缺陷

机构

  • 1 篇 中国科学院国际材...
  • 1 篇 中国科学技术大学

作者

  • 1 篇 叶邦角
  • 1 篇 张天昊
  • 1 篇 韩荣典
  • 1 篇 周永钊
  • 1 篇 周先意
  • 1 篇 杜江峰
  • 1 篇 朱凯

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=分子束外延硅"
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分子束外延生长硅薄膜缺陷性质的单能慢正电子束研究
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核技术 2000年 第2期23卷 69-73页
作者： 周先意 周先意 朱凯 张天昊 杜江峰 叶邦角 周永钊 韩荣典 中国科学技术大学 合肥230026 中国科学院国际材料物理中心 沈阳110015
用慢正电子束流作为探针，测量了不同温度下用分子束外延生长的硅薄膜的正电子湮没Ｓ参数，讨论了外延层质量与生长温度及膜层厚度的关系，所得结论为：对于几百纳米厚的分子束外延生长层，５００℃左右是一个比较合适的生长温度范围。... 详细信息
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