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分子束外延法生长的低阻硒化锌(ZnSe)单晶膜及其在电子器件上的应用
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发光学报 1982年 第4期 25-31页
作者： 三岛友义 北川文孝 高桥清 王全坤 中国科学院长春物理研究所 日本东京工业大学工学部电子物理系
用分子束外延技术生长了ZnSe单晶。对未掺杂的和掺Ga的低阻ZnSe的生长和性能进行了讨论。掺Ga的ZnSe,最低电阻率为0.073 Ω·cm。这种技术生长的ZnSe,在制作太阳能电池和电致发光器件上的某些有意义的应用也进行了报导。
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
分子束外延法生长HgcdTe新技术（上）
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红外 1990年 第11期11卷 9-13页
作者： Summ.,CJ 李玲
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分子束外延法生长HgcdTe新技术（下）
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红外 1990年 第12期11卷 25-29页
作者： Summ.,CJ 李玲
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用分子束外延法生长晶体
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发光学报 1978年 第3期 89-100页
作者： Paul E.Luscher ,吴明嘉
微波和电光工业的发展需要越来越薄的平面外延结构,这促进了人们对晶体生长的分子束外延技术进行深入的研究。现在,用分子束外延的方法能使基质晶体和掺杂材料的分布在生长方向上被控制到原子的精度。这样精密的控制不仅被用于研究各种... 详细信息
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日本东京大学首次通过分子束外延法实现了在硅上生长砷化镓量子点激光器有助于推动下一代计算的发展
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半导体信息 2018年 第3期 24-25页
来自日本东京大学的研究团队声称首次实现了在硅衬底砷化镓（GaAs）量子点（QD）激光器中电泵激1．3μm砷化铟（InAs）的材料生长工艺，该砷化镓衬底是利用分子束外延技术（MBE）直接生长在同轴（001）硅衬底上的。
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 评论
低温分子束外延法生长的锗锡合金薄膜应变结构研究
低温分子束外延法生长的锗锡合金薄膜应变结构研究
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第十六届全国晶体生长与材料学术会议
作者： 陶平 郑龙 黄磊 解其云 吴小山 南京大学固体微结构国家实验室 南京理工大学紫金学院
在低温(2000C)条件下,利用分子束外延法在Ge(001)衬底上制备了30nmGe1-xSnx(x=0.08,0.16,0.28)合金薄膜。由于应变结构对薄膜的质量及性质都有着重要的影响,本文采用多种X射线探测方法相结合对锗锡合金外延薄膜的应变结构进行了研究。(0... 详细信息
来源： cnki会议 评论
新的单晶生长法——分子束外延法
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发光学报 1973年 第3期 6-7页
单晶薄膜在电子学领域里的必要性是越来越明显了。例如对于现在使用的半导体器件,如能采用优质单晶薄膜,其性能将会得到很大的改进;再有在薄膜光电路,薄膜光调制元件,半导体莱塞,用超晶格的负阻元件和量子振荡现象等方面也要用单晶多层... 详细信息
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用分子束外延法生长的Hg_(1-x)Cd_xTe制备的长波和中波红外光电二极管(上)
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红外与激光技术 1989年 第4期18卷 43-46页
作者： 龚琰民
用分子束外延(MBE)生长的Hg_(1-x)Cd_xTe(0.20外延层生长在晶格匹配的ZnCdTe衬底的(211)B面上,其表面形貌是光滑的,并且在平面内无孪晶。在横向晶片上,Cd的浓度(x)是均匀... 详细信息
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用分子束外延法生长InGaN激光二极管
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激光与光电子学进展 2005年 第11期42卷 61-61页
作者： 傅恩生（编译）
与金属有机化学蒸气沉积法相比，分子束外延法尽管有很多潜在的优点，但是直到最近，一直认为分子束外延法不适合生产以InGaN为基础的下一代光学数据存储用蓝一紫光激光二极管发射器。现在，波兰华沙高压物理研究所的一个小组，用等离... 详细信息
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用分子束外延法生长蓝光二极管
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半导体信息 2004年 第5期 19-19页
作者： 江兴
据报道,夏普欧洲实验室科学家已用分子束外延生长世界首只蓝紫激光二极管。器件生长在蓝宝石基底上,是屋脊形波导InGaN多量子阱激光器,室温运转,输出波长为400nm。此有机金属汽相外延系统专为生长GaN器件设计。其主要优点是源材料消耗... 详细信息
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