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主题

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  • 1 篇 光电子
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  • 1 篇 结构材料
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  • 1 篇 输出功率
  • 1 篇 光纤通信
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  • 1 篇 高功率激光二极管
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  • 1 篇 量子阱半导体激光...
  • 1 篇 集成光学激光器
  • 1 篇 金属有机化合物气...
  • 1 篇 阈值电流
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  • 1 篇 应变量子阱激光器
  • 1 篇 高功率半导体激光

机构

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  • 1 篇 中国电子科技集团...
  • 1 篇 信息产业部电子第...
  • 1 篇 河北工业大学

作者

  • 2 篇 高欣
  • 2 篇 张兴德
  • 1 篇 张宝顺
  • 1 篇 花吉珍
  • 1 篇 陈国鹰
  • 1 篇 辛国锋
  • 1 篇 王玲
  • 1 篇 薄报学
  • 1 篇 曲轶
  • 1 篇 王玉霞
  • 1 篇 冯荣珠
  • 1 篇 安振峰
  • 1 篇 李忠辉
  • 1 篇 王向武

语言

  • 6 篇 中文
检索条件"主题词=分别限制单量子阱"
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InGaAs/AlGaAs半导体激光器二维阵列
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中国激光 2003年 第8期30卷 684-686页
作者： 辛国锋 陈国鹰 冯荣珠 花吉珍 安振峰 河北工业大学信息学院微电子所 天津300130 中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部 河北石家庄050051
用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术外延生长了InGaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光器一维线阵列 ,然后再串联组装成二维阵列 ,在 1 0 0 0 μs的输入脉宽下 ,输出峰值功率达到 730W (77A) ,输出... 详细信息
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具有高特征温度的808nm大功率半导体激光器
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半导体光电 1999年 第6期20卷 388-389,392页
作者： 高欣 曲轶 薄报学 张宝顺 张兴德 长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室 长春130022
研制出利用液相外延方法生长８０８ ｎｍ ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ 分别限制单量子阱激光器，其室温连续输出功率达到４ Ｗ，室温工作的特征温度达到２１８ Ｋ。
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850nm有源区无铝高功率SCH-SQW激光器
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中国激光 2002年 第1期29卷 5-6页
作者： 李忠辉 王玉霞 王玲 高欣 王向武 张兴德 长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家实验室 吉林长春130022 信息产业部电子第五十五所新材料中心 江苏南京210016
设计并制作了条宽 10 0 μm ,腔长 1mm的有源区无铝高功率SCH SQW激光器 ,室温连续输出功率达 1W ,阈值电流密度为 46 0A/cm2 ,外微分量子效率为 0 6 8W/A ,激射波长为 849nm(腔面未镀膜 )。
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半导体激光器
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中国光学 2003年 第6期17卷 14-16页
TN248.4 2003064087基于无铝单量子阱的大功率半导体激光器=Al-free SQW high-power semiconductor lasers[刊,中]/王玲(长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室.吉林,长春(130022)),李忠辉…∥半导体光电.-2002,23(6).-391-392在... 详细信息
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半导体激光器
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中国光学 2000年 第3期14卷 25-28页
TN248.4 2000031660单量子阱半导体激光器模拟分析=Simulation analysisof quantum well semiconductor lasers[会,中]/张励,陈建平(上海交通大学光纤技术研究所)//全国第九次光纤通信暨第十届集成光学学术会议.—秦皇岛,99.08根据量子... 详细信息
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半导体激光器、集成光学激光器
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电子科技文摘 1999年 第6期 30-30页
9907300GaAlAs/GaAs 量子阱 LD 泵浦 Nd:YAG 激光器[刊]/王晓华//半导体光电.—1998,19(6).—407～408(EdD)利用分子束外延技术生长出了 GaAlAs/GaAs 折射率渐变分别限制单量子阱结构材料。用该材料作出的激光二极管作泵浦源对 Nd:YAG ... 详细信息
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